我們上一次說了將半導(dǎo)體制作成本征半導(dǎo)體的目的就是為了能有效的控制半導(dǎo)體的特性為我們所用，那我們今天就來講一下我們用本征半導(dǎo)體能做成什么東西。

首先接觸過電子行業(yè)的人都會知道，我們電路是由電子元器件構(gòu)成的，而電子元器件中最基礎(chǔ)的元器件莫過于電阻、電容、電感、二極管、三極管等等。

而其中的二極管和三極管我們可以使用本征半導(dǎo)體進行加工后制作而成，首先我們知道二極管簡單來說就是一個PN結(jié)，而三極管相當于兩個PN結(jié)，所以我們?nèi)绻胍玫蕉O管或者三極管，那么我們首先要制作出PN結(jié)。

我們上次說了本征半導(dǎo)體是可控的，所以我們可以在本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入一定的雜質(zhì)，從而形成我們需要的P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，我們可以將這類型的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。

那么就肯定有人要問，要怎么操作才能得到P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。

如果我們要得到一個N型半導(dǎo)體，那么我們一般是在本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入5價的元素，一般我們使用的是磷（P）元素，摻入磷元素后，在形成共價鍵后，周圍還多出一個自由電子，如下圖所示：

你摻入的磷元素越多，自由電子剩余的越多，也就是自由電子的濃度越大，這樣我們就可以制作出我們可以控制的N型半導(dǎo)體。

而如果你要制作P型半導(dǎo)體，那么就要在本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入3價的元素，一般我們是摻入硼元素（B），你摻入一個硼元素，那么就會多出一個空穴，如下圖所示：

同理，你摻入的元素越多，空穴濃度也就會相應(yīng)的提高，摻入一定數(shù)量的元素后你就可以得到一個可控的P型半導(dǎo)體。

有了P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，我們就可以采用自然界中的一個擴散運動來制作成PN結(jié)，所謂的擴散運動就是我們自然界中的所有物質(zhì)都有一個特性，那就是會因為濃度差而產(chǎn)生從濃度高的地方往濃度低的地方運動，稱為擴散運動。

我們的PN結(jié)主要原理就是采用擴散運動來實現(xiàn)的，我們是在一個材料上，采用擴散的工藝得到一個P區(qū)，然后在同一個材料上，用擴散的工藝得到一個N區(qū)，如下圖所示：

我們可以看到P區(qū)空穴的濃度高于N區(qū)，而N區(qū)的自由電子濃度高于P區(qū)，這樣就會產(chǎn)生空穴由P向N擴散，自由電子由N向P擴散，從而導(dǎo)致的結(jié)果就是在接觸面的地方P區(qū)會缺少空穴，而N區(qū)會缺少自由電子，這樣在接觸面附近就剩下不能移動的離子存在了，也就會構(gòu)成內(nèi)電場，內(nèi)電場形成后會阻止擴散運動的進行；而且內(nèi)電場會讓空穴從N區(qū)向P區(qū)運動，自由電子會從P區(qū)向N區(qū)運動。

經(jīng)過擴散運動和內(nèi)電場的漂移運動產(chǎn)生的結(jié)果，會產(chǎn)生一個空間電荷區(qū)，當參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同后，我們稱之為動態(tài)平衡后（簡單來說就是自由電子從N區(qū)到P區(qū)數(shù)量和從P區(qū)回N區(qū)的數(shù)量相同，且空穴從P區(qū)移動到N區(qū)的數(shù)量和N區(qū)回到P區(qū)的數(shù)量相等時），那么就會形成一個PN結(jié)，如下圖所示。

PN結(jié)形成后會有獨特的導(dǎo)電性能，如果我們在PN結(jié)上加正向電壓，也就是我們俗稱的正向接法和正向偏置，是將正電壓接到P區(qū)，這個時候空間電荷區(qū)會變窄，擴散運動會加劇，從而形成擴散電流，這個時候PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)，在我們電路組建時，都會加一個限流電阻，這個電阻是為了保護PN結(jié)不會擊穿。

如果我們在PN結(jié)接一個反向電壓， 那么空間電荷區(qū)就會變寬，阻止了擴散運動， 這樣就有利于漂移運動，形成漂移電流，因為這個漂移運動的電流很小，所以我們可以近似認為是截止狀態(tài)。

這個就是我們一直說的PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，簡單的說就是正接導(dǎo)通，反接截止。




審核編輯：劉清