ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET基準(zhǔn)電壓源具有超低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。
利用ADI公司的溫度漂移曲率校正專利技術(shù)和XFET(外加離子注入場效應(yīng)管)技術(shù),可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。
XFET基準(zhǔn)電壓源的噪聲性能優(yōu)于嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源,且所需的電源電壓裕量較小(500 mV)。
這種特性組合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列適合高端數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、光學(xué)網(wǎng)絡(luò)和醫(yī)療應(yīng)用中的精密信號轉(zhuǎn)換。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列的拉電流輸出最高達(dá)10 mA,灌電流能力最大為-5 mA。
它還具有調(diào)整引腳,可以在0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓,而性能則不受影響。
ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列采用8引腳MSOP和窄體SOIC封裝,提供兩種電氣等級。
所有型號產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:ADR444BRZ
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