色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基于構建缺失連接體的雙功能MIL-125(Ti)-Zn

鋰電聯盟會長 ? 來源:鋰電聯盟會長 ? 作者:鋰電聯盟會長 ? 2022-09-23 15:20 ? 次閱讀

由于其固有的安全性、高容量和成本效益,可充電的鋅基水系電池已經引起了越來越多的關注。然而,鋅枝晶、競爭性析氫反應等問題導致了鋅金屬的不均勻電鍍/剝離過程,大大降低了鋅負極的循環性能和庫倫效率。

針對上述問題,研究人員進行了廣泛的研究,并提出了三維導電集流體、高濃度電解液、引入電解液添加劑和鋅負極表面的人造SEI層等策略。在人造SEI層領域,金屬有機骨架(MOF)因其良好的離子傳導、物理化學穩定性和開放的均勻孔結構,有利于均勻金屬離子通量而受到廣泛關注。

文 章 簡 介

基于此,來自哈爾濱工業大學張乃慶教授等在國際能源領域頂級期刊Energy Storage Materials上發表題為“Missing-Linker Bifunctional MIL-125(Ti)-Zn Interface Modulation Layer to Simultaneously Suppress Hydrogen Evolution Reaction and Dendrites for Zn Metal Anodes”的觀點文章。

該文章基于缺陷工程策略構建了一種缺失連接體雙功能鋅負極人工SEI膜MIL-125(Ti)-Zn。MIL-125(Ti)-Zn通過缺失連接體增加氧的電子密度,構建出富電子氧位點,同時降低了Zn2+在MIL-125(Ti)-Zn上的吸附能(Ead)以及Zn2+擴散能壘,有效調節Zn2+的擴散行為,加速Zn2+的擴散動力學,保證了Zn2+的均勻成核和高效沉積。

此外,H*在氧位點上的強吸附抑制了氫氣的析出,從而抑制了鋅金屬負極的析氫副反應。基于上述協同效應, MIL-125(Ti)-Zn@Zn負極組裝的對稱電池在1 mA cm?2電流密度下表現出超過2100小時的良好循環穩定性,庫倫效率達到99%以上。

本 文 要 點

要點一:構建缺失連接體的雙功能MIL-125(Ti)-Zn

MIL-125(Ti)-Zn是通過原位摻入Zn替代Ti,在MIL-125(Ti)的晶體結構中產生缺陷,即缺失連接體(圖1c)。差分電荷密度計算表明,在MIL-125(Ti)-Zn中可以清楚地觀察到不平衡的電荷分布,Zn和O原子之間的缺失連接體明顯地誘導了電荷轉移,提高O的電子密度,促進H*在O原子上的強烈吸附和快速的Zn2+(圖1d)。掃描電子顯微鏡(SEM)圖像顯示,MIL-125(Ti)-Zn(圖1e)完全保持了MIL-125(Ti)的形態。相應的能量色散光譜(EDS) 元素圖譜 圖像證實,MIL-125(Ti)-Zn主要在表層觀察到明顯的Zn和Ti的存在(圖1f-1i)。

64ddc3b2-3a6e-11ed-9e49-dac502259ad0.png

圖1. (a) 裸鋅金屬負極 (b) MIL-125(Ti)-Zn@Zn 金屬負極的鋅沉積過程示意圖。(c)缺失連接體的 MIL-125(Ti)-Zn 的示意圖。棕色、紅色、白色、黃色、藍色和灰色球分別代表 C、O、H、缺失連接體 H、Ti 和 Zn 原子。(d) MIL-125(Ti)-Zn 的微分電荷密度分布。(e) MIL-125(Ti)-Zn的 SEM 和 (f-i) EDS 元素映射圖像,其中Ti 元素(藍色)、Zn 元素(黃色)、C 元素(紅色)和 O 元素(綠色)。

XRD分析的結果推斷,所有的復合材料都具有良好的結晶性,并與MIL-125(Ti)相匹配。當摻入Zn后,初始和摻入的復合材料的晶格參數表現出一些差異,晶胞V輕度增加。晶格常數的變化可能是由于Ti位點被Zn取代造成的,意味著Zn的摻雜元素已經成功引入到原始相中(圖2a)。XPS分析初始MIL-125(Ti)和MIL-125(Ti)-Zn的化學狀態和表面化學成分。相應的結果和元素分布數據顯示在圖2b-d。MIL-125(Ti)-Zn中的Ti 2p3/2(459.0eV)和Ti 2p1/2 (464.8eV)的峰值與MIL-125(Ti)中的峰值相比都正移了≈0.2eV。這些偏移表明電子從Ti轉移到缺失連接體MIL-125(Ti)-Zn中的O,增加了O的電子密度。由此得出,富含電子的氧位點被成功構建。

