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MOS管開關(guān)電路設(shè)計詳解(圖文+案例)

pecron ? 來源:電路一點(diǎn)通 ? 作者:電路一點(diǎn)通 ? 2022-11-16 09:21 ? 次閱讀

mos管的工作區(qū)域

從之前的文章中可以知道,mos管有三個工作區(qū)域:

截止區(qū)域

線性(歐姆)區(qū)域

飽和區(qū)域

當(dāng) VGS < VTH時,mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中,mos管處于關(guān)斷狀態(tài),因為在漏極和源極之間沒有感應(yīng)溝道。

對于要感應(yīng)的溝道和mos管在線性或飽和區(qū)工作,VGS > VTH。

柵極 - 漏極偏置電壓 VGD將決定mos管是處于線性區(qū)還是飽和區(qū)。在這兩個區(qū)域中,mos管處于導(dǎo)通狀態(tài),但差異在線性區(qū)域,溝道是連續(xù)的,漏極電流與溝道電阻成正比。進(jìn)入飽和區(qū),當(dāng) VDS > VGS – VTH時,通道夾斷,即它變寬導(dǎo)致恒定的漏極電流。

電子開關(guān)

半導(dǎo)體開關(guān)是電子電路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之類的半導(dǎo)體器件通常作為開關(guān)操作,即它們要么處于 ON 狀態(tài),要么處于 OFF 狀態(tài)。

理想的開關(guān)特性

對于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件,要充當(dāng)理想的開關(guān),它必須具有以下特性:

在 ON 狀態(tài)下,它可以承載的電流量不應(yīng)有任何限制。

在關(guān)閉狀態(tài)下,阻斷電壓不應(yīng)有任何限制。

當(dāng)器件處于 ON 狀態(tài)時,應(yīng)有零壓降。

關(guān)態(tài)電阻應(yīng)該是無限大的。

設(shè)備的運(yùn)行速度沒有限制。

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理想的開關(guān)特性圖

實用開關(guān)特性

但半導(dǎo)體開關(guān)并不是我們想的那么理想。在實際情況中,像mos管這樣的半導(dǎo)體器件具有以下特性。

在開啟狀態(tài)期間,功率處理能力是有限的,即有限的傳導(dǎo)電流。關(guān)斷狀態(tài)期間的阻斷電壓也受到限制。

有限的開啟和關(guān)閉時間,這限制了開關(guān)速度。最大工作頻率也受到限制。

當(dāng)器件開啟時,將存在一個有限的導(dǎo)通狀態(tài)電阻,從而導(dǎo)致正向壓降。還會有一個有限的關(guān)閉狀態(tài)電阻,這會導(dǎo)致反向漏電流。

實際的開關(guān)在開啟狀態(tài)、關(guān)閉狀態(tài)以及過渡狀態(tài)(從開啟到關(guān)閉或從關(guān)閉到開啟)期間都會經(jīng)歷斷電。

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實用開關(guān)特性圖

mos開關(guān)電路實例1

在下圖所示的電路中,增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡單的燈“ON”和“OFF”(也可以是 LED)。

柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件,因此燈負(fù)載要么“打開”,(V GS = +ve),要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平,(V GS = 0V)。

如果燈的電阻負(fù)載要由電感負(fù)載(如線圈、螺線管或繼電器)代替,則需要與負(fù)載并聯(lián)一個“續(xù)流二極管”,以保護(hù)mos管免受任何自生反電動勢的影響。

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mos開關(guān)電路

上面顯示了一個非常簡單的電路,用于切換電阻負(fù)載,例如燈或 LED。但是,當(dāng)使用功率mos管切換感性或容性負(fù)載時,需要某種形式的保護(hù)來防止mos管器件受損。驅(qū)動感性負(fù)載與驅(qū)動容性負(fù)載的效果相反。

例如,沒有電荷的電容是短路的,導(dǎo)致高“涌入”電流,當(dāng)我們從感性負(fù)載上移除電壓時,隨著磁場崩潰,我們會產(chǎn)生很大的反向電壓,從而導(dǎo)致感應(yīng)繞組中的感應(yīng)反電動勢。

mos開關(guān)電路功耗計算

我們假設(shè)燈的額定電壓為 6v、24W 并且完全“開啟”,標(biāo)準(zhǔn)mos管的通道導(dǎo)通電阻 ( R DS(on) ) 值為 0.1ohms。計算mos管開關(guān)器件的功耗。

流過燈的電流計算如下:

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mos開關(guān)電路電流計算公式

那么mos管中消耗的功率將為:

