關于FlexSPI外設的lookupTable，之前寫過一篇非常詳細的文章 《從頭開始認識i.MX RT啟動頭FDCB里的lookupTable》，這篇文章幾乎可以幫助解決所有串行QuadSPI NOR Flash（四線） 以及Octal Flash（八線）的讀時序配置問題，因為這些Flash都只用單一行地址（Row Addr）來尋址。

但是市面上也有一些特殊的存儲器（比如八線HyperBus Flash/RAM，OctalRAM等）采用了行列混合尋址方式，對于這類存儲器，我們在FlexSPI里配置讀時序，尤其是讀時序里的地址序列參數值時需要稍微注意一下，今天就來聊聊這個話題：

一、FlexSPI外設關于行列地址
Memory支持

先來看FlexSPI外設是如何支持行列混合尋址存儲器的。

在FLSHxxCR1寄存器里有CAS控制位，這里配置的即是存儲器列地址（Column Addr）位寬。對于不支持列地址的存儲器，CAS需要設置為0；如果存儲器支持列地址，那么CAS需要根據存儲器實際情況來設置。

如果FLSHxxCR1[CAS]位不為0，那么FlexSPI外設在傳輸時序里會拆分實際映射Flash Address（即存儲器自身偏移地址）為行地址FA[31:CAS]和列地址[CAS-1:0]來分別傳輸。

在最終lookupTable里我們可以用這樣的時序配置來實現存儲器的讀訪問，這里RADDR_DDR子序列即傳輸行地址，CADDR_DDR子序列即傳輸列地址（注：如下示例是在FLSHxxCR1[CAS] = 3的設置下）。

看到這里，似乎已經把FlexSPI對于行列地址Memory的支持講完了。

但是我相信你還是會有疑問，上面序列表里RADDR_DDR和CADDR_DDR具體參數值設置似乎沒有講清楚，為什么行列地址加起來位寬是0x18 + 0x10一共40bit（一般 Memory行列地址總位寬也就32 bit）？并且明明CAS值只是 3，為何CADDR_DDR 里設成0x10也行？

是的，這里需要再詳細展開!

首先我們要明白一點，因為FlexSPI連接的是八線Memory，在實際總線上行、列地址傳輸位一定都是8bits的整數倍，如果RADDR/CADDR_DDR參數值設置得不是8bits的整數倍，不足8bits的部分，FlexSPI會自動在低位插入相應保留位（即下圖低保留bits，這些保留位的值是什么不確定，對FlexSPI來說也不在乎），然后在 RADDR/CADDR_DDR設置的參數值范圍內，如果對應Memory實際行、列地址位寬小于參數值，超出實際行、列地址的部分會被FlexSPI自動填入0值（即下圖高亮填充bits）。

二、常見行列混合地址Memory
讀配置實例

大部分 HyperBus Flash/RAM 在行、列地址設計上是一樣的，這里羅列了市面上常見的型號如下，我們就以MIMXRT1050-EVKB板卡上那顆S26KS512為例來介紹。

ISSI的IS26KSxxx系列HyperFlash

ISSI的IS66/67WVH系列HyperRAM

Cypress/Infineon的S26KSxxx系列HyperFlash

Cypress/Infineon的S80KSxxx系列HyperRAM

Winbond的W957D8、W959D8系列HyperRAM

我們在S26KS512手冊里可以找到如下讀時序圖，主要關注時序最前面48bits的Command-Address序列，在手冊Command / Address Bit Assignments表里有這48bits的詳細定義，其中CA[37:16] 是行地址與高位列地址，CA[2:0] 是低位列地址。

再來看 SDK_2_12_0_EVKB-IMXRT1050oardsevkbimxrt1050driver_examplesflexspihyper_flashpolling_transfer 例程里的如下lookupTable，RADDR_DDR參數值是0x18，CADDR_DDR參數值是0x10，根據上一節的分析，RADDR_DDR里的高2bits會被FlexSPI設為0（RADDR[21:0]用于傳輸CA[37:16]）。

因為CAS = 3，所以CADDR_DDR里的高13bits也會被FlexSPI設為0（CADDR[2:0]用于傳輸CA[2:0]），這是符合S26KS512手冊時序定義的。

flexspi_device_config_t deviceconfig = {
    .columnspace          = 3,
    .enableWordAddress    = true,
};

const uint32_t customLUT[CUSTOM_LUT_LENGTH] = {
    /* Read Data */
    [0] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_DDR,       kFLEXSPI_8PAD, 0xA0, kFLEXSPI_Command_RADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x18),
    [1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_CADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x10, kFLEXSPI_Command_READ_DDR,  kFLEXSPI_8PAD, 0x04),
};

三、特殊行列混合地址Memory
讀配置實例

最近我們在支持客戶的過程中也發現了一些Memory有著不一樣的行、列地址設計，比如如下這顆IS66WVO OctalRAM。從手冊里找到其Command / Address bit assignment表里48bits的定義。與上一節HyperBus Flash/RAM不一樣的是，其高位列地址并不是在8bits對齊處出現的。

1. ISSI出品的IS66/67WVO系列OctalRAM

對于IS66WVO這樣的行、列地址設計，我們在lookupTable里該如何填入RADDR/CADDR_DDR參數值呢？首先CAS設為4，CADDR_DDR設為0x08可以解決CA[3:0]傳輸問題。

現在的重點是RADDR_DDR參數值，總共24bits傳輸位，低位還需要留2個保留位，所以RADDR_DDR僅能被設為0x16（RADDR[20:2]用于傳輸RA[12:0] + CA[9:4]），即如下面代碼：

flexspi_device_config_t deviceconfig = {
    .columnspace          = 4,
    .enableWordAddress    = false,
};

const uint32_t customLUT[CUSTOM_LUT_LENGTH] = {
    /* Read Data with continuous burst Sequence in DDR command mode */
    [0] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_DDR,       kFLEXSPI_8PAD, 0xA0, kFLEXSPI_Command_DDR,       kFLEXSPI_8PAD, 0x00),
    [1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_RADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x16, kFLEXSPI_Command_CADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x08),
    [2] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_DUMMY_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x1E, kFLEXSPI_Command_READ_DDR,  kFLEXSPI_8PAD, 0x04),
};