來源：半導體芯科技SiSC

第十五屆晶芯研討會

“復雜動蕩國際局勢下中國半導體制程供應鏈的應對之策”

已經成功舉辦了！

會議當天，演講嘉賓們的精彩分享

引起在線聽眾踴躍提問

由于時間原因

很多問題嘉賓們都未能及時回復

現在小芯與演講嘉賓共同整理了問題匯總

接下來

快來看看您的問題有沒有被解答呢？

問

1、請問如何看待臺積電搬遷到美國？我們該如何積極應對？

答

政治化的產物，對公司所言，無競爭優(yōu)勢，可能對營收有大的沖擊，對于臺積電員工是好機會，對技術優(yōu)勢倒不是太大的問題，問題是財務的破口可能成為技術創(chuàng)新失去競爭力。

問

1、特種氣體容器這邊，生產設備有什么難點？

答

國內基礎機加工對于特種容器的能力沒有問題，難點不在加工上，主要在幾個方面:

1.認證: 危化品需要有UN認證，這個在國內不普遍，而且這個標準是國外制定的。定期還得更新認證。對容器流轉的管理能力挑戰(zhàn)度很高。

在客戶端認證的困難度也很高，國內并無專責針對半導體客戶使用場景的測試標準及相關認證。也造成客戶不愿意成為第一個試驗者。

2.專利: 很多容器是受國外設備商/材料商以專利形式擁有獨家使用權，如欲使用需繳納高額的專利授權費用，或是投入大量的研發(fā)經費繞過專利。

3.國內市場體量不夠大，進而使容器的制造單價居高不下。

4.周邊配套的零件國內尚無法制作。如氣動閥、逆止閥，安全閥，等，目前均為日本及歐美供貨商壟斷。容器的制作時間，取決于閥門的到貨時間。

問

2、在這種材料和設備受限情況下，哪類產品受到的影響會大一些，比如功率器件等？

答

我們業(yè)內一般的分法是邏輯代工，儲存器、三代半導體，獨立組件，等，我個人認為對高階工藝產品影響較大，如28nm 以下，相關的設備和材料等是被禁運的主要對象。和什么產品倒比較沒有關系。主要是材料、裝備，設計軟件等。國外卡法也是以工藝節(jié)點來卡。

問

3、目前，針對晶圓fab和先進封裝廠，光刻膠，cmp研磨液，濕法刻蝕液，銅電鍍液等等，哪些材料目前國產替代最為成功？

答

這個是個人觀點了，我個人認為以濕法刻蝕液及特氣的替代最為成功。目前國產化程度較高，也對外出口。

問

4、確定晶圓級雜質時有哪些重要考慮因素？

答

這個問題我不確定是指硅片，還是材料，我分別說下：

1.硅片方面: 目前主要是以阻抗、導電率，及良率為主。內部的雜質業(yè)內對雜質已經非常了解，主要是金屬雜質的控制較為重要。因為這個直接影響芯片的良率。

2.工藝材料就會位工藝應用上不同而有不同的要求，像濕法蝕刻液，對金屬含量要求就非常高，在ppt 等級，針對不同的工藝節(jié)點，也會有不同的要求，130nm 要求就在ppm級，在28nm 以下，都在ppm級以下了。

問

5、之前聽別人提過，未來的氟碳類特氣發(fā)展趨勢是向氟碳比1:1靠攏，您怎么看呢？

答

是有這個說法，但目前看來，即使在1nm 工藝中也尚未使用1:1的氟碳類氣體，只能說目前還不成熟，以目前現有的碳氟類氣體在使用上尚能滿足客戶的要求。目前比較大的挑戰(zhàn)反而不在工藝上，而是GWP ，全球變暖指數，研發(fā)更低的GWP值的材料是業(yè)界的主要方向之一。

問

6、請問一下，光刻膠印刷這塊氦氣的用量可以簡單地分析一下嗎？

答

氦氣在光刻區(qū)，是用1.5% O2 混氦，或是1.2%氮氣混氦氣，不是主要材料的應用，用量非常少。氦用量一年少于100公斤。( 以量產5萬片的12吋代工廠來看) ，其它區(qū)用的也不多，主要用于測漏，或部分用于退火，因為早期氦太貴，都找了相對應替代的東西替代掉了。

問

1、一種14nm光刻需要多少種光刻膠？是否存在杜邦等國外公司限制1-2種A膠，就卡死產業(yè)鏈的問題？

答

20-30種, 目前看來不會。

問

2、光刻膠在半導體制造成本里占比大概多少？

答

整個芯片制造過程中可能需要進行數十次的光刻，光刻工藝成本占到整個芯片制造工藝的約三分之一，耗時約占整個芯片生產環(huán)節(jié)的40％－50％，光刻膠材料總成本占比約為5－6％。根據SEMI的預測，2021年掩模板、光刻膠、光刻膠配套試劑在半導體材料中的占比分別為13.1%， 12.6%和5.7%。

問

3、能否請教下飛凱光刻膠在第三代半導體制程中應用目前是什么狀況？占比怎樣？飛凱針對第三代市場后續(xù)的布局規(guī)劃是怎樣的？

答

iline+配套試劑

問

4、krf及arf的原料也基本依賴進口，請問一下，后續(xù)國內企業(yè)何時能夠實現大規(guī)模的替代？在沒有國產替代前，原料進口有保障嗎？

答

飛凱材料的主體樹脂可以自己合成。

問

5、目前國產替代進度最快的光刻膠是哪種?