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mos管開關(guān)電路功耗計算公式

P溝道m(xù)os管開關(guān)電路實例

在上圖我們將 N 溝道 mos管視為開關(guān),mos管放置在負(fù)載和地之間。這也允許 mos管的柵極驅(qū)動或開關(guān)信號以地為參考(低側(cè)開關(guān))。但在某些應(yīng)用中,如果負(fù)載直接接地,我們需要使用 P 溝道增強(qiáng)型 mos管。如下圖所示。

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P溝道m(xù)os管開關(guān)電路

在這種情況下,mos管開關(guān)連接在負(fù)載和正電源軌(高端開關(guān))之間,就像我們使用 PNP 晶體管一樣。

在 P 溝道器件中,漏極電流的常規(guī)流動方向為負(fù)方向,因此施加負(fù)柵源電壓以將晶體管“導(dǎo)通”。

這是因為 P 溝道m(xù)os管是“倒置”的,其源極端子連接到正電源+V DD。然后,當(dāng)開關(guān)變?yōu)榈碗娖綍r,mos管變?yōu)椤癘N”,當(dāng)開關(guān)變?yōu)楦唠娖綍r,mos管變?yōu)椤癘FF”。

P 溝道增強(qiáng)型mos管開關(guān)的這種倒置連接允許我們將其與 N 溝道增強(qiáng)型 mos管串聯(lián)連接,以產(chǎn)生互補(bǔ)或 CMOS 開關(guān)器件,如上圖所示為跨雙電源。

mos開關(guān)電路實例2

了解 了mos管的工作原理及其工作區(qū)域,就很容易知道m(xù)os管是如何作為開關(guān)工作的。通過考慮一個簡單的示例電路,將了解 mos管作為開關(guān)的操作。

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mos開關(guān)電路圖

這是一個簡單的電路,其中 N 溝道增強(qiáng)模式mos管將打開或關(guān)閉燈。為了將mos管用作開關(guān),它必須工作在截止和線性(或三極管)區(qū)域。

假設(shè)設(shè)備最初是關(guān)閉的。柵極和源極之間的電壓,即 V GS適當(dāng)?shù)卦O(shè)為正值(從技術(shù)上講,V GS > V TH),MOSFET 進(jìn)入線性區(qū)域并且開關(guān)導(dǎo)通。這使燈打開。

如果輸入柵極電壓為 0V(或技術(shù)上 < V TH),則mos管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)并關(guān)閉。這反過來會使燈關(guān)閉。

mos開關(guān)電路實例3

考慮一種情況,如果你想使用微控制器對 12W LED (12V @ 1A) 進(jìn)行數(shù)字控制。當(dāng)你按下連接到微控制器的按鈕時,LED 應(yīng)打開。當(dāng)你再次按下相同的按鈕時,LED 應(yīng)熄滅。

很明顯,你不能在微控制器的幫助下直接控制 LED。這個時候你就需要一種設(shè)備來彌合微控制器和 LED 之間的差距。

該設(shè)備應(yīng)從微控制器接收控制信號(通常該信號的電壓在微控制器的工作電壓范圍內(nèi),例如 5V)并為 LED 供電,在這種情況下來自 12V 電源。

而這個設(shè)備是mos管,上述場景的設(shè)置如下電路所示。

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mos開關(guān)電路圖

當(dāng)邏輯 1(假設(shè)為 5V 微控制器,邏輯 1 為 5V,邏輯 0 為 0V)提供給mos管的柵極時,它打開并允許漏極電流流動。結(jié)果,LED 亮起。

類似地,當(dāng) mos管的柵極為邏輯 0 時,它會關(guān)閉,進(jìn)而關(guān)閉 LED。

因此,你可以通過微控制器和mos管的組合對大功率設(shè)備進(jìn)行數(shù)字控制。

mos管開關(guān)電路需要注意的因素---mos管的功耗

需要考慮的一個重要因素是mos管的功耗。考慮一個漏源電阻為 0.1Ω 的mos管。在上述情況下,即由 12V 電源驅(qū)動的 12W LED 將導(dǎo)致 1A 的漏極電流。

因此,mos管消耗的功率為 P = I 2 * R = 1 * 0.1 = 0.1W。

這看起來是一個比較低的值,但如果你使用相同的 mos管驅(qū)動電機(jī),情況會略有不同。電機(jī)的啟動電流(也稱為浪涌電流)會非常高。

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mos管驅(qū)動電路

因此,即使 RDS 為 0.1Ω,電機(jī)啟動期間消耗的功率仍會非常高,這可能會導(dǎo)致熱過載。因此,RDS將是你的應(yīng)用選擇 mos管的關(guān)鍵參數(shù)

