最近在支持一個i.MX RT1170歐美客戶,客戶項目里選用了來自Micron的四線NOR Flash - MT25QL256ABA8E12-0AAT作為啟動設備,一般讀寫倒是沒有問題,但是在 Segger J-Flash下燒寫遇到了特定區(qū)域內(nèi)校驗失敗的問題。
從本人過往豐富的Flash支持經(jīng)驗來看,亞太區(qū)客戶一般選用ISSI(芯成)/Winbond(華邦)/MXIC(旺宏)/GigaDevices(兆易創(chuàng)新) 的Flash比較多,個人對這些廠商Flash可以說是門清了。這個歐美客戶選用的是不太熟的Micron(鎂光)產(chǎn)品,借著這個問題,正好帶大家一起稍微深入地了解下Micron Flash產(chǎn)品。
一、引出客戶問題
首先是復現(xiàn)下客戶的問題,找塊MIMXRT1170-EVK開發(fā)板,將板載其他廠商Flash換成這顆MT25QL256ABA8E12-0AAT(因為是T-PBGA24封裝,所以需要放到原來的 OctalFlash位置——U21),然后將SDK_2.11.1_MIMXRT1170-EVKoardsevkmimxrt1170driver_examplesflexspi orpolling_transfer例程稍作適配性修改,主要是將customLUT里的命令表按Micron數(shù)據(jù)手冊命令表做調(diào)整(全用了四字節(jié)地址命令),然后跑了一下例程發(fā)現(xiàn)基本的Flash讀寫擦操作沒有問題(默認操作的是0x14000處的Sector),這表明硬件修改沒有問題。
const uint32_t customLUT[CUSTOM_LUT_LENGTH] = { /* Fast read quad mode - SDR */ [4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_READ_FAST_QUAD] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0xEC, kFLEXSPI_Command_RADDR_SDR, kFLEXSPI_4PAD, 0x20), [4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_READ_FAST_QUAD + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_DUMMY_SDR, kFLEXSPI_4PAD, 0x0a, kFLEXSPI_Command_READ_SDR, kFLEXSPI_4PAD, 0x04), /* Erase Sector */ [4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_ERASESECTOR] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0xDC, kFLEXSPI_Command_RADDR_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0x20), /* Page Program - quad mode */ [4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_PAGEPROGRAM_QUAD] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0x34, kFLEXSPI_Command_RADDR_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0x20), [4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_PAGEPROGRAM_QUAD + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_WRITE_SDR, kFLEXSPI_4PAD, 0x04, kFLEXSPI_Command_STOP, kFLEXSPI_1PAD, 0x00), };
接下來就是按客戶操作流程來復現(xiàn)Segger J-Flash燒寫校驗失敗問題,客戶其實是嘗試燒寫全部32MB數(shù)據(jù)來查看J-Flash及其配套下載算法能否適用這顆Flash,這里就用《超級下載算法RT-UFL v1.0》,經(jīng)過測試,確實復現(xiàn)了客戶的問題。
經(jīng)過反復測試,定位了問題是這顆Micron32MB的Flash前3/4 區(qū)域(0x0 - 0x17FFFFF)是沒問題的,但是在后1/4區(qū)域(0x1800000 - 1FFFFFF)均會出現(xiàn)校驗錯誤(J-Flash軟件里看擦寫操作是能進行的,但后面發(fā)現(xiàn)其實根本沒有正常擦寫)。
二、Micron Flash有什么不同?
