HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA),通過可選偏置控制實現自偏置,以降低IDQ。
HMC902LP3E采用無引腳3 mm × 3 mm塑料表貼封裝。
該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz,提供19.5 dB的小信號增益,1.8 dB的噪聲系數,28 dBm的輸出IP3,采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。
16 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。
HMC902LP3E還具有隔直輸入/輸出,內部匹配50 Ω,因而非常適合高容量微波無線電和C頻段甚小孔徑終端(VSAT)應用。
應用
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原文標題:HMC902LP3E低噪聲放大器,采用SMT封裝,5 - 10 GHz
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