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榮湃半橋驅動芯片具備哪些出色性能表現

榮湃半導體 ? 來源:榮湃半導體 ? 作者:榮湃半導體 ? 2022-10-11 09:49 ? 次閱讀

榮湃Pai8131/Pai8171有別于傳統半橋驅動芯片,采用了電平轉換器Level Shifter,實現輸入側到半橋高側驅動的控制信號傳輸。

榮湃半橋驅動芯片具備哪些出色性能表現?本期「技術課堂」榮湃資深技術將作詳細解析

榮湃半橋驅動芯片Pai8131/Pai8171是基于榮湃iDivider隔離技術實現的高側700V耐壓的半橋驅動芯片。因為采用隔離技術實現信號傳輸,高側承受電壓由隔離柵設計決定,可以輕松實現非常高的耐壓。

以Pai8131/Pai8171為例,雖然由于爬電距離標稱高側耐壓為700V,但實測高側承受電壓在2000V以上。

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得益于隔離技術重要參數指標之一,CMTI共模瞬態抗擾度,Pai8131/Pai8171 VS引腳瞬變電壓抗擾度高達100V/ns,非常適合高頻、高壓、高可靠性的各類橋臂驅動應用場景。

VS引腳產生震蕩和負壓的原因是當上管關閉時,由于負載呈感性,電流不能突變,電流便會從GND通過下管MOS的體二極管進行續流。在真實電路PCB布線中,該電流路徑上會存在寄生電感,續流電流通過路徑中的寄生電感,會在VS上產生負壓。

電壓大小與寄生電感、電流的變化速率成正比。如果負載電流越大,開關頻率越高,即di/dt 越大;同時電路中寄生電感越大,則VS引腳產生的震蕩和負壓就會越大,就會越容易損壞驅動芯片。

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此外,開關頻率越大,開通速度越快,VS引腳產生的dv/dt,即電壓變化速率越大。如果選擇的半橋驅動芯片VS引腳dv/dt 抗干擾能力不足,便會導致驅動芯片內部邏輯錯誤,可能會使得驅動器的高側和低側同時輸出高電平。上下管同時打開,造成短路,燒壞上下橋功率管。

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榮湃將隔離技術方案應用于Pai8131/Pai8171半橋驅動芯片中,很好地解決了上述問題。內置了典型值520ns的死區時間,dv/dt抗干擾能力超過100V/ns,VS引腳能承受700V直流高壓,非常適合高頻、高壓、高可靠性的各類橋臂驅動應用場景。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

原文標題:優勢再造!「榮湃半橋驅動芯片」性能彰顯

文章出處:【微信號:gh_fb935efbb3e1,微信公眾號:榮湃半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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