手持式電子產品PCB的設計趨勢 --- 小，還要更小

因物聯網為日常生活所帶來的便捷，為使電子產品的使用及攜帶上更為便利，各產品設計工程師亦持續(xù)挑戰(zhàn)在更小的PCB空間與更高的電子電路集成度之下完成更完備的產品功能。如日常生活常見的手機、智能穿戴裝置、無線耳機、電子煙，甚至是未來備受矚目的AR眼鏡，皆以使用0201小封裝的元件作為電子線路設計的主流，甚至是更高集成度的System-in-Package (SiP)應用亦已屬常見。

Battery Power Rail的ESD/Surge防護需求

每當用戶將電子產品Power on時，Power Rail上時常會出現Power Spike。抑或如使用者拆裝電池時，也會使電子產品的Battery Power Rail暴露在外在靜電干擾甚至被破壞的風險之中，因此各產品研發(fā)工程師在設計自家產品時，皆會針對此種突波(ESD、Surge Spike)做妥防護設計以提升產品可靠度。并且于產品工程階段時進行IEC61000-4-2靜電防護驗證以及IEC61000-4-5EOS測試，以嚴苛的突波仿真結果來確保產品本身能適應用戶所身處的各種環(huán)境。

圖一：Power Switch-on時遭遇Surge Spike案例

針對不同國家的氣候環(huán)境，電子業(yè)界面臨的挑戰(zhàn)

為使電子產品銷售到不同的國家能適應當地氣候條件，各品牌廠皆會以較嚴苛的測試條件來模擬使用者身處環(huán)境所可能遭遇的突波類型。常見的如手機產品于設計時多會考慮要銷售至氣候較干燥或是電力電源較為不穩(wěn)定的環(huán)境，因此在設計驗證階段時多會針對Battery Power Rail及USB Charger VBUS 進行較為嚴苛的IEC61000-4-5EOS測試，以預防產品在環(huán)境較嚴苛的區(qū)域引起較高的不良返修。為通過High Level IEC61000-4-5EOS測試，產品設計工程師常會挑選TVS置于Battery Power Rail及USB Charger VBUS處，使得ESD及Surge Spike由外部進來時即被TVS所擋下。然而，因手持式電子產品受局限的PCB面積，市面上小封裝TVS元件因受Die Size的局限往往無法承受高浪涌電流。這也使產品設計工程師必須考慮挑選更大封裝的TVS元件以通過嚴苛的EOS測試，即必須在產品PCB面積大小及ESD/Surge高耐受度之間做取舍。如何能同時符合占用少PCB面積及高ESD/Surge耐受度，時常成為工程師于產品設計時的難題。

ESD/Surge Protection Device for Battery Power Rail --- Design Scenario

理想的TVS for Battery Power Rail不僅要具備高浪涌耐受電流，為達到更低功耗(Power Consumption)以提供電子產品更高的電池續(xù)航力，Leakage Current (逆向漏電流)亦是重要的指標參數。而除了TVS自身的耐受度以及漏電流之外，對于TVS而言最重要的參數仍屬于箝制電壓(Clamping Voltage)。為了確保TVS發(fā)揮良好的保護能力，選擇TVS時仍應最先保證箝制電壓要夠低，如此一來即可避免TVS在未受損的狀況下，受保護的主芯片于靜電沖擊的當下仍遭損毀的情況發(fā)生， 失去了添加ESD防護元件的目的。

許多工程師在挑選Battery Power Rail的TVS元件時，為預防各電池電壓不穩(wěn)定所帶來TVS誤導通的風險，會選擇更高VRWM 的TVS以預留電壓余裕。但是更高VRWM的方案即代表更高VBD (崩潰電壓)及Vclamp(箝制電壓)的表現，在規(guī)格設計上如何同時具備操作電壓余裕及良好的TVS箝制電壓，亦常常使工程師陷入兩難。