66be85ea-3a6e-11ed-9e49-dac502259ad0.png

圖2. (a) MIL-125(Ti)-Zn 的 XRD 曲線的 Rietveld 精修,觀察到的強度(×號),計算的強度(紅線),所有可能的反射峰的位置(豎線)以及計算和觀察之間的差異強度(底部實線)。MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 的 XPS 測量光譜:(b) O 1s、(c) Ti 2p 和 (d) Zn 2p。

要點二:改性鋅沉積的表征

SEM揭示了電鍍和剝離之后,裸Zn金屬負極和MIL-125(Ti)-Zn@Zn金屬負極形貌和結構特征進行了表征(圖3a)。以1mA cm-2對裸Zn負極和MIL-125(Ti)-Zn@Zn負極進行電鍍后,在裸Zn表面形成了明顯的枝晶(圖3b),剝離后殘留的枝晶也成為潛在的安全隱患(圖3c)。然而,在MIL-125(Ti)-Zn@Zn負極的表面上,電鍍Zn金屬后,MIL-125(Ti)-Zn層的厚度保持不變,Zn層均勻地沉積在MIL-125(Ti)-Zn層下面(圖3e)。剝離后,MIL-125(Ti)-Zn層保持完整,而底部的Zn則完全沒有變化(圖3f)。鋅沉積過程后電極的EDS圖譜(圖3g-i)進一步證實了鋅的均勻沉積。

67d9e8b6-3a6e-11ed-9e49-dac502259ad0.png

圖3. SEM 照片:(a)裸鋅和(d)MIL-125(Ti)-Zn@Zn負極,(b)裸鋅和 (e)MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極在1mA cm-2下鍍覆Zn的側視圖,在(c) 裸鋅和 (f)MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極在1mA cm-2下剝離 Zn的側視圖。(g-i) MIL-125(Ti)-Zn @Zn 負極的 EDS 元素映射圖像。(j) 循環后裸鋅負極和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極的 XRD 光譜。(k) 裸鋅負極和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極的拉曼光譜。

要點三:電化學性能研究

為了探究MIL-125(Ti)-Zn層保護鋅負極的可行性,研究人員進行了一系列MIL-125(Ti)-Zn@Zn的電化學測試。與裸鋅相比,MIL-125(Ti)-Zn@Zn對稱電池的電壓分布顯示出較小的電壓波動,這表明MIL-125(Ti)-Zn層的存在使鋅的電鍍/剝離過程更加可逆,在2100h內具有約80 mV的低滯后電壓(圖4a)。

相比之下,MIL-125(Ti)@Zn對稱電池的電壓滯后在180h后增加,而裸鋅電池產生的枝晶引起的內部短路導致了電池的失效,電壓在45h后急劇下降。在5mA cm-2的電流密度下, MIL-125(Ti)-Zn@Zn對稱電池仍能穩定循環長達近700小時(圖4b)。MIL-125(Ti)-Zn@Zn對稱電池的倍率性能也顯示出穩定的電壓曲線和較低的滯后電壓(圖4c)。組裝MIL-125(Ti)@Zn-Cu電池,庫倫效率達到99%以上(圖4d),揭示了鋅電鍍/剝離的良好可逆性(圖4d-g)。

68278968-3a6e-11ed-9e49-dac502259ad0.png

圖4. (a) 基于裸鋅箔和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極的對稱電池在 1mA cm-2下的電壓曲線,容量為 1mAh cm-2。(b) 基于裸鋅箔和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極的對稱電池在 5mA cm-2下的電壓曲線,容量為 5mAh cm-2。(c) Zn 和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極在電流密度從 1 mA cm-2增加到 10 mA cm-2連續循環期間的倍率性能。(d) 裸鋅、MIL-125(Ti)-Zn 和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極在 1mA cm-2和容量為1mAh cm-2上的 Zn 電鍍/剝離的庫倫效率。在不同循環下(e)裸鋅負極、(f) MIL-125(Ti)-Zn 負極、(g) MIL-125(Ti)-Zn@Zn負極的鋅電鍍/剝離的相應電壓-容量曲線。

