FP5207B DFN-10L(EP)封裝,遠(yuǎn)翔DC-DC電源管理大功率升壓恒壓芯片,帶軟啟動可調(diào)頻率可調(diào)。
芯片概述
FP5207B是一款大功率異步升壓恒壓芯片,外置N溝MOS驅(qū)動,與肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu);工作電壓低至2.8V啟動,可適用已單節(jié)電池供電,高至24V寬壓工作,甚至可通過外部三極管穩(wěn)壓高壓供電;恒壓基準(zhǔn)(VFB)為1.2V±2%,電壓高誤差小,提高輸出的準(zhǔn)確度;工作頻率(RT)可調(diào)為100-1000KHz,可根據(jù)需求調(diào)整頻率段;軟啟動(SS)可調(diào),可根據(jù)需要啟動時間來調(diào)整。
芯片特色
效率高達(dá)90%以上 低功耗,芯片關(guān)機功耗最低3uA 啟動電壓2.8V,穩(wěn)定工作電壓5-24V,擴展電壓為24-48V 恒壓基準(zhǔn)值為1.2V±2% 工作頻率100-1000KHz 芯片軟啟動可調(diào)(SS) 芯片輸入具有可調(diào)過流保護(hù)(OCP) 芯片輸入低壓保護(hù)(UVP) 芯片具有過溫保護(hù)(OTP)
C1、C7:輸入與輸出穩(wěn)壓電容。 C2、C6、C8:高頻噪聲濾波電容。 C3:輸入電源接 HVDD 經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓管到 VDS 產(chǎn)生 8V,此電壓會提供內(nèi)部電路與 EXT Pin驅(qū)動外部 Q2 的閘極,需要加穩(wěn)壓電容。 C4、C5、C13、R1、R5:系統(tǒng)的補償回路,關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定度。 C17:軟啟動電容,改變電容值調(diào)整啟動時間。 L1:電感具有儲能與濾波功用,感值越大電感漣波越小,相對感值越小漣波越大。選用電感需注意電感是否適合高頻操作,及電感額定飽和電流值。 D1:當(dāng) Q2 截止時,D1 蕭特基管導(dǎo)通提供電感放電回路。 Q2:使用內(nèi)阻低的 NMOS,Drain 端高電壓等于輸出 19V,耐壓選用 19V 的 1.5 倍。 R3:Vin 與 EN 之間接 200kΩ,自動啟動 IC。 R6:調(diào)整工作頻率電阻。 R11、R12:分壓電阻設(shè)定輸出電壓。 R8:預(yù)留作為 EMI 對策。 Rcs:電感峰值電流檢測與過電流保護(hù)電阻。
注意事項: 大電流路徑走線要粗,鋪銅走線最佳。 開關(guān)切換連接點 L1、Q2 的 Drain 端與 D1,走線要短與粗,鋪銅走線最佳。 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin,達(dá)到穩(wěn)壓與濾波功效。 分壓電阻 R11/R12 靠近 FB 與 GND Pin。 FB Pin 遠(yuǎn)離開關(guān)切換點 L1、Q2 的 Drain 與 D1,避免受到干擾。 輸入電容 C1/C2 的地、輸出電容 C7/C8 與 Rcs 的地,鋪銅走線,上下層地多打洞連接。 輸出電容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地,可以降低開關(guān)切換突波,降低輸出高頻噪聲。 Rcs 靠近 CS 與 GND pin。 板子多余空間建議鋪地。
審核編輯:湯梓紅
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