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【干貨分享】MOSFET測(cè)試方案

測(cè)量?jī)x表維修中心 ? 2022-11-01 13:28 ? 次閱讀

你知道什么是MOSFET嗎?MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。一般由Source(源極), Drain(漏極),Gate(柵極),Bulk(體電極)組成。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。

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MOSFET有以下測(cè)試難點(diǎn)

1.由于MOSFET是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2.MOSFET的漏電越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3.MOSFET動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4.隨著MOSFET特征尺寸越來(lái)越小,自加熱效應(yīng)成為影響MOSFET可靠性的重要因素。

脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)。所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖 IV測(cè)試,用以評(píng)估器件的自加熱特性。

5.MOSFET的電容曲線(xiàn)是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。

所以MOSFET的電容測(cè)試非常重要。由于MOSFET的電容是非線(xiàn)性,且不同頻率下曲線(xiàn)不同,所以需要能進(jìn)行多頻率,多電壓下的CVU進(jìn)行測(cè)試。

針對(duì)這些問(wèn)題,安泰儀器服務(wù)中心提供了以下的測(cè)試方案:

測(cè)試設(shè)備安泰推薦儀器:4200A-SCS

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并加配:中功率SMU/高功率SMU/電容測(cè)試單元CVU/超快脈沖測(cè)試單元PMU/切換開(kāi)關(guān)等

測(cè)試載臺(tái):探針臺(tái)/測(cè)試夾具

測(cè)試設(shè)備:2600-PCT,可選配:200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流配置。

測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

安泰儀器服務(wù)中心提供的這臺(tái)參數(shù)分析儀具有以下優(yōu)勢(shì):

1、集成化的測(cè)試系統(tǒng),直流測(cè)試/CV測(cè)試/脈沖IV測(cè)試集于一體,9個(gè)卡槽靈活配置測(cè)試模塊;

2、最小電流測(cè)試精度10fA,最大電壓210V;四線(xiàn)法配置+40V差分脈沖,最小脈寬10ns,200M采樣率,任意波形編輯功能;

3、自帶Clarius操作軟件,圖形化設(shè)計(jì),簡(jiǎn)單易懂;豐富的測(cè)試庫(kù)直接用,減少測(cè)試配置時(shí)間;

4、多種切換開(kāi)關(guān),支持SMU/PMU/CVU的自動(dòng)切換,消除換線(xiàn)煩惱;

5、提供低漏電矩陣開(kāi)關(guān),為自動(dòng)化,高密度,大批量測(cè)試提供支持;

6、開(kāi)放設(shè)備底層指令,附帶編譯軟件,支持自編程

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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