要點四:鋅離子傳輸擴散機制

通過DFT計算Zn2+在負極表面的擴散能壘,揭示了Zn2+的擴散機制。從初始狀態到過渡狀態,Zn2+在整個擴散過程中與O原子結合,在最終狀態下通過MIL-125(Ti)和MIL-125(Ti)-Zn的孔隙(圖5a,5b)。由于缺失連接體的形成,Zn的擴散屏障急劇下降,從而加速了擴散的動態過程(圖5c)。

計時電流(CA)曲線表明MIL-125(Ti)-Zn@Zn電極僅在30s的平面擴散后就進入了穩定的三維(3D)擴散過程,表明MIL-125(Ti)-Zn在提高擴散動力學方面優于MIL-125(Ti)和裸Zn(圖5d)。Zn2+和材料之間的吸附能Ead 被認為是對負極親鋅性的定量描述。裸鋅的Zn(001)和Zn(101)晶面的鋅吸附能都大于富電子氧上的Zn2+的吸附能,證明MIL-125(Ti)-Zn親鋅性更弱。因此,Zn2+未能在MIL-125(Ti)-Zn上成核,而是通過MIL-125(Ti)-Zn層擴散,最后沉積在Zn金屬表面(圖5e)。

6860dee8-3a6e-11ed-9e49-dac502259ad0.png

圖5. Zn2+在 (a) MIL-125(Ti) 和 (b)MIL-125(Ti)-Zn 上的擴散路徑示意圖。(Ti、Zn、C、O 和 H 原子分別以藍色、灰色、棕色、紅色和白色顯示, 插入的 Zn 原子以紫色顯示。(c)Zn (001)、MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 上Zn2+的擴散能壘圖。(d) -150 mV 下 100 s內裸 Zn、MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 上 Zn 成核的計時電流曲線。(e)Zn (001)、Zn (101)、MIL-125(Ti) 表面和 MIL-125(Ti)-Zn 表面吸附的Zn2+的吸附能 Ead。

要點五:析氫副反應的抑制

由于Zn2+的還原電位與HER的電位相近,因此比較由含Zn2+的鹽類組成的電解質的線性掃描伏安法(LSV)曲線來分析人造SEI層對HER的抑制能力不夠準確。為了避免Zn2+還原的干擾,保證電解液的導電性,我們采用了低還原電位的Na2SO4電解液進行LSV測試。在-1.3至-2.3 V的寬電壓范圍內與標準氫電極(SHE)相比,在三個負極中MIL-125(Ti)-Zn@Zn表現出最低的電流密度(圖6a)。對于裸Zn,MIL-125(Ti)-Zn層的腐蝕電位從-0.964V增加到-0.884V(圖6b)闡明了MIL-125(Ti)-Zn@Zn電極的腐蝕反應傾向最小,腐蝕程度最低。

為了進一步闡明MIL-125(Ti)@Zn抑制HER反應的機制,計算了HER中間物的吸附吉布斯自由能。根據薩巴蒂爾原理,計算出吸附H原子形成H2的吉布斯自由能ΔGH* ,是預測和評估HER表面活性的一個關鍵描述符。具體來說,吸附步驟限制了整體動力學,并決定了弱結合強度(ΔGH* > 0)下的電化學過電位,而解吸步驟的過電位在較低的結合能(ΔGH* < 0)下占優勢。越接近ΔGH* = 0 eV,HER活性越強,越有利于氫氣的析出。

相反,ΔGH* 的絕對值越大,HER活性越弱,越難析出氫氣。MIL-125(Ti)上的O的ΔGH* 值為+0.82eV(圖6c),這意味著MIL-125(Ti)與H*結合得太弱,不能穩定中間狀態,從而抑制后續的氫氣析出反應的發生。由于不同的電子特性,H*的吸附行為表明MIL-125(Ti)-Zn上的O位點對H*的吸附最強(圖6d,6e),抑制了H*的解吸和H2的釋放。從而抑制后續的氫氣析出反應的發生