最后則是TVS的方向性，因Battery Power Rail上為直流電壓，理想上會選擇單向TVS即能帶來更快的負向導通速度及更好的負向箝制電壓。然而，早期電子產品于產線大量生產時偶然會遭遇0201小封裝元件SMT上件貼反的困擾，而迫使工程師于設計時妥協采用雙向TVS以避免該風險。也因為此發(fā)展趨勢，目前市面上0201小封裝TVS元件仍以雙向元件主導市場。而近年小封裝元件漸成市場主流，以及如0201小封裝Schottky Diode需求的迫使之下，SMT量產技術日漸成熟，在PCB板上的方向性記號以及IC卷帶與IC單體Marking標示的多重輔助之下，漸漸已克服小封裝組件于SMT方向性的困擾。許多工程師在選擇TVS for Battery Power Rail時，即便是0201小封裝，仍堅持采用單向組件以提供最佳的保護效果。

圖二：單向TVS的優(yōu)勢 --- Optimized Negative Clamping Voltage

茲整理ESD/Surge Protection Device for Battery Power Rail設計重點如下：

Amazing Optimized ESD Protection Solution for Battery Power Rail ---AZ5A16-01M

綜合上述，晶焱科技為Battery Power Rail應用設計開發(fā)合適的TVS Solution --- AZ5A16-01M，規(guī)格簡介如下：

?Package: MCSP0603P2Y (0201)

?Directivity: Uni-Directional

?Reverse Stand-off Voltage: 6V

?ESD Clamping Voltage at 8kV: 9V

?System Level ESD Robustness (IEC61000-4-2): 30kV

?Surge Ipp (8/20μs): 20A

?Reverse Leakage Current: < 100nA ??

AZ5A16-01M不僅可提供4.5V、5V等Battery Power Rail良好的電壓余裕，同時更具備低逆向漏電特性以提供產品具備更佳的電池續(xù)航能力。而在享有此兩點優(yōu)勢的同時，雖然具備較高的VRWM特性，卻仍未在箝制電壓特性上有所犧牲。AZ5A16-01M與目前市面上0201單向5V – 6V TVS產品相比仍具備更低的箝制電壓以提供最佳的保護效果，其單向特性更確保擁有優(yōu)化的負向保護效果。

圖三：AZ5A16-01M TLP Diagram --- ESD Clamping Voltage

圖四：AZ5A16-01M Surge Clamping Voltage

為提供小型手持式裝置更彈性的PCB空間規(guī)劃，AZ5A16-01M采用MCSP0603P2Y小封裝設計，并且為確保產品Battery Power Rail能通過高規(guī)格IEC61000-4-5EOS測試，AZ5A16-01M更具備業(yè)界最高等級Surge Robustness高達20A (8/20μs)。此規(guī)格能幫助工程師于設計時滿足小封裝及高Surge耐受能力，同時擺脫小PCB空間及高Surge耐受之間的Trade-off煩惱。

圖五：AZ5A16-01M Package & Pin Configuration

最后，AZ5A16-01M采用MCSP特殊封裝設計，雖與傳統(tǒng)CSP封裝同屬Wafer-level Package，MCSP封裝則更具備六面Coating層保護以提供更強的封裝結構以及SMT上板推力能力，使AZ5A16-01M能在具備小封裝優(yōu)勢的同時仍能滿足品牌廠嚴格的SMT Push Strength Test測試規(guī)格。

圖六：MCSP封裝結構

由于AZ5A16-01M針對Battery Power Rail所需的各項規(guī)格而量身訂作的特殊設計，能提供市場上愈來越多的IoT穿戴式產品更強的系統(tǒng)級ESD耐受能力，以及避免產品遭受EOS破壞而導致的不良返修，并同時能兼顧良好的電池續(xù)航力與Compact Device之PCB設計需求，借此解決產品設計工程師們于設計時可能遇到的兩難處境，加快產品導入市場的時程。

審核編輯 黃昊宇