色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

N-MOS工藝芯片與P-MOS工藝芯片對比

硬件設計技術 ? 來源:硬件設計技術 ? 作者:硬件設計技術 ? 2022-10-31 10:01 ? 次閱讀

一、How does Over Current Protection (OCP)work?

When over-current protection (OCP) is enabled, the power system turns off the output if the output current reaches the current limit setting and transitions from constant voltage (CV) operation to constant current (CC) operation.

With OCP turned on, the OCP takes over after a specified time delay and shuts down the output of the power supply. The delay time is programmable. This prevents OCP from shutting down the DC power supply from short current spikes and other acceptably short overloads that are not considered harmful. In comparison, with Over Voltage Protection (OVP), the output is disabled immediately. OVP is usually always enabled and cannot be turned off. However, unlike OVP, OCP can be turned on and off and its default is usually off. A typical OCP event is illustrated here:

a88bc0cc-5860-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

Wecan specify an OCP delay to prevent momentary output settings, load, and status changes from tripping the over-current protection. In most cases these momentary conditions would not be considered an over-current protection fault, and having an OCP condition disable the output when they occur would be a nuisance. Specifying an OCP delay lets the OCP circuit ignore these momentary changes during the specified delay period. Once the OCP delay time has expired and the over-current condition persists, the output will shut down. Other factors include the difference between old output value and new output value, the current limit setting, and the load capacitance in CV operation or load inductance in CC operation. The delay required must be determined experimentally on a case-by-case basis.

二、N-MOS & P-MOS 工藝芯片對比:

a8cf53aa-5860-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

P-MOSOCP原理簡介

a901c61e-5860-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

N-MOSOCP原理簡介

NMOS PMOS
Ron 較小 較大
Io 較大 較小
Charge pump 需要 不需要
Parasitic capacitance 較小 較大
Cost 較高 較低

性能指標對比

三、鏡像電流采樣技術:

a928c50c-5860-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

1、外部設置Rlimit,確定觸發Rlimit時的電流a948d8f6-5860-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

2、隨著負載電流的增加,成比例的鏡像電流也逐漸增加

3、當鏡像電流達到滿足, a95f2a3e-5860-11ed-a3b6-dac502259ad0.png? ?此時,觸發限流機制

4、低延時的驅動單元將功率管的柵極電壓拉低,達到限制PowerNMOS電流的大小的目的

四、PCB Layout注意事項

1、輸入輸出電容靠近芯片PIN腳擺放

2、輸入輸出電容兩端端就近打足夠的GND-VIA

3、芯片及周邊元件盡量靠近負載端擺放,減小路徑上的寄生參數

4、TVS靠近芯片PIN腳擺放,電流流過順序為先TVS,再過電容,最后到芯片PIN腳

5、Rlimit電阻選用的精度至少±1%

五、OVP 與 OCP 對比:

This is quite different than the almost immediate response time of an OVP system. Even if the OCP delay time was set to zero, the response is still on the order of milliseconds instead of microseconds compared to an OVP event. And when the amount of overdrive is small, as is the case for the 6 A loading, providing just 1 A of overdrive, the total response time is much greater.
Unlike the OVP system, which operates totally independent of the voltage limit control system, the OCP system is triggered off the current limit control system. Thus the total response time includes the response time of the current limit as well. The behavior of a current limit is quite different than a simple “go/no go” threshold detector like OVP. A limit system, or circuit, needs to regulate the power supply’s output at a certain level, making it a feedback control system. The stability of this system is important, both with crossing over from constant voltage operation as well as maintaining a stable output current after crossing over. This leads to the slower and overdrive dependent response characteristics that are typical of current limit systems.


審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    456

    文章

    50886

    瀏覽量

    424163
  • pcb
    pcb
    +關注

    關注

    4319

    文章

    23111

    瀏覽量

    398228
  • 負載電流
    +關注

    關注

    1

    文章

    250

    瀏覽量

    14334
  • TVS
    TVS
    +關注

    關注

    8

    文章

    791

    瀏覽量

    60639
  • MOS
    MOS
    +關注

    關注

    32

    文章

    1272

    瀏覽量

    93851

原文標題:Over Current Protection【OCP】

文章出處:【微信號:硬件設計技術,微信公眾號:硬件設計技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    如何通過一個微分電路和一個P-MOS做到如下要求

    請大仙幫忙指導下如何通過一個微分電路和一個P-MOS做到如下要求:開機時Vcc通電,TS1腳拉高,延時20ms后讓TS1一直拉低,然后想通過P-MOS(或者N-MOS也行,)目前我設計了如下微分電路
    發表于 02-09 17:26

    P-MOS輸出控制請教

    `使用P-MOS控制輸出+28V,如果在輸入源端加了一個肖特基二極管會燒二極管嗎?輸入低的時候P-MOS打開,對外輸出+28V,無輸出。`
    發表于 12-24 22:04

