上一篇推文中我們已經說了，驅動繼電器的時候，通常我們會采用三極管來配合單片機IO口。至于為什么不直接用單片機IO口驅動，非得加個三極管，在上一篇推文中我們已經做過計算了。至于為什么采用三極管，更大的原因是因為三極管屬于流控型器件，也就是說三極管的這個電子開關的閉合與斷開是通過電流開控制的，并且所需要的電流非常小。三極管基極驅動電壓只要高于Ube(一般是0.7V)就能導通。

現在的大家都講究低功耗，供電電壓也越來越低，一般單片機供電為3.3V，所以它的I/O最高電壓也就是3.3V。

3.3V電壓肯定是大于Ube的，所以直接在基極串聯一個合適的電阻，讓三極管工作在飽和區就可以了。Ib=(VO-0.7V)/R2。根據公式計算，上圖中Ib的電流應該等于(5-0.7)/(4.7x1000),大于是0.918mA，實際仿真測試結果為0.628mA,基本符合實際值，三極管能正常開啟和閉合實現控制，可以正常的實現控制負載(此處為LED燈)。

到這可能會有硬件基礎好的小伙伴要說了，MOS管也可以啊，為什么非得用三極管呢?

其原因在于，MOS管是電壓控制型，驅動電壓必須高于閾值電壓Vgs(TH)才能正常導通，不同MOS管的閾值電壓是不一樣的，一般為3-5V左右，飽和驅動電壓可在6-8V。

前面說過現在單片機的供電基本都是3.3V，IO口最高電壓也是3.3V，大部分的MOS管的飽和電壓>3.3V，如果用3.3V來驅動的話，很可能MOS管根本就打不開，或者處于半導通狀態。在半導通狀態下，管子的內阻很大，驅動小電流負載可以這么用。但是大電流負載就不行了，內阻大，管子的功耗大，MOS管很容易就燒壞了。所以，一般選擇三極管來配合單片機IO口驅動。

當然，MOS管得驅動電流很大，在更多的需要大功率的驅動電路中，通過會采用但機關配合MOS一起來實現大電流的驅動運用場景，比如下面這個電路圖就是。

I/O口驅動三極管后再驅動MOS管

當I/O為高電平時，三極管導通，MOS管柵極被拉低，負載RL不工作。

當I/O為低電平時，三極管不導通，MOS管通過電阻R3，R4分壓，為柵極提供合適的閾值電壓，MOS管導通，負載RL正常工作。

結合以上的分析，相比大家應該都清除了，通常情況下大家習慣用三極管來連接單片機IO口實現驅動，是因為三極管是流控型器件，但是三極管的驅動能力比較弱。在需要大功率驅動的地方，通常會采用三極管再去控制MOS管實現最終的控制。

直接用MOS管來連接單片機的IO實現驅動也是可以的，但這樣的MOS管型號不好找。小編在立創商城上所搜了一下，也有這樣的器件，控制電壓最低可以到1V，驅動電流峰值2.3A，持續1.6A;相同封裝的三極管8050，驅動的Ic電流只能到600mA。

可見MOS管的驅動能力是三極管3-4倍，所以對負載電流有要求的都使用MOS管。大的驅動能力，帶來的會是成本的增加，搜索結果中MOS管的價格幾乎是三極管的10倍。

所以，在要求不高，成本低的應用場合，一般使用三極管作為開關管。

審核編輯：湯梓紅