同時計算了MOF的電子態密度(DOS)并研究了MOF電子結構的變化。,隨著MOF中缺失連接劑的形成,MIL-125(Ti)-Zn的電子結構發生了變化(圖6f,6g)Ti的d帶變寬,電子離域并轉移到O上,增強了對HER中間H*的吸附。從以上結果可以看出,MIL-125(Ti)中摻入Zn的缺失連接體結構的可以調節Ti和O的電子狀態,提高O的電子密度,增強對H*的吸附,獲得較高ΔGH* ,從而抑制HER副反應的發生。

68d1374c-3a6e-11ed-9e49-dac502259ad0.png

圖6. (a) 不同樣品在 2M Na2SO4水性電解質中的 LSV 曲線。對電極是 Pt,參比電極是 Ag/AgCl。(b) Zn、MIL-125(Ti)@Zn 和 MIL-125(Ti)-Zn@Zn 負極的Tafel曲線。(c) 計算得到的 Zn (001)、MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 上 HER 的氫吉布斯自由能圖。(d) MIL-125(Ti)、(e) MIL-125(Ti)-Zn 通過計算得到的 O 位點的氫吸附圖像。計算得到的 MIL-125(Ti) 和 MIL-125(Ti)-Zn 中 (f) Ti 和 (g)O 的部分態密度 (PDOS)。

研究結果證明了缺失連接體的雙功能 MIL-125(Ti)-Zn 是一種非常有吸引力的鋅負極層,它顯示出高庫侖效率,同時能夠抑制析氫反應和鋅枝晶的特性。研究者發現 MIL-125(Ti)-Zn 的優異性能是由于 MOF 骨架中缺少連接體能夠構建富電子的氧位點,從而大大降低 Zn2+的擴散勢壘,加速Zn2+擴散動力學并且有效均勻 Zn2+的通量分布。

此外,富電子氧位點增強了H*的吸附,獲得較高ΔGH*,減少了HER副反應的危害,從而提高了鋅負極的循環壽命。MIL-125(Ti)-Zn@Zn 電極組裝的對稱電池在 2100 小時內表現出出色的循環穩定性,在 1 mA cm-2時電壓滯后約為 80 mV,這些結果為開發高性能的鋅金屬負極開辟了一條新途徑,對于多功能人工保護層的開發有著重要的借鑒作用。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電解液
    +關注

    關注

    10

    文章

    848

    瀏覽量

    23094
  • 光譜
    +關注

    關注

    4

    文章

    820

    瀏覽量

    35155
  • 電池
    +關注

    關注

    84

    文章

    10564

    瀏覽量

    129497

原文標題:基于缺陷工程設計人造SEI膜抑制Zn金屬負極枝晶和析氫反應

文章出處:【微信號:Recycle-Li-Battery,微信公眾號:鋰電聯盟會長】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    ZN-IGZ06機電一化綜合實訓考核設備有哪些技術參數

    ZN-IGZ06機電一化綜合實訓考核設備是由哪些部分組成的?ZN-IGZ06機電一化綜合實訓考核設備有哪些技術參數?
    發表于 08-10 07:19

    ZN-01GJD光機電氣一化控制實訓系統裝置的構成

    ZN-01GJD光機電氣一化控制實訓系統一、實訓考核裝置的構成:ZN-01GJD光機電氣一化控制實訓系統由由鋁合金導軌式實訓臺、典型的機電一
    發表于 09-02 08:29

    什么是“人工腦連接體”?它是怎么被制造出來的?

    “人工腦連接體”是另一個新技術路徑,它不是對生物腦連接組的人工復制品或人工仿真品;而是使用深構造腦模型特有的專長——深構造網絡組裝——按照組裝規則和連接計算方法,從無到有,從小到大,從簡單到復雜,逐步地組裝出一個原生的人工腦皮層
    的頭像 發表于 03-26 13:43 ?4739次閱讀

    CD4012B-MIL CMOS 路 4 輸入與非門

    電子發燒友網為你提供TI(ti)CD4012B-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD4012B-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD4012B-
    發表于 11-02 19:24
    CD4012B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS <b class='flag-5'>雙</b>路 4 輸入與非門

    CD4072B-MIL CMOS 路 4 輸入或門

    電子發燒友網為你提供TI(ti)CD4072B-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD4072B-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD4072B-
    發表于 11-02 19:24
    CD4072B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS <b class='flag-5'>雙</b>路 4 輸入或門

    CD40192B-MIL CMOS 可預置 BCD 加/減計數器(具有重置功能時鐘)

