電子發燒友網報道(文/莫婷婷)近年來,由于消費級、工業級以及汽車等終端市場的需求變動,影響了閃存行業的供需變化。在技術上,閃存朝著更加先進的工藝迭代,先進的工藝能夠帶來更具性價比、更高容量的產品,由此提升閃存芯片廠商的競爭力。未來,面對下游市場的變化,閃存產業會出現哪些變化,具備哪些優勢的產品會給閃存芯片廠商帶來的新的發展機會?
消費級市場需求疲軟,服務器成為閃存市場增長大頭
在全球閃存市場中,當前主要是美光、三星等國際頭部廠商引領技術發展,并且占據行業大部分市場份額。集邦咨詢資深分析師敖國鋒分享了目前各家原廠閃存技術的發展情況,在3D NAND技術方面,廠商中主力制程最為先進的還是美光科技,從去年第三季度開始,美光科技就慢慢轉進176 層閃存技術的生產。今年1月美光科技就已批量出貨全球首款176層QLC NAND固態硬盤(SSD)。據了解,美光176層QLC NAND在存儲密度與優化性能上具有較大優勢,適用于各類數據密集型應用。
此外,三星和SK 海力士在今年下半年開始也逐漸生產176 層閃存的產品。不過與美光科技相比,這兩家廠商的176層閃存技術主要還是會應用在消費級產品中。鎧俠在今年的主要制程還是以112層。在國內方面,目前已有國內廠商的主力制程進入128層閃存技術的產品生產階段。
集邦咨詢資深分析師敖國鋒認為,在2023年,將會有更多的廠商推進下一代制程,例如三星、SK海力士慢慢轉進200層閃存技術的生產。而美光科技已經在今年第三季度發布了全球首個232層的TLC閃存,美光技術和產品執行副總裁 Scott DeBoer對此表示,232層閃存是存儲芯片創新的分水嶺,因為這證明了3D閃存擁有擴展到200層以上的能力。相對來說,美光科技的進展更為快速,Solidigm和鎧俠則會分別進入192層、162層閃存技術的生產。
隨著技術的發展和市場的拓展,頭部廠商在全球市場中的市場份額不斷擴大,集邦咨詢數據顯示,預計到2024年,原廠閃存產出的市占率排名前四的分別是三星、鎧俠/WDC、SK 海力士/Solidigm、美光科技,占比分別為34.2%、27.6%、19.7%、10.6%。
那么,未來是哪些終端市場需求的增長帶動原廠出貨量的提升呢?
在服務器、智能手機、筆記本三大終端應用中,智能手機、筆記本所在的消費級市場依舊會處于需求疲軟的狀態,兩大終端市場閃存的需求占比從2022年的31.7%、26.3%,分別下降至2023年的29.7%、23.4%。反而是服務器市場,在明年會保持5%左右的增長,支撐著內存芯片市場的增長。不難預測,服務器市場閃存需求量也會不斷上升,集邦咨詢預計,服務器市場閃存需求占比會從2022年的23%上升至25.7%。
在平均容量方面,單個服務器的平均容量將由2022年的3400GB上升至2023年的4200GB。這也是越來越多原廠更加專注于企業固態硬盤領域的原因。集邦咨詢的數據顯示,2022年,服務器設備的平均容量增長將達到44.1%,作為對比,PC和智能手機的增長僅為12.9%和13.4%。可見服務器市場發展的速度。
技術迭代、提前布局,國內上下游企業沖擊服務器、汽車更高階市場
盡管筆記本、智能手機等消費電子市場需求下滑,但是在三大終端應用中,依舊是占據一半以上的市場份額,這部分市場是當下國內閃存芯片廠商的主要方向。而服務器,還有汽車會是接下來“進軍”的更高階市場。
當下,國內閃存芯片廠商與國際頭部廠商還存在差距,但隨著國內企業對先進工藝的研發投入,國內已有原廠在閃存市場取得較大的成績。兆易創新的閃存芯片主要為NOR Flash、NAND Flash。今年5月30日,兆易創新官方宣布,旗下Flash閃存產品累計出貨量已經超過190億顆。IC Insights的數據顯示,2021年,在全球NOR Flash市場份額中,兆易創新排名前三,占據23.2%的市場份額,排名第一、第二的是華邦電子、旺宏。
目前,兆易創新的SPI NOR Flash全部產品線都已過渡到55nm新工藝。值得一提的是,兆易創新是業內第一家將SPI NAND Flash推向世界而且量產的廠商。得益于PC、筆記本、服務器終端市場的增長,兆易創新2021年實現營收85.10億元,同比增長了89.25%;實現歸母凈利潤23.37億元,同比增長了165.33%。今年上半年營收47.81 億元,同比增長31.32%;歸母凈利潤為 15.27 億元,同比增長94.34%。由此預測,兆易創新今年的業績有望超過去年,實現一定幅度的增長。
在消費市場需求放緩時,NOR Flash市場的增長離不開智能汽車。兆易創新的車規NOR Flash 業務收入也呈現高速增長,并且導入國際頭部 Tier1 客戶。
東芯半導體在2021年12月正式在科創板上市。其IPO信息顯示,公司計劃募資7.5億元加強閃存業務發展,其中1.7億元用于車規級閃存產品的研發。若車規級閃存產品打開市場,這將為其帶來了新的競爭力,有望在服務器、5G基站等大容量存儲、高可靠性的應用領域擴大市場份額。
在工藝方面,2D NAND目前最先進工藝的是14nm,代表廠商是三星、SK海力士等國際廠商。在國內,多家廠商正在嘗試從38nm、24nm,再到20nm以下先進工藝迭代。在上市前,東芯半導體的募資計劃中,擬用募集資金額中的2.3億元用于1xnm 閃存產品研發及產業化項目。當下,東芯半導體在19nm工藝上已經取得進展。
消費電子市場之外,在數據中心基礎設施建設的加速下,服務器行業高度景氣,成為接下來兩年內的增長主力。在服務器市場,不得不提到的產業鏈玩家是浪潮信息。浪潮信息現已成為服務器領域的知名大數據服務商。
閃存作為基礎設施建設的重要媒介,浪潮信息存儲產品線副總經理李博樂提到,閃存在基礎設施建設上面臨著性能和使用成本的挑戰。在性能上,隨著SCM等新興存儲的出現,存儲性能的瓶頸逐漸由介質轉為軟件系統和處理器;同時,在使用成本上,閃存價格需要不斷地下降。
為了解決數據基礎設施在閃存方面的問題,浪潮信息打造全閃軟件棧,并且推出了集中式存儲平臺、分布式存儲平臺、備份存儲平臺、歸檔存儲平臺。四大存儲平臺可以獨立或者組合承擔一個完整的數據基礎設施。結合閃存技術的加持,能為數據基礎設施可以提供安全、可靠、經濟、高效的價值。
盡管在更高容量、更先進工藝的產品方面,國內廠商不敵國際龍頭企業,但國內閃存行業上下游企業在各自擅長的領域不斷深耕,在原有經驗的積累下,開拓新的市場。未來,新興領域將拉動閃存產業持續發展,閃存芯片企業迎來更加廣闊的成長空間。
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原文標題:服務器支撐閃存芯片市場增長,上下游企業加速布局基礎設施、汽車新興領域
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