ME6403是一款超低壓差、3A輸出可調的線性穩壓器。

典型應用圖如下：

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ME6403主要性能

超低壓差

230mV@ IOUT=3A

常規LDO一般采用PMOS作為功率管，壓差受到PMOS特性影響。而NMOS管作為功率MOS性能優于PMOS；ME6403采用NMOS功率MOS，極大程度降低了最小壓差，提高整體工作性能。

為配合NMOS特性，ME6403采用雙電源供電。一個電源是VCNTL，為內部電路供電，另一個是主電源VIN,用作輸出轉換來源。雙電源架構在保證芯片穩定工作的同時，實現超低壓差，從而大大降低電源損耗，使得ME6403的最大帶載達到3A。

下圖是不同溫度下芯片的最低工作電壓：

高精度輸出

0.8V基準

（全電壓、全負載范圍±1.5%）

ME6403可通過調整R1、R2電阻的比例來調整輸出電壓。最低輸出電壓為0.8V，輸出電壓可調范圍為0.8V~VIN-VDROP。

芯片不僅在壓差上實現了超低壓差，在負載調整率上也表現優異，IOUT=0~3A，基準電壓變化在1mV以內，最大不超過2mV。

下圖是當VIN=1.8V，VCNTL=5.0V，VOUT=1.2V時，輸出電壓隨負載變化的曲線圖：

快速負載響應

輸出電壓上沖56mV,

下沖42mV@IOUT=300mA~3A

測試條件：

Ta=25℃，VCNLT=5.0V,VIN=1.8V, VOUT=1.2V, R1=12k, R2=24k,CFB=47pF, CIN=10μF(陶瓷), COUT=10μF(陶瓷)

如圖所示，ME6403具有極強的快速負載瞬態響應特點。從300mA到3A的負載切換，只需要約50μS左右的時間就可恢復輸出電壓的穩定狀態，而且在切換過程中的下沖和上沖電壓的幅度僅有50mV左右，不會影響負載的正常工作。特別適用于對負載響應要求嚴苛的應用場合。

PSRR

75dB@1kHzVIN電源抑制比

PSRR描述的是LDO抑制輸入噪生的能力，ME6403無需使用龐大的輸出濾波電容(輸出電容僅需10uF),也可提供優異的電源抑制比

VIN=1.8V ,VCNLT=5V，COUT=10uF，無輸入電容。Io=10mA時的電源抑制比如下表：

VIN電源抑制比

VCNTL電源抑制比

Power-OK（POK）

啟動關斷閾值和延遲時間

POK引腳具有輸出狀態指示功能，方便配合靈活的系統設計。此引腳通過檢測FB電壓來指示輸出狀態。當輸出電壓低于額定電壓時，則POK電壓會被拉低。

當VFB電壓從低到高上升達到POK的啟動閾值（記為VTHPOK）時，POK輸出高電平，此時POK輸出電壓值與VCNTL的電壓值接近，當VFB實際電壓值從高到底，低于關斷閾值（記為VTLPOK），POK電壓會被拉低。

VTHPOK的范圍為VFB實測值的90-94％，POK的關斷遲滯約為8％。

延遲時間：

POK指示輸出電壓狀態，從VFB達到VTHPOK到POK值上升，內部設置了約2ms的延遲時間。芯片也可通過POK延遲來控制其他轉換器的工作順序。

ME6403應用場景

ME6403內置上電復位，檢測VIN和VCNTL引腳上的電源電壓，以防止錯誤操作，提供穩定的輸出電壓，具備快速負載響應，而且提供Power-OK 輸出功能，方便系統設計，其內部具有完整的系統保護功能包括軟啟動 (Soft-Start) 、欠壓鎖定(UVLO) 、短路保護(SCP) 、過溫保護(OTP)及過電流保護(OCP)功能而無需使用外部多余組件，使電路設計得到了極大的簡化。

ME6403提供ESOP8封裝和DFN3*3-10封裝，有散熱盤，可以增加散熱，從而擴展應用的功率范圍。因此ME6403非常適用于新式和較大電流的系統，常應用于DDR前端供電、筆記本電腦供電、主板供電等。