電子發燒友網報道（文/梁浩斌）“碳化硅行業得襯底者得天下”，襯底作為SiC產業鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下，SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進，更大的襯底尺寸，意味著單片SiC晶圓能夠制造出的芯片數量更多，晶圓邊緣浪費減少，單芯片成本降低。

由于國內相關產業起步較晚，從以往SiC襯底量產節點來看，國際上4英寸SiC襯底量產時間比國內早10年左右，而6英寸拉近了差距，量產時間差大約在7年左右。不過隨著產學研結合的模式鋪開，以及相關產業的投資熱潮，帶動國內SiC襯底加速追趕國際領先水平。

最近天科合達在徐州發布了8英寸導電型SiC襯底，并公布了關鍵實測數據，表示多項指標均處于行業內領先水平。至于量產時間，公司透露8英寸的小規模量產時間定在2023年。

那么到底天科合達的襯底水平如何？官方的數據中，這次發布的8英寸SiC襯底EPD（蝕坑密度）小于4000/cm²、TSD（螺旋位錯）能達到100/cm²以下、BPD（基面位錯）達到200/cm²以下。

Wolfspeed在2021年曾分享過其當時8英寸SiC襯底的位錯圖，顯示TSD和BPD分別為289/cm²和684/cm²，單從這兩項數據上，確實天科合達的8英寸襯底已經超過Wolfspeed去年公布的數據。據了解，天科合達8英寸產品是基于6英寸MOS級的襯底進行研發，預計公司2025年底6英寸有效年產能可以達到55萬片，同時6到8英寸可以根據實際需求進行快速產能切換。

不過目前天科合達公布的產品指標，顯然距離大規模量產還有一段距離，最終的量產產品如何最快都要明年小規模量產，送樣下游外延或器件廠商后才能做出判斷。現階段從下游廠商對6英寸SiC襯底產品的反饋來看，國內供應商產品的缺陷、良率相比海外龍頭還有一定距離。

海外進度方面，SiC龍頭Cree（Wolfspeed）早在2015年就宣布成功研發出8英寸SiC襯底，直至2019年完成了首批樣品的制備。到了今年4月，Wolfspeed正式啟用了其位于美國紐約州的莫霍克谷工廠，這也是全球第一個8英寸SiC晶圓廠；9月，公司宣布工廠已建造完成，所有設備已就位，預計年底之前向客戶發貨，并在2024年達產。

除了Wolfspeed之外，ST、羅姆也早已實現8英寸SiC襯底小規模試產。或許是受到需求的推動，此前ST、羅姆都規劃在2024年開始大規模量產，但目前量產節點都被提前到了2023年。

其實國內8英寸SiC也有多家企業在進行研發，國內最早在2020年10月，爍科晶體就宣布成功研發8英寸SiC襯底，并在今年年初宣布實現8英寸N型SiC拋光片的小批量生產。今年8月，晶盛機電也宣布首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐；9月，在ICSCRM國際碳化硅及相關材料論壇上，天岳先進分享了公司8英寸SiC襯底的最新研發情況，已自主擴徑實現8英寸產品研發成功。

按照目前國內相關企業在8英寸SiC襯底上的進度，顯然再一次拉近了在SiC襯底上與國際領先水平的距離。相較于6英寸襯底量產的7年時間差，如果進度理想的話，8英寸SiC襯底量產時間與海外龍頭的差距可能會縮短至3年。