三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)，具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度

三星宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的 1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第 8 代 V-NAND。1Tb 的全新 V-NAND 在目前三星 V-NAND 中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。

三星電子第八代V-NAND，1Tb

三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度。基于最新 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn) Toggle DDR 5.0 接口的三星第 8 代 V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達(dá) 2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了 1.2 倍，這可以滿足 PCIe 4.0 和更高版本 PCIe 5.0 的性能要求。

審核編輯 ：李倩