此外,在驅(qū)動電機(jī)時,反電動勢是設(shè)計電路時必須考慮的重要因素。

使用mos管驅(qū)動電機(jī)的主要優(yōu)點(diǎn)之一是輸入 PWM 信號可用于平滑控制電機(jī)的速度。

mos開關(guān)電路實例4

下圖顯示了一個使用 n 溝道增強(qiáng)型mos管作為開關(guān)的簡單電路。此處,mos管的漏極端子 (D)通過漏極電阻RD連接到電源電壓 V S ,而其源極端子 (S) 接地。此外,它在其柵極端子 (G) 處施加輸入電壓Vi ,而輸出 Vo從其漏極汲取。

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mos開關(guān)電路圖

現(xiàn)在考慮施加的 Vi為 0V 的情況,這意味著mos管的柵極端子未偏置。因此,mos管將關(guān)閉并在其截止區(qū)域中工作,在該區(qū)域中,它為電流提供了一個高阻抗路徑,這使得 IDS幾乎等于零。

結(jié)果,即使R D上的電壓降也將變?yōu)榱悖虼溯敵鲭妷篤 o將變得幾乎等于V S。接下來,考慮施加的輸入電壓V i大于器件的閾值電壓V T的情況。在這種情況下,mos管將開始導(dǎo)通.

如果 V提供的S大于器件的夾斷電壓 VP(通常會如此),則mos管開始在其飽和區(qū)工作。這進(jìn)一步意味著該器件將為恒定 IDS的流動提供低電阻路徑,幾乎就像短路一樣。結(jié)果,輸出電壓將被拉向低電壓電平,理想情況下為零。

從上面的分析可以看出,輸出電壓在 VS和零之間變化,這取決于所提供的輸入分別是小于還是大于 V T。因此,可以得出結(jié)論,當(dāng)使mos管s在截止和飽和工作區(qū)域之間工作時,可以使mos管起電子開關(guān)的作用。

n 溝道耗盡型 mos管開關(guān)電路

與 n 溝道增強(qiáng)型mos管的情況類似,n 溝道耗盡型 mos管也可用于執(zhí)行開關(guān)動作,如下圖所示。這種電路的行為與上面的解釋幾乎相同,除了事實上,對于截止,柵極電壓 VG需要設(shè)為負(fù)值,并且應(yīng)小于 -V。

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n 溝道耗盡型 mos管開關(guān)電路圖

p 溝道增強(qiáng)型mos管開關(guān)電路

下圖顯示了將 p 溝道增強(qiáng)型mos管用作開關(guān)的情況。這里可以看出,電源電壓 VS施加在其源極端子 (S) 上,柵極端子提供輸入電壓 V i,而漏極端子通過電阻RD接地。

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p 溝道增強(qiáng)型mos管開關(guān)電路圖

此外,從mos管的漏極端子通過RD獲得電路V o的輸出。在 p 型器件的情況下,傳導(dǎo)電流將來自空穴,因此會從源極流向漏極 ISD,而不是從漏極流向源極(IDS) 與 n 型器件一樣。

現(xiàn)在,讓我們假設(shè)只有mos管的柵極電壓 VG的輸入電壓變低。這會導(dǎo)致mos管開啟并為電流提供低(幾乎可以忽略不計)電阻路徑。

結(jié)果,大電流流過器件,導(dǎo)致電阻 RD上的電壓降很大。這反過來導(dǎo)致輸出幾乎等于電源電壓V S。接下來,考慮V i變高的情況,即當(dāng)Vi 將大于器件的閾值電壓(這些器件的 V T將為負(fù)值)。在這種情況下mos管將關(guān)閉并為電流提供高阻抗路徑。這導(dǎo)致幾乎為零的電流導(dǎo)致輸出端子處的電壓幾乎為零。

p 溝道耗盡型mos管開關(guān)電路

與此類似, p 溝道耗盡型mos管也可用于執(zhí)行開關(guān)動作,如下圖所示。該電路的工作原理與上述電路幾乎相似,只是此處的截止區(qū)域為僅當(dāng) Vi = VG為正且超過器件的閾值電壓時才會出現(xiàn)。

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p 溝道耗盡型mos管開關(guān)電路圖

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:MOS管開關(guān)電路設(shè)計詳解(圖文+案例)

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