答

PCB光刻膠中的濕膜光刻膠，幾乎能做到50％以上國產；LCD光刻膠中的彩色光刻膠和黑色光刻膠，5％左右能實現國產替代；半導體光刻膠中g線，i線光刻膠國產化率約10%。KrF、ArF作為高端光刻膠，我國的市占率僅1％，而更高端的EUV光刻膠目前處于研發(fā)階段。

問

6、請問從光刻膠研發(fā)角度來說，是人才的數量還是質量（例如在海外巨頭工作過，還是有博士學歷等等）更重要？

答

光刻膠開發(fā)存在大量know-how。有過成功研發(fā)經驗的團隊可以大大減少走彎路的時間。

問

7、光刻膠的保存時間，容器要求？

答

光刻膠對光敏感，在光照或高溫條件下其性能會發(fā)生變化。隨著保存時間的增加，光敏組分越來越多地從光刻膠中沉淀出來，這不僅會導致顯影速度降低，而且還會產生更高的暗腐蝕和較低的附著力。隨著使用時間的延長，每次打開瓶蓋都會使瓶子中填充的溶劑氣氛破壞掉，從而導致光刻膠溶劑的持續(xù)揮發(fā)（一般開蓋100次會有明顯的變化），甚至是1%的溶劑變化都會導致光刻膠的粘度變化。容器要求潔凈度高，顆粒、金屬析出等滿足COA要求。

問

8、國內（比如飛凱材料等）光刻膠在功率半導體領域的應用主要有哪幾種，哪些是替代國外材料而開發(fā)的？以I線為例，謝謝！

答

有可以替代國外材料的i-line高分辨率正膠，顯影液等。

問

1、 大宗氣站由投資模式怎么選，廠中廠，與廠外投資各有什么優(yōu)劣？

答

主流模式是廠中廠，性價比高；大規(guī)模的Fab和面板廠有廠外廠的模式，投資成本高，價格會高。如果工廠內有氣站土地規(guī)劃，建議廠中廠模式。

問

2、如何看待當今工業(yè)氣體對電子產業(yè)發(fā)展的供應鏈安全問題？

答

長期供應鏈安全及卡脖子問題，本土工業(yè)氣體推行國產化及研發(fā)實現自主可控是大趨勢。

問

3、在關鍵設備和材料的研發(fā)方面，宏芯有沒有哪些規(guī)劃和研究？

答

宏芯有清晰的規(guī)劃及研究，有計劃的實施推進中。

問

4、電子大宗氣體供應統(tǒng)應從哪些方面精度要求來保證氣體的品質及可靠性？

答

技術方案的確認（氣體品質要求、氣量爬坡計劃、主要設備品牌表）、氣站建設質量、氣站運行（人員配置與培訓、運行體系完善性及執(zhí)行、緊急供應方案）、外購氣體的物流配送保障（合格氣源的選擇及長期供應可靠性、品質管理流程及體系）、技術支持團隊等。

問

5、可否談下要實現國產替代，國內電子氣體供應商面臨著哪些苛刻的挑戰(zhàn)？

答

合格供應商認證、資金實力、團隊完整性、歷史經驗積累、成功案例。

問

6、特氣產業(yè)中有沒有專利卡脖子問題？

答

白總：有的，比如前軀體就有專利IP問題。

陳總補充：特氣產業(yè)中專利卡的較少。因為大多為傳統(tǒng)材料，專利大多在容器上。主要是設備商，及部分材料商與設備商合作時，做了一個深度的綁定，主要是卡在這個地方。另外，對于材料的不純物含量，一般以商業(yè)機密形式存在，而不是專利。實際上使用的特氣/材料，實際上的不純物控制才是真正難點。

問

7、國產氣體液體管路上的氟材料閥門，三通接頭可以符合要求，能大量替代進口產品嗎？

答

目前了解還不可以，還是需要進口。

問

8、請問白總，剛才提到的一些過濾系統(tǒng)等全進口的零部件，未來有沒有可能被美國禁運？如何解決？

答

這個應該不會被禁止，國產產品已經開始大量使用。

問

9、目前咱們這個電子級TEOS市場驗證什么進展？

答

目前宏芯氣體還沒有開發(fā)TEOS產品。

審核編輯黃昊宇