    電子發燒友網為你提供TI(ti)CD40192B-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD40192B-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD40192B-
    發表于 11-02 19:21
    CD40192B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS 可預置 BCD 加/減計數器(具有重置<b class='flag-5'>功能</b>的<b class='flag-5'>雙</b>時鐘)

    CD4013B-MIL CMOS 路 D 類觸發器

    電子發燒友網為你提供TI(ti)CD4013B-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD4013B-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD4013B-
    發表于 11-02 19:15
    CD4013B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS <b class='flag-5'>雙</b>路 D 類觸發器

    CD4517B-MIL CMOS 路 64 級靜態移位寄存器

    電子發燒友網為你提供TI(ti)CD4517B-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD4517B-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD4517B-
    發表于 11-02 19:15
    CD4517B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS <b class='flag-5'>雙</b>路 64 級靜態移位寄存器

    CD4015B-MIL CMOS 路 4 級靜態移位寄存器

    電子發燒友網為你提供TI(ti)CD4015B-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD4015B-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD4015B-
    發表于 11-02 19:15
    CD4015B-<b class='flag-5'>MIL</b> CMOS <b class='flag-5'>雙</b>路 4 級靜態移位寄存器

    CD4007UB-MIL CMOS 路輔助對反向器

    電子發燒友網為你提供TI(TI)CD4007UB-MIL相關產品參數、數據手冊,更有CD4007UB-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,CD4007UB-
    發表于 12-07 16:14

    LMH6624-MIL 單/超低噪聲寬帶運算放大器

    電子發燒友網為你提供TI(TI)LMH6624-MIL相關產品參數、數據手冊,更有LMH6624-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,LMH6624-
    發表于 04-18 20:38

    LM1458-MIL 運算放大器

    電子發燒友網為你提供TI(TI)LM1458-MIL相關產品參數、數據手冊,更有LM1458-MIL的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,LM1458-
    發表于 04-18 20:31

    MIL-DTL-38999圓形連接器的功能性超乎想象

      多功能性已融入 38999 連接器的 DNA。MIL-DTL-38999 標準(最初為 MIL-C-38999)旨在定義一種堅固、幾乎萬無一失的 I/O 圓形壓接
    的頭像 發表于 11-02 11:10 ?2939次閱讀

    MIL-DTL-38999圓形連接器的多功能性擴展

      多功能性已融入 38999 連接器的 DNA。MIL-DTL-38999 標準(最初為 MIL-C-38999)旨在定義一種堅固、幾乎萬無一失的 I/O 圓形壓接
    的頭像 發表于 11-15 17:32 ?1509次閱讀

    天璣9400旗艦芯助力連接體驗再起飛

    MediaTek 天璣通過在通信領域持續創新,為用戶帶來可靠的網絡連接體驗。在天璣 5G 高效率 AI 模型的加持下,天璣 9400 旗艦芯整合了海量的天線阻抗大數據,能夠在 5G 網絡場景下實現
    的頭像 發表于 11-04 13:47 ?346次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 最近韩国日本免费观看mv免费版 | 强行撕开衣服捏胸黄文| 精品免费在线视频| 国精一区二区AV在线观看网站| 高h 大尺度纯肉 np快穿| 城中村快餐嫖老妇对白| avove主播| www.青青草.com| 爆操日本美女| 草莓在线观看| 高中生被C到爽哭视频免费| 动漫成人片| 国产毛片视频网站| 国产午夜永久福利视频在线观看| 国产精品亚洲AV色欲在线观看| 国产精品久久久久久久久爆乳| 国产精品A久久久久久久久| 国产精品美女WWW爽爽爽视频| 国产欧美另类久久久品| 国产呦精品一区二区三区网站| 韩国和日本免费不卡在线| 狠狠色狠色综合曰曰| 久久婷婷电影网| 男人J桶进男人屁股过程| 青青草原国产在线| 四虎国产精品高清在线观看| 天天夜夜草草久久亚洲香蕉| 精品亚洲大全| 尤蜜网站在线进入免费| 暖暖 免费 日本 高清 在线1| 美女脱衣服搞鸡| WWW国产亚洲精品久久久日本| 色偷偷7777www| 国自产精品手机在线视频| 4480YY无码午夜私人影院| 女人高潮时一吸一夹| 国产精品嫩草免费视频| 亚洲欧美成人综合| 毛茸茸womansex| 精品爽爽久久久久久蜜臀| ZZoo兽2皇|