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RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場空白

jf_19612427 ? 來源:jf_19612427 ? 作者:jf_19612427 ? 2022-11-18 15:32 ? 次閱讀

一、破局進口品牌壟斷

現階段半導體市場,900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,并存在價格高、交付周期長等問題,為填補國內該項系列產品的市場空白,瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術,利用特殊的耐壓環和晶胞設計,研發出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進口品牌壟斷的局面。

二、產品應用及特點

超高壓的器件主要應用場景為音響電源變頻器電源、逆變器DC-DC轉換、工業三相智能電表、LED照明驅動等輔助電源。

產品特點:

1.新型的橫向變摻雜技術、超高電壓,超小內阻;

2.散熱性能好,高溫漏電小,高溫電壓跌落小;

3.開關速度較低,具有更好的EMI兼容性;

4.產品性能高,可實現國產替代進口。

三、產品型號匹配應用

瑞森半導體超高壓MOSFET-RS9N90F產品匹配:

可替代國外品牌多個產品型號,如:意法STF9NK90Z, ON安森美FQPF9N90C。

超高壓MOSFET-RS9N90F漏源擊穿電壓高達900V,漏極電流最大值為9A,適用于LED照明驅動電源、變頻器電源、音響電源等。

RS9N90F的開啟延遲典型值為50nS,關斷延遲時間典型值為86nS,上升時間65nS,下降時間34nS,反向傳輸電容4pF,反向恢復時間550nS,正向電壓的最大值為1V。其導通阻抗典型值為1.2Ω,最大功耗為68W,最大結溫為150℃。此產品的儲存溫度在-55℃到150℃,可適用于大部分環境。

瑞森半導體超高壓MOSFET-RS3N150F產品匹配:

N溝道MOSFET--RS3N150F漏源擊穿電壓高達1500V,漏極電流最大值為3A,適用于逆變器、工業三相智能電表、DC-DC轉換等,可以替代3N150等型號參數的場效應管。例如,在工業三相智能電表上主要運用AC 380V變頻器反激式輔助電源其特點:

該MOS管VDS電壓1500V,在550V電壓上需留有1.5-2.5倍的余量,以2.5倍最高耐壓余量計算就是需要耐壓1375V,故需要應用到1500V耐壓的MOS管,而RS3N150F耐壓VDS電壓為1500V滿足應用需求;

其導通電阻為典型值5.5Ω,可降低導通損耗,降低輸入電源功耗;續漏極電流在25℃時最大額定值為3A,一般輔助電源功率在10幾V,電流余量可滿足功率需求,同時最大結溫為150℃,存儲溫度范圍均為-55℃到150℃,符合工業級溫度范圍,可完全適用于工業市場。

四、典型應用拓撲圖

poYBAGN3OZqAXmcCAAI3FqKNLCo769.png

五、瑞森半導體產品推薦

RS3N150F的VDS電壓是1500V,完全適合母線電壓高達800V的使用場景,并留有足夠的防擊穿余量,同時瑞森半導體還推薦如下產品選型:

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審核編輯:湯梓紅

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