在分析客戶問題之前,我們先來簡單認識一下這顆Micron NOR Flash,經(jīng)過瀏覽Micron的官網(wǎng)以及這顆Flash的數(shù)據(jù)手冊,發(fā)現(xiàn)它確實跟其他廠商的NOR Flash設計有點區(qū)別。
首先是Flash容量,其他廠商一般都是能夠提供從512Kb到2Gb全范圍的Flash產(chǎn)品,但是Micron串行NOR Flash最小容量就是128Mb,果然是國際Memory大廠,設計就是豪橫。
但是從Flash作為XIP啟動設備角度而言,128Mb其實挺多的,普通的嵌入式項目沒有這么大的代碼存儲需求。
其次是NOR Flash里的高頻問題 《QE bit 設計》,一般Flash的IO2/3引腳復用功能都是通過內(nèi)部狀態(tài)寄存器里的QE位來控制,QE關閉則IO2/3是RESET#/HOLD#/WP#功能:如果QE開啟則IO2/3用于數(shù)據(jù)傳輸(這種情況下才可以用Quad I/O相關命令)。
然而Micron Flash根本就沒有QE位控制,IO2/3功能主要靠當前命令類型來決定:如果是Single SPI或者Dual I/O SPI命令,則IO2/3是RESET#/HOLD#/WP#功能;如果是Quad I/O SPI命令,則IO2/3 用于傳輸數(shù)據(jù)。
其它設計上的區(qū)別就不再詳細展開了,等用到具體功能查看數(shù)據(jù)手冊再去了解對比。
三、找到問題原因
現(xiàn)在來分析客戶問題,F(xiàn)lash的后1/4區(qū)域在J-Flash下校驗錯誤,那我們先修改 polling_transfer例程去操作0x1800000之后的Sector,發(fā)現(xiàn)確實跑不過。
如果不是Flash介質(zhì)問題,也不是讀寫擦命令問題,那只能有一種解釋,那就是 Flash里這個區(qū)域被保護了,F(xiàn)lash里是有非易失寄存器可以設置軟件保護的,但是默認應該是全部區(qū)域不保護,而第一小節(jié)里我們先跑了polling_transfer例程驗證 Flash讀寫,那大概率這個例程里有修改Flash內(nèi)部寄存器操作,經(jīng)過排查定位到了flexspi_nor_enable_quad_mode() 函數(shù)。
#define FLASH_QUAD_ENABLE 0x40U const uint32_t customLUT[CUSTOM_LUT_LENGTH] = { /* Enable Quad mode */ [4 * NOR_CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITESTATUSREG] = FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0x01, kFLEXSPI_Command_WRITE_SDR, kFLEXSPI_1PAD, 0x04), }; int main(void) { // 代碼省略 /* Enter quad mode. */ status = flexspi_nor_enable_quad_mode(EXAMPLE_FLEXSPI); if (status != kStatus_Success) { return status; } // 代碼省略
第二小節(jié)介紹里我們知道Micron Flash是沒有QE位設計的,因此 flexspi_nor_enable_quad_mode() 函數(shù)在這里是多余的,這個函數(shù)是將0x40寫入到了命令標號為0x01的Status Register(這個操作適用于ISSI Flash),我們在數(shù)據(jù)手冊里找到這個寄存器定義,發(fā)現(xiàn)被置位的bit 6是塊保護控制位BP[3:0]里的最高位,并且 BP[3:0]設置是非易失性的(斷電不丟失)。
再進一步往下找BP[3:0]設置與Flash空間對應關系,發(fā)現(xiàn)4'b1000設置就是保護后1/4區(qū)域里的所有block,至今似乎真相大白了。
為了驗證這個發(fā)現(xiàn),我們需要將StatusRegister重設為0x00,然后再用J-Flash燒寫一次,這時候校驗失敗問題消失了,一切恢復正常。
一點小體會
回顧這個故事,如果事先不用polling_transfer例程去操作一次Flash,或者即使跑了例程但事先意識到了Micron Flash沒有QE設計而刪除flexspi_nor_enable_quad_mode() 函數(shù),也就無法復現(xiàn)客戶問題了,這也是本次故事里最神奇的地方,我和客戶犯了同樣的失誤,也許這就是緣分?
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原文標題:關于Segger J-Flash下載校驗失敗的故事
文章出處:【微信號:NXP_SMART_HARDWARE,微信公眾號:恩智浦MCU加油站】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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