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應廣PMS171B(3)--比較器測供電電源VDD電壓

嵌入式單片機MCU開發 ? 來源:嵌入式單片機MCU開發 ? 作者:嵌入式單片機MCU開 ? 2022-11-14 13:52 ? 次閱讀

概述

應廣PMS171B單片機有很實用的功能,就是可以用內部的分壓電阻,Band-gap 電路提供 1.2V 參考電壓,和比較器一起,測試單片機VDD電壓.不使用任何外部器件,不占用端口就可以測試供電電源電壓.!當電池低壓的時候可以做相應的動作.比如休眠,進入低功耗等。本章就寫一個實例,當低于4.2V時候,LED輸出低電平,高于4.2V時候,LED輸出高電平。

PMS171B配置之比較器初始化

在這里插入圖片描述

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gpcc寄存器是比較器 比較器控制寄存器,需要打開時需要7位配置為1,本文使用內部1.20V的band-gap參考電壓,需配置3-1位為010,gpcc配置如下所示:

gpcc=0b1_0_0_0_010_0;

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gpcs寄存器是配置比較電壓,本文中以測試4.2V電壓為例,將VDD=4.2V帶入,得到N只為0.14、5.85、2.43、8.14;由于N為整數,所以Case 4模式較為適合,即gocs寄存器4-5位配置為11,切換為Case4模式,N為8,3-0位設置為1000,gpcs配置如下所示:

gpcs=0B0_0_11_1000;//檢測4.2V

比較器測供電電源VDD電壓完整代碼

#include    "extern.h"//是程序的頭文件。
BIT     LED           :        PA.7;  
#define        f_Com    !p_Com_Out
BIT        p_Com_Out    :    gpcc.6
BIT        f_getBat;
/*比較器初始化*/
void InitCompare ( void )
{
    /*b7@1=開啟比較器
    b6@0=負輸入大于正輸入
    b5@0=比較器不用tm2_ck采樣
    b4@0=比較結果沒有極性相反
    b3:1@ 010=內部Band-gap電壓
    b0@1=PA4輸入0=內部電阻輸入*/
    gpcc=0b1_0_0_0_010_0;
//$ padier 0b111_0_100_1;
    /*
    b7@0=不輸出到PA0
    b6@0保留
    b5@0=高R
    b4@0=低R
    b3:0@0000-1111內部r值
    */
    gpcs=0B0_0_0_0_0000;
}
void GetBat ( void )
{
    /*設置模式為Case 4,檢測4.2V*/
    gpcs=0B0_0_11_1000;
    .delay 10;
    if ( f_Com )
    {
        /*電壓低于4.2V,執行LED低電平*/
        f_getBat=1;
    }
    else//LED高電平
    {   
    f_getBat=0;
    }
}
void    FPPA0 (void)//相當于程序的 main() 函數。
{
    /*單片機內部RC震動時鐘為 IHRC默認為16M,因此,IHRC/4=4M,系統時鐘為4M*/
    .ADJUST_IC  SYSCLK=IHRC/4, IHRC=16MHz, VDD=5V;
    /*端口設置為輸出*/
      pa.7=0;
      pac.7=1;/*輸入*/
      paph.7=0;/*上拉*/
      /***********電壓比較器****************/
InitCompare();
    while (1)
    {
        GetBat();
        if(f_getBat)
            LED = 0;
        else
            LED = 1;
        .delay 4000*10;
    }
}

演示效果

可以看到,4.2V以上為LED輸出高電平,4.2以下為LED輸出低電平,由于4.2V左右會抖動,建議后期加防抖保證穩定運行。

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審核編輯:湯梓紅

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