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廈門云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2022-11-30 17:07 ? 次閱讀

來源:云天半導體

廈門云天半導體繼九月初8&12吋 “晶圓級封裝與無源器件生產線”正式通線后,經過團隊的不懈努力, 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發終破2/2um L/S大關;

以下為部分工藝條件及成果展示:

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膠厚均勻性 3.4%

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CD開口均勻性 3%

Test Vehicle光罩下,測試了長線條&短線條,結果不論是在正性光阻還是負性光阻下, 2um的L/S下的線條都是完整而清晰的,而且沒有任何顯影不潔或過顯的外觀異常;

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2um 短線條(光刻后)

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2um長線條-負膠(光刻后)

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2um長線條-正膠(光刻后)

SEM切片效果圖如下,膠厚:3.308um,CD上開口:2.272um,CD下開口:1.716um,側壁垂直度約85.2°;

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2um孔徑SEM

2um長線條經過電鍍及種子層刻蝕后,線寬及線距均在工藝管控范圍內,未出現線路Peeling及斷短路等外觀異常;

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2um長線條-負膠(電鍍后)

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2um長線條-負膠(PVD刻蝕后)

廈門云天半導體目前量產化最小L/S為10/10um,工程樣品能力最小L/S為7/7um,2/2um的L/S工藝的成功開發是二期通線后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工藝還需進一步的開拓驗證,為后續量產化的導入做足準備。廈門云天半導體將持續追求“創新、卓越、合作、奮斗”的精神,不斷挑戰極限、勇攀高峰!

審核編輯黃昊宇

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