    MOS管大神指點:MOS管H 半橋電磁閥驅動電路

    電壓是24V直流, 電磁閥電流要求 0.7A, 設計了個電路, 不知道行不行, 特來請教。MOS管 選了 IRF7343 N-P通道雙管 , 其中N-MOS管做一個臂的下橋臂管, P-MOS
    發表于 04-06 04:17

    優奈斯代理(恒泰柯HUNTECK)全系列MOS:低壓低內阻MOS

    P-MOS :HTM085P03DFN3*3HTM200P03DFN3*3 QC3.0快充電源同步整流N-MOS:15W-18W快充電源HGS120
    發表于 08-07 15:25

    關于P-MOS開關電路中MOS管燒壞的求助

    請教諸位大神:如圖是一個利用P-MOS組成的開關電路。B+是電池端,當開關按鍵按下后單片機獲得供電即將IO口置1,MOS管G極獲得持續低電平,實現開機。現在的問題是MOS管經常性燒壞,懷疑是哪里設計出了問題,望路過大神指點迷津,
    發表于 12-03 21:20

    給大家分享一個N-MOSP-MOS驅動的應用實例

    P-MOS管。MOS管跟三極管的驅動方式有點類似,但又不完全相同,那么今天筆者將會給大家簡單介紹一下N-MOS管和P-MOS管的工作原理,并結合自己實際的應用來給大家分享一下如何來驅
    發表于 08-29 21:03

    N-MOS管的原理是什么?N-MOS管為什么會出問題?

    N-MOS管的原理是什么?N-MOS管為什么會出問題?如何去控制步進電機驅動器?
    發表于 07-05 07:39

    N-MOS管是如何接線的

    N-MOS管是如何接線的?N-MOS管是如何驅動步進電機的?
    發表于 10-11 07:49

    SW2N6 N-MOS

    SW2N6 N-MOS
    發表于 10-18 11:42 ?2次下載
    SW2<b class='flag-5'>N</b>6 <b class='flag-5'>N-MOS</b>

    如何區分P-MOSN-MOS?如何區分MOS的G、D、S管腳?MOS管如何導通?

    三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機可能經常用,但MOS管你用的可能較少。對于MOS管先拋出幾個問題:
    的頭像 發表于 07-17 19:36 ?10.3w次閱讀
    如何區分<b class='flag-5'>P-MOS</b>和<b class='flag-5'>N-MOS</b>?如何區分<b class='flag-5'>MOS</b>的G、D、S管腳?<b class='flag-5'>MOS</b>管如何導通?

    模塊工藝——雙阱工藝(Twin-well or Dual-Well)

    CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是雙阱工藝,它包括兩個區域,即n-MOSp-MOS 有源區,分別對應p阱和
    的頭像 發表于 11-14 09:32 ?1.2w次閱讀

    CMOS集成電路的雙阱工藝簡析

    CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是雙阱工藝,它包括兩個區域,即n-MOSp-MOS 有源區
    的頭像 發表于 11-14 09:34 ?9639次閱讀

    STM32的GPIO工作原理 開漏輸出和推挽輸出區別

    通過設置位設置/清除寄存器或者輸出數據寄存器的值,途經P-MOS管和N-MOS管,最終輸出到I/O端口。這里要注意P-MOS管和N-MOS管,當設置輸出的值為高電平的時候,
    發表于 12-15 10:26 ?7258次閱讀

    mos管小電流發熱的原因

    電路設計的問題是讓MOS管在線工作,而不是在開關狀態下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關,G級電壓比電源高幾V,P-MOS就相反了。未完全打開,壓降過大,導致功耗
    的頭像 發表于 06-18 14:46 ?1014次閱讀

    mos封裝工藝是什么,MOS管封裝類型

    MOS封裝工藝是指將制造好的MOS芯片通過一系列步驟封裝到外殼中的過程。以下是MOS封裝工藝
    的頭像 發表于 06-09 17:07 ?1608次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 黄色三级视频网站| 欧美精品一区二区在线电影| 日本人添下面的全过程| 成人免费网址在线| 婷婷四房播客五月天| 国产专区_爽死777| 最近中文字幕MV高清在线视频| 欧美一级黄色影院| 国产精品无码久久av| 一色狗影院| 秋霞成人午夜鲁丝一区二区三区 | 三级网站视频| 国产亚洲精品久久久久久鸭绿欲| 中文字幕在线观看亚洲| 色小妹影院| 快播av种子| 国产A级毛片久久久久久久| 亚洲欧美色综合影院| 奇米狠狠干| 九九色精品国偷自产视频| yellow日本动漫观看免费| 亚洲国产高清福利视频| 欧美黄色xxx| 黄片在线观看| 吃寂寞寡妇的奶| 在线看免费毛片| 午夜影院和视费x看| 嫩草影院在线观看精品视频| 国产日韩欧美三级| yellow2019在线观看视频| 一久久| 日韩AV片无码一区二区三区不卡| 久久精品亚洲| 国产免费麻传媒精品国产AV| qovd伦理| 最近日本字幕免费高清| 性做久久久久免费观看| 日本高清免费看| 麻豆精选2021| 久久精品国产免费播放| 国产午夜不卡在线观看视频666|