簡介
電流隔離是保護所有與人體或其他電路接口的電子設備免受可能從數十伏到千伏的高壓事件的必要保護形式。隔離作為一種保護形式,要求兩個電路之間的通信通過絕緣或隔離柵進行,從而防止電流在電路之間直接流動。
在過去的幾十年里,用于隔離電路的技術已經從基于光學的轉向基于硅的- 但這些技術到底有什么不同呢?光耦合器如何工作?
如圖1所示,光耦合器由輸入LED、接收光電探測器和輸出驅動器組成。驅動器電路和LED電路通常使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術構建,絕緣或隔離柵通常由模塑料組成。光耦合器隔離器的輸入和輸出都需要通過陽極和集電極引腳連接的單獨電壓電源,以及通常連接在陰極和發射極引腳上的單獨接地,以保持輸入和輸出之間的信號隔離。
圖1:帶引腳排列圖的光耦合器
當施加的CMOS邏輯輸入產生輸入側電流時,光耦合器內就會發生通信,然后產生成比例的LED輸出,用于通過模塑性屏障傳輸到接收光電探測器和輸出。
光耦合器的隔離性能由LED、輸入和輸出之間使用的模塑料以及通過模塑料的距離的組合決定。由于模塑料是隔離柵強度的關鍵因素,因此其質量在光耦合器的使用壽命、可靠性和性能中起著重要作用。
包括美國保險商實驗室(UL)和電子技術協會(VDE)在內的標準機構確定了光耦合器評級,這些評級專門定義了“通過絕緣的距離”,以適應制造過程中的模塑料變化,以及局部放電測試,以識別在壓力下可能影響隔離性能的模塑料缺陷。光耦合器標準歷來不包括壽命可靠性性能數據或持續施加的高壓高壓應力測試,因此其持續的長期性能和可靠性可能會有很大差異。
硅基隔離器如何工作?
硅基隔離技術基于CMOS技術,由兩個獨立的集成電路(IC)芯片組成——一個輸入電路和一個輸出電路——通過鍵合線連接以實現數據傳輸,如圖2所示。
圖2:數字隔離器結構的橫截面
如圖3所示,數字隔離器的輸入和輸出側都需要單獨的電壓電源(VCC1、VCC2)和單獨的接地(GND1、GND2),以保持輸入和輸出之間的信號隔離。
當將晶體管-晶體管邏輯或CMOS邏輯輸入施加到數字輸入時,數字隔離器內會發生通信。輸入信號以數字方式轉換到頻域中,然后通過高壓電容勢壘,穿過連接的鍵合線到達接收側IC。
圖3:帶引腳排列圖的數字隔離器
數字隔離器電路的絕緣體可以是單二氧化硅(SiO2)電容勢壘,通過設計可以承受極高的電壓。由于絕緣柵由高介電強度材料(見表1)構成,并且是在嚴格控制的晶圓廠而不是裝配線上制造的,因此不太可能發生零件之間的差異,并且隔離性能的關鍵因素是隔離技術和設計。
絕緣子材料 | 介電強度 |
空氣 | ~1 弗爾姆/微米 |
環氧樹脂 | ~20 弗爾姆/微米 |
二氧化硅填充模塑料 | ~100 弗爾姆/微米 |
聚酰亞胺 | ~300伏特/微米 |
蕭2 | ~500 弗爾姆/微米 |
硅基數字隔離器的隔離額定值由一系列高壓測試確定,這些測試通過行業標準機構(如UL、國際電工委員會和VDE)定義。這些測試與用于確定光耦合器額定值的測試相同,如表2所示,但具有額外的高壓測試和材料額定值要求。由于高壓魯棒性和可靠性的額外測試條件,可以發布壽命可靠性數據。
表2:光耦合器測試條件/數字隔離器測試的比較
主題 | VDE 0884-11 電容式和磁性數字隔離器 | IEC 60747-5-5 光耦合器 | ||
基本隔離 | 加強隔離 | 僅加強隔離 | ||
1 | 最大浪涌隔離電壓 V斷續器 | 測試電壓 = V斷續器x 1.3 | 測試電壓 V斷續器x 1.6 | 最小 10 kV |
最小 10 kV | ||||
2 | 局部放電測試電壓,V局部放電(M) | 1.5 x 高斷續器 | 1.875 x 高斷續器 | 1.875 x 高斷續器 |
3 | 工作電壓,V斷續器 | 基于貿發局分析 | 基于貿發局分析 | 基于局部放電測試 |
4 | 最小額定壽命 | 20 年 x 1.3 (安全系數) | 20 年 x 1.875 (安全系數 | 未定義 |
5 | 使用壽命期間的故障率 | 1000 頁/分鐘 | 1 頁/分鐘 | 未定義 |
6 | 允許的隔離材料 | 蕭2和薄膜聚合物 | 蕭2和薄膜聚合物 | 不限 |
您現在應該對光學隔離和硅基隔離性能之間的差異以及材料,制造甚至標準測試的作用有所了解。雖然光耦合器和硅基隔離器都是經過驗證的電路保護手段,但為您的設計確定最佳隔離解決方案的真正挑戰將取決于您的設計目標:隔離器的可靠性、使用壽命和性能都在正確的技術選擇中發揮作用。
審核編輯:湯梓紅
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