OFDR插損測量原理
光頻域反射技術(OFDR)可通過背向散射法測量整段光纖的回損曲線,利用回損和插損之間的關系可以得到整條曲線各個點的損耗。
圖1. 背向散射法測量原理
如圖1所示,假定DUT前后測量位置為1、2,其對應的光功率分別為P1、P2,對應的散射系數分別為α1、α2,則其對應的反射光功率分別為:Pr1=P1×α1、Pr2=P2×α2。
測量位置 | 1 | 2 |
光功率 | P1 | P2 |
散射系數 | α1 | α2 |
反射光功率 | Pr1=P1×α1 | Pr2=P2×α2 |
回損 | RL1=-10lg(Pr1/P0) | RL2=-10lg(Pr2/P0) |
DUT的插損為:IL=-10lg (P2/P1)。
1、2處的回損分別為:RL1=-10lg(Pr1/P0)、RL2=-10lg(Pr2/P0)。 當1、2處光纖的散射系數相同時,可推導出IL=(RL1-RL2)/2(背向散射法是反射式測量,光信號往返兩次經過DUT,因此需除以2)。
光纖連接損耗出現負值現象
光纖連接處只能引起損耗而不能引起“增益”,OFDR是通過對比連接處前后位置的回損強度來對連接處的損耗進行計算,當連接處前面光纖的回損強度大于后面光纖的回損強度時,會引起連接處插損出現負值的現象,從而引起所謂的“偽增益”。 如圖2所示,兩種不同的光纖熔接后,正向測試為-0.2dB的損耗(0.2dB的增益),反向測為0.4dB的損耗,實際上連接處始終會存在損耗,不可能出現增益情況。
圖2. 兩種不同光纖的熔接損耗圖
導致“偽增益”的主要原因是由于連接處前后兩種光纖的瑞利散射系數、模場直徑和折射率等有差異,此種情況經常出現在不同型號的兩種光纖熔接在一起時。這種“偽增益”會導致使用OFDR測得的損耗不準確,為了準確測量連接處的損耗,可以采用雙向平均法測試:使用OFDR分別從光纖的兩端對熔接處損耗進行測試,然后將兩次測量結果取平均后就是熔接處真實損耗。
測試驗證
這里測試了5種光纖(單模光纖、保偏光纖、聚酰亞胺光纖直徑125μm和80μm、特種光纖)兩兩熔接在一起后的熔接損耗,使用雙向平均法測試連接點損耗。圖3是光纖的連接示意圖,A和B為5種光纖中的任意兩種。
圖3. 光纖連接示意圖
假設x表示瑞利散射強度差,y表示連接損耗。當正向測量時,熔接點處的插損為a,則x+y=a(公式1);當反向測量時,熔接點處的插損為b,公式變為-x+y=b(公式2)。通過公式1和2的加減,可以測出兩種損耗的真實大小。 圖4、5為單模光纖與特種光纖連接時正向和反向測量得到的結果示意圖。
圖4. 正向測量
圖5. 反向測量
5種光纖兩兩連接進行測量,每組測量5組數據,取其平均值,用上述公式進行計算,得到測量結果如下表1、2所示。 表1. 不同種類光纖的連接損耗
單模光纖 | PI125光纖 | PI80光纖 | 特種光纖 | |
保偏光纖 | -0.071dB | -0.003dB | -0.164dB | -0.678dB |
單模光纖 | -0.059dB | -0.304dB | -0.937dB | |
PI125光纖 | -0.205dB | -1.049dB | ||
PI80光纖 | -0.045dB |
表2. 不同種類光纖的瑞利散射強度差
單模光纖 | PI125光纖 | PI80光纖 | 特種光纖 | |
保偏光纖 | -0.093dB | -0.127dB | -0.232dB | -2.598dB |
單模光纖 | -0.169dB | -0.454dB | -2.862dB | |
PI125光纖 | -0.237dB | -2.567dB | ||
PI80光纖 | -1.331dB |
同時我們也有使用功率計來測量兩兩光纖熔接時的真實損耗,首先功率計直接連接設備出光口,測得出光口光功率為1.636mW,然后按圖6進行連接,這里例舉單模光纖和特種光纖,功率計測得光功率為1.012mW,通過公式10lg(Pout/Pin)可計算出損耗為-2.086dB,但由于鏈路中有兩個連接點,則一個連接點的損耗為-1.043dB。與表1中單模光纖和特種光纖連接損耗僅差0.106dB。
圖6. 功率計測試連接點損耗示意圖
結論
使用OFDR測量不同種類光纖連接損耗有兩種方法:
使用雙向平均法測量不同種類光纖的連接損耗;
通過提前測量不同種類光纖之間的瑞利散射強度差,然后用背向散射法測得的損耗減去(或加上)瑞利散射強度差,就可以得到真實連接損耗。
審核編輯:郭婷
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原文標題:【光電通信】不同種類光纖的連接損耗測量
文章出處:【微信號:今日光電,微信公眾號:今日光電】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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