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MOS管和IGBT區別,一看就懂

jf_10471008 ? 來源:jf_10471008 ? 作者:jf_10471008 ? 2022-10-21 13:25 ? 次閱讀

MOS管即MOSFET,又叫絕緣柵場效應管,是場效應管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT的電路符號至今并未統一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號,這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。

這是MOS管和IGBT管的內部結構:

poYBAGNSLVOAIz6wAAChTmuZcCk837.png

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。

另外,MOS管和IGBT的選擇可以參考以下幾點:

MOS IBGT

切換功率大于100KHz 切換功率低于25KHz

輸入電壓低于250V 輸入電壓高于1000V

較小的輸出功率的場合 較大輸出功率的場合

電流變化較小的負載

總的來說,MOSFET優點是高頻特性好,工作頻率高,缺點是導通電阻大,在高壓大電流場合功耗較大;IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越,其導通電阻小,耐壓高。

審核編輯:湯梓紅


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