電子發燒友網報道（文/程文智）三星電子今年7月25日在韓國京畿道華城園區V1生產線（EUV專用）為采用了新一代全環繞柵極（Gate All Around，簡稱GAA）晶體管制程節點的3nm芯片晶圓代工產品舉行了出廠儀式。才過4個月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節點的良率問題也遲遲沒有得到改善。

其實，三星電子從2000年初就已經開始了對GAA晶體管結構的研究。自2017年開始，將其正式應用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動利用GAA技術的3納米工藝的量產。是全球首家將GAA晶體管結構用于晶圓制造的代工企業。據悉，我國的一家礦機芯片企業PanSemi（磐矽半導體）是三星電子的第一家客戶，目前也可能是其唯一的客戶。

據報道，三星電子為了解決良率問題，找到了美國的Silicon Frontline Technology，向這家企業尋求幫助。據說目前進展情況還不錯。

那么，三星電子在GAA上花的時間超過了20年，為何良率問題遲遲沒有得到解決呢？問題究竟出在了哪里？我們先從芯片的最基礎單元------晶體管結構的發展說起，然后看看有什么應對之策。

半導體芯片其實是眾多晶體管（Transistor）的集合，而晶體管其實就是一個小的開關。一個晶體管就代表了一個0或者1，也就是所謂的一個位元。在20nm以上的制程中，使用的晶體管被稱為金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET：Metal Oxide Semiconductor FET）；20nm~3nm，采用的是鰭式場效應晶體管（Fin FET：Fin Field Effected Transistor）；3nm以下，采用的則是全環繞柵極場效應晶體管（GAAFET：Gate All Around Field Effect Transistor）。

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