概述

以STM32CUBEMX創(chuàng)建STM32F103工程，同時移植在GD32F303中，同時通過GD32303C_START開發(fā)板內(nèi)進行驗證。 需要樣片的可以加Qun申請：615061293。

硬件準備

這里準備了2塊開發(fā)板進行驗證，分別是GD32303C_START開發(fā)板。

開發(fā)板管腳配置

在GD32303C_START中的LED管腳配置如下所示。

不同速率對應(yīng)的波形

以PC3為例，在推挽輸出無上下拉情況下，輸出速率主要有4種，一般的低端MCU只有3種，沒有Very High。 下面是ST的配置圖。

在固件庫中，定義如下所示。

LOW速率

Medium速率

High速率

Very High速率

可以看到，在不同速率下，端口的反應(yīng)速度不一樣，設(shè)置最大輸出速率越大，響應(yīng)越快，對應(yīng)的噪聲也就越大。

輸出方式

在上圖中，P-MOS帶了一個?，說明是低電平導通。

上圖是GPIO的示意圖，有輸入和輸出，如果簡化為輸出，則如下所示。

模擬文件下載

https://download.csdn.net/download/qq_24312945/85250172

推挽輸出

推挽輸出的內(nèi)部電路大概是下圖這個樣子，由一個P-MOS和一個N-MOS組合而成，同一時間只有一個管子能夠進行導通。

當輸出高電平時候，P-MOS導通，N-MOS截至，此時電源電流入R5。

當輸出低電平時候，N-MOS導通，P-MOS截至，此時電流流入R5的為0。

線與

推挽輸出高電平與電源電壓基本上沒有壓差 高低電平的驅(qū)動能力較強，推挽輸出的電流都能達到幾十mA。 但是無法進行線與操作，做進行線與操作，那么電源和地就會短路，因為mos管電阻很小。 看下圖可以得知，電流通過Q3的P-MOS流到Q2的N-MOS，最終回到地。

開漏輸出

開漏輸出又叫漏極開漏輸出簡化后可以看作如下的示意圖。

若還是使用上面推挽的電路圖，當N-MOS為低電平時候，那么他的輸出就是一個高阻態(tài)。 可以看到，R5沒有電流通過，電壓也是接近于0，所以GPIO無法對外輸出高電平。

此時需要增加一個上拉，這樣的話上拉的電流就會流出去。 所以在開漏輸出情況下，需要增加一個上拉才能進行輸出高電平。

對于輸出低電平，他和推挽輸出差不多，電流通過N-MOS流到地中。

上圖是沒有增加上拉，但是開漏輸出模式都需要增加，增加上拉之后如下圖所示。 電流通過N-MOS流回地中。

輸出電壓

由于推挽輸出在輸出的時候是通過單片機內(nèi)部的電壓，所以他的電壓是不能改變的。 但是開漏輸出是通過外部上拉的電壓，所以可以改變開漏輸出模式下的電壓大小。 下圖是當上拉為5V時候，也是可以驅(qū)動出去的，這個上拉電壓最大值需要看單片機的耐壓。

審核編輯：湯梓紅