Nanodcal是一款基于非平衡態格林函數-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過程,是目前國內擁有自主知識產權的基于第一性原理的輸運軟件。可預測材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運性質。
迄今為止,Nanodcal 已成功應用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導體電子器件設計等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運性質研究的領域。
本期將給大家介紹Nanodcal材料學與化學 5.5-5.5.3的內容。
5.5. Si(100)表面重構: 用Device Studio進行幾何結構優化
盡管LDA和GGA可能無法在Si(以及大多數其他半導體)中產生合適的帶隙,但是在預測幾何特性時,這些“簡單”的DFT功能非常有能力。在這個簡短的教程中,我們將演示如何使用Device Studio研究Si(100)表面的所謂不對稱二聚體重構。
5.5.1 DeviceStudio構建幾何結構
(1)打開DeviceStudio,新建目錄Si100。
(2)從數據庫中導入,坐標文件Si100.hzw如下:
(3)在Z方向擴抱3倍→選中要刪除的原子delete→加H鈍化→設置Z方向晶格為26?,最終得到如下結構。
Si100處理后的結構圖
(4)建立nanodcal優化計算所需的輸入文件,如下:
Simulator→Nanodcal→Relax→Generatefile。
設置參數,K點改成9 9 1,然后點擊Generatefile。其他參數默認。產生自洽計算的輸入文件scf.input及基組文件H_LDA-DZP.nad,Si_LDA-DZP.nad右擊打開openwith,可查看,如下。
5.5.2 優化計算及本征態計算
連接服務器,在選擇服務器后,選中relax.input右擊run。等待計算完畢后點擊JobManager所示界面中的Action下的下載按鈕下載NanodcalObject.mat、log.tex文件。
5.5.3 結果分析
在計算的log.txt文件中我們得出如下數據:
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LDA
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10605 -
格林函數
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5803 -
Device Studio
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原文標題:產品教程|Nanodcal 材料學與化學(Si(100)表面重構: 用Device Studio進行幾何結構優化01)
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