NOR gate

OR操作，即是

C=A+B

NOR操作，即是

那怎么對(duì)CMOS反相器的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行修改，使其變?yōu)镹OR門(mén)呢？

首先，

需要兩個(gè)NMOS器件或者PMOS器件，而且由兩個(gè)輸入控制

再者，

首先考慮NMOS部分，如果其中一個(gè)NMOS門(mén)是高電平，輸出必須保持低電平。如下圖所示。

其次，

PMOS部分，如果A為高，B為高，或者A、B均為高時(shí)，PMOS部分必須處于關(guān)斷的狀態(tài)。而且，如果A和B均為低時(shí)，PMOS部分必須為ON的狀態(tài)。

如下圖所示，即滿(mǎn)足以上的要求。

把PMOS部分和NMOS部分，結(jié)合起來(lái)，就成為一個(gè)完整的CMOS NOR gate.

從CMOS反相器來(lái)構(gòu)建電路時(shí)，天生就帶著反相屬性，所以，當(dāng)想要獲得OR 門(mén)時(shí)，則是在NOR門(mén)的后面再加一個(gè)反相器。

那M1，M2，M3，M4之間的寬度關(guān)系是怎么樣的呢？

NAND Gate

NAND操作即是，

只有輸入A和B都為高的時(shí)候，C才是低。

所以，在NMOS部分，應(yīng)該是，只有A和B都為高的時(shí)候，才打通，使得Vout連接到地上。

如下圖所示。

而PMOS部分，當(dāng)A為低，B為低，或者A、B均為低時(shí)，PMOS能夠?qū)out與VDD連接。

將NMOS和PMOS部分合并，即稱(chēng)為一個(gè)完整的CMOS NAND gate，如下圖所示。

至于M3，M4，M1，M2之間的寬度關(guān)系，推導(dǎo)與NOR gate類(lèi)似，這邊應(yīng)該都為W。

審核編輯 ：李倩