2022年8月17日，由全球電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先媒體集團(tuán)ASPENCORE舉辦的IIC國際集成電路展覽會暨中國IC設(shè)計(jì)成就獎頒獎典禮在南京隆重舉行，憑借優(yōu)秀的技術(shù)產(chǎn)品化和商業(yè)化落地能力，維安(WAYON)自主設(shè)計(jì)研發(fā)的WMO05N100C2(1000V 3.5Ω TO-252/DPAK SJ-MOSFET)產(chǎn)品獲得2022中國IC設(shè)計(jì)成就獎之年度最佳功率器件/寬禁帶器件獎。

中國IC設(shè)計(jì)成就獎是中國電子業(yè)界廣泛認(rèn)可、最具專業(yè)性和影響力的獎項(xiàng)之一，旨在表彰在中國IC設(shè)計(jì)鏈中占據(jù)領(lǐng)先地位或展現(xiàn)卓越設(shè)計(jì)能力與技術(shù)服務(wù)水平、或具極大發(fā)展?jié)摿Φ淖罴?a target="_blank">公司、團(tuán)體、以及杰出個人，獲此殊榮，維安在此特別感謝IC設(shè)計(jì)成就獎的主辦單位及各位業(yè)界同仁們，感謝大家對我們的支持及肯定。

維安面向全球市場，在800V及以上超高壓產(chǎn)品進(jìn)行了大量的技術(shù)投入。經(jīng)過多年在超高壓SJ-MOSFET產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)積累，維安已開發(fā)出國內(nèi)領(lǐng)先的工藝技術(shù)，相應(yīng)小封裝高耐壓低導(dǎo)通電阻類產(chǎn)品可以做到行業(yè)內(nèi)較高水平，能夠?yàn)榭蛻籼峁└吖β拭芏鹊?00V及900V以上耐壓產(chǎn)品。維安1000V SJ-MOSFET產(chǎn)品利用電荷平衡原理，實(shí)現(xiàn)了高耐壓產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻特性，相比VD-MOSFET 結(jié)構(gòu)工藝產(chǎn)品，SJ-MOSFET具有更小封裝工藝和更好成本控制的雙重優(yōu)勢。

目前市場主流的1000V耐壓MOSFET產(chǎn)品多以TO-247、TO-3P甚至TO-268較大封裝為主，而維安1000V器件WMO05N100C2使用TO-252/DPAK貼片封裝工藝，內(nèi)阻低至3.5Ω，相比同規(guī)格VD-MOSFET產(chǎn)品 6-7Ω的內(nèi)阻水平下降近1倍。目前該類型產(chǎn)品在工業(yè)控制、中低壓配電等380V AC輸入場景中具有廣泛應(yīng)用前景。

獲獎產(chǎn)品曾獲得2016年上海張江國家自主創(chuàng)新示范區(qū)專項(xiàng)發(fā)展資金資助，榮獲“2018年上海市高新技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目”、“2019年度浦東新區(qū)科技進(jìn)步三等獎“、“2020年科創(chuàng)投杯海聚英才-銀聚獎”。

半導(dǎo)體是電子信息領(lǐng)域戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是支撐國家電子信息技術(shù)高速發(fā)展的基石產(chǎn)業(yè)，維安通過關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新，突破了傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件中耐壓和導(dǎo)通電阻之間相互制約的“硅限”問題，使得功率半導(dǎo)體器件在高耐壓、低功耗、小型化、集成化的方向具有更大的技術(shù)優(yōu)勢，為功率電源提供了可靠的核心器件，廣泛應(yīng)用到國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)生了良好的社會經(jīng)濟(jì)效益。

維安成立于1996年，以收入計(jì)，是國內(nèi)電路保護(hù)領(lǐng)域第一大企業(yè)，專注于電路保護(hù)與功率控制的元器件及半導(dǎo)體解決方案的設(shè)計(jì)、制造、銷售。公司通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，致力于成為電路保護(hù)與功率控制領(lǐng)域的全球領(lǐng)先品牌。

審核編輯黃昊宇