在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。 其中，RIE也是微電子制造中常見的工藝。深反應離子刻蝕（DRIE）又稱為電感耦合等離子體（Inductively Coupled Plasma，ICP）刻蝕，是一種高度各向異性干法刻蝕（Anisotropic Etch）工藝。DRIE使用刻蝕與鈍化交替進行的Bosch工藝，解決了RIE中無法得到高深寬比結構或陡直壁的問題。DRIE使用兩個射頻源，其中線圈射頻源（Coil RF）用于產生等離子體，平板射頻源（Platen RF）用于產生偏壓。這種分離的射頻源可以分別調整RIE刻蝕中射頻功率與等離子體濃度。DRIE技術大大推進了MEMS技術的發展，目前主要的DRIE設備供應商為英國的STS和法國的Alcatel。

深冷處理工藝 （Cryogenic Process）和 Bosch 工 藝（Bosch Process）是實現DRIE 的兩種主要方式，其中，Bosch工藝為德國 Robert Bosch GmbH公司的技術專利。

DRIE 工藝存在的問題包括滯后 （RIE Lag）效應、側璧底部掏蝕現象（Charging）和鋸齒形側壁（Sealloping）現象等。滯后效應是指刻蝕速率和開口窗口的大小有關，分為正效應（大的窗口刻蝕速率較快）和反效應（小的窗口刻蝕速率較快）兩種；側壁底部掏蝕現象導致深腔的底部出現側向掏蝕：鋸齒形側壁現象，等比例地調節刻蝕時間和鈍化時間，同時保持二者比例不變，可以減小鋸齒形側壁現象。

XeF2刻蝕是一種各向同性刻蝕。在室溫下，當壓強小于 100mTorr （1Torr=133.3224Pa） 時，XeF2從固態變為氣態，XeF2氣體可以在室溫下與硅發生反應，且刻蝕速率可達到每個進氣周期20-50um。此外，XeF2對掩模材料具有很好的選擇比，如二氧化硅、氮化硅、鋁和光刻膠均可作為掩模材料。但 XeF2刻蝕深度不易控制，且刻蝕反應物中含有HF氣體，需要進行嚴格的尾氣處理。