VMXXX 模塊有多個(gè)電源接口,分別為: 寬電壓電源輸入( VIN)、內(nèi)核電源( VDD)、 參考電壓源( VREF)、 振弦傳感器激勵(lì)電源( VSEN), 各電源共用 GND。
VM系列振弦采集模塊電源針腳
電源輸入( VIN): 寬電壓 VIN 管腳為模塊供電( DC5~15V),推薦電壓為 6.0V~10.0V, VIN 可產(chǎn)生內(nèi)核電源 VDD, 當(dāng)使用 VIN 管腳為模塊供電時(shí), VDD 管腳為輸出,輸出能力為 200mA, 盡量不要使用 VDD 輸出過(guò)大電流,以免影響模塊內(nèi)核的正常工作。
內(nèi)核電源( VDD): 可由 VIN 產(chǎn)生,當(dāng)不使用 VIN 時(shí),此管腳作為電源輸入, 需要外接 DC3.3V電源。 模塊工作時(shí)峰值電流約為 100mA,建議使用輸出能力 200mA 或以上的電壓源。 VMXXX 模塊
內(nèi)部有電壓校準(zhǔn)機(jī)制,對(duì) VDD 電壓值無(wú)嚴(yán)格要求。
參考電壓( VREF): 此管腳為輸入,應(yīng)直接連接到 VDD(無(wú)需精準(zhǔn)的參考電壓源)。
激勵(lì)電源( VSEN): VSEN 為傳感器激勵(lì)過(guò)程提供電能,當(dāng)采用高壓激勵(lì)方法時(shí), VSEN 作為泵壓源, 一般情況下 VSEN 電壓越高則可獲取的激勵(lì)電壓也越高; 當(dāng)采用低壓掃頻激勵(lì)方法時(shí),VSEN電壓即是掃頻電壓。 建議采用200mA 或以上的電壓源為VSEN供電,供電電壓推薦為DC8V~12V。
注意: VMx1x 模塊時(shí), VSEN 可選擇是否在內(nèi)部連接于 VIN,請(qǐng)?jiān)诖_認(rèn)后再使用 VSEN。請(qǐng)?zhí)貏e注意電源的設(shè)計(jì)。 振弦傳感器返回信號(hào)為微弱的正弦波, 為減少電源紋波對(duì)傳感器信號(hào)的影響,建議所有電源均使用紋波較小的 LDO 穩(wěn)壓器。 當(dāng)使用交流電轉(zhuǎn)直流的供電方式時(shí),模塊地線( GND)一定要可靠接地(大地), 某些低端的交流轉(zhuǎn)直流適配器會(huì)將交流干擾引入,嚴(yán)重影響模塊信號(hào)處理質(zhì)量,甚至完全無(wú)法使用。
建議靠近電源管腳( VDD 尤其重要) 使用一個(gè) 10μF 鉭電容(低 ESR)和一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。增加并聯(lián)的電容可以有效去除高頻干擾。同時(shí)為防止浪涌對(duì)芯片的損壞,建議在模塊電源輸入管腳使用一個(gè)適合電壓的 500mW 的齊納二極管防止模塊的超壓損壞。 PCB 布局時(shí),電容和二極管應(yīng)盡可能靠近模塊的電源輸入管腳。
電源連接示意:
VM系列振弦采集模塊電源連接示意
參數(shù)復(fù)位管腳
RST 管腳為雙向管腳, 在不同運(yùn)行階段具有不同功能:
上電啟動(dòng)時(shí) RST 管腳為輸入,當(dāng)檢測(cè)到管腳為低電平時(shí)復(fù)位參數(shù)為出廠值。詳見(jiàn)“3.3 恢復(fù)出廠參數(shù)” 。在啟動(dòng)完成后此管腳為 IIC-SDA 功能。VMx0x 模塊的 RST 管腳未連接上拉電阻,為了防止上電時(shí)參數(shù)復(fù)位,外部必須連接2k~4.7k 上拉電阻,其它型號(hào)模塊此管腳已內(nèi)置了 4.7k 上拉電阻。
審核編輯 黃昊宇
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