色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

使用虛擬實驗設計預測先進FinFET技術的工藝窗口和器件性能

泛林半導體設備技術 ? 來源:泛林半導體設備技術 ? 2023-01-06 10:48 ? 次閱讀

負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響,并且它會隨著 FinFET(鰭式場效應晶體管)器件工藝的持續微縮變得越來越重要。當晶圓的局部刻蝕速率取決于現有特征尺寸和局部圖形密度時,就會發生負載效應。刻蝕工藝 loading 帶來的器件結構上的微小變化可能會對器件良率和性能產生負面影響,例如在偽柵多晶硅刻蝕過程中,由于刻蝕的負載效應,可能會在柵極和鰭結構交叉區域產生多晶硅邊角殘留,進而造成 FinFET 結構的改變,并直接影響 FinFET 柵極的長度和電學性能。多晶硅邊角殘留對良率和器件性能的影響,包括可接受的殘留的尺寸大小,可使用 SEMulator3D提前預測。

FinFET器件的多晶硅邊角殘留

建模和工藝窗口檢查

多晶硅邊角殘留會在鰭片柵極交叉區域產生金屬柵極凸起。這些凸起可以在許多不同的 FinFET 節點上找到,多晶硅邊角殘留通常在偽柵多晶硅刻蝕工藝中形成。

27ff836c-8d44-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖1:在不同高度生成的3D邊角殘留及其輪廓

我們在 SEMulator3D 中構建了一個使用 SRAM111 結構的 5nm logic 虛擬工藝模型,以研究多晶硅刻蝕殘留的行為。在這個模擬的多晶硅刻蝕工藝中,SEMulator3D 使用了圖形負載刻蝕來模擬多晶硅殘留輪廓。圖1(左)顯示了計算機生成的多晶硅殘留結構,不同高度(鰭片頂部、中部和底部)的多晶硅輪廓見圖1(右)。

在該模擬器件發生結構硬失效(如短路)之前,多大的多晶硅邊角刻蝕殘留是可以被接受的,可以通過在虛擬 DOE(實驗設計)中測試100種殘留寬度和高度的組合來研究這個問題。我們測量了虛擬制造過程中關鍵步驟的導體結構數量,作為了解器件中是否有短路或故障(如源漏外延與偽柵多晶硅之間的短路)的一個指標 。如果殘留物太大并使偽柵多晶硅與源漏外延層短接,那么結構中導體結構 (net) 的數量將小于3。圖2所示的等高線圖包含不同殘留寬度和高度下的導體結構數量,綠色區域顯示,可以把器件源漏柵3個導體結構區分開的器件結構。考慮到殘留寬度和高度的潛在制造差異(可能分別為1.5nm和5nm),安全的工藝窗口需要往左下方做適當平移(如藍色虛線所示)。

28136f4e-8d44-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖2:包含不同殘留物寬度和高度下導體結構數量的等高線圖

多晶硅邊角殘留

對FinFET器件性能的影響

使用可接受的多晶硅殘留(沒有硬失效)之后,我們模擬了器件電學性能。結果表明,較大的殘留實際上有益于開啟狀態下的驅動電流提升、關斷狀態下漏電流、亞閾值擺幅和漏致勢壘下降 (DIBL) 的減小。與無殘留的理想結構相比,它可以通過更高的開啟狀態電流 (108%) 和更低的關斷狀態漏電流 (50%) 提高器件性能。為了進一步了解該器件性能提升的機制,我們研究了存在較大殘留時鰭片底部的開啟和關斷狀態下的電流密度分布(見圖3)。

開啟狀態時,如果存在多晶硅殘留,通道長度會加大,殘留覆蓋了源極/漏極和柵極之間的部分串聯電阻區,從而使這個區域的串聯電阻減小,導致驅動電流增大;器件關斷時,源極和漏極之間的大部分鰭片區域都可以由柵極控制。因此,當存在多晶硅殘留時,源極和漏極之間的電阻較高,并帶來較低的關斷漏電流。

2823033c-8d44-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖3:鰭片底部的通/斷態電流分布(上圖:無殘留,下圖:有殘留)

結論

本文中,我們使用了 Coventor SEMulator3D 來研究 5nm FinFET 工藝中的工藝窗口以及多晶硅邊角刻蝕殘留對器件性能的影響。這項研究幫助我們更好地了解不同偽柵多晶硅殘留尺寸下可接受的工藝窗口和相關器件性能。我們的研究表明,不必追求多晶硅邊角殘留的最小化,而是可以通過控制多晶硅殘留的尺寸,在不損失良率的同時獲得器件性能的提升。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9684

    瀏覽量

    138091
  • FinFET
    +關注

    關注

    12

    文章

    248

    瀏覽量

    90209
  • 負載效應
    +關注

    關注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    2774

原文標題:使用虛擬實驗設計預測先進FinFET技術的工藝窗口和器件性能

文章出處:【微信號:泛林半導體設備技術,微信公眾號:泛林半導體設備技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    5nm及更先進節點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

    與比利時微電子研究中心?(imec) 的合作中,使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案,運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法,
    的頭像 發表于 05-07 14:10 ?7749次閱讀
    5nm及更<b class='flag-5'>先進</b>節點上<b class='flag-5'>FinFET</b>的未來:使用<b class='flag-5'>工藝</b>和電路仿真來<b class='flag-5'>預測</b>下一代半導體的<b class='flag-5'>性能</b>

    借助虛擬工藝加速工藝優化

    二維 (2D) 設計規則檢查 (DRC) 已不足以用來規范設計以達成特定性能和良率目標的要求。同時完全依賴實驗設計 (DOE) 來進行工藝表征和優化也變得難以操作。
    發表于 07-03 16:27 ?1392次閱讀
    借助<b class='flag-5'>虛擬</b><b class='flag-5'>工藝</b>加速<b class='flag-5'>工藝</b>優化

    labview實驗設計

    本人是labview的初學者,對于實驗設計還一竅不通,希望大家多多幫助,謝謝...設計 一、 多路信號發生器(1~10)l可輸出雙路正弦波(方波、三角波)信號,其相位差可調。l信號的頻率、幅值
    發表于 05-28 09:50

    基于labview的高頻電子虛擬實驗設計

    求一基于labview的高頻電子虛擬實驗的設計,本人在做畢業設計,望各位大俠幫忙!!!不勝感激!!最好有源程序,請發到389510391@qq.com,再次感謝!!!基本要求1、包含實驗內容、
    發表于 04-26 12:34

    基于LabVIEW的虛擬示波器仿真實驗設計

    基于LabVIEW的虛擬示波器仿真實驗設計
    發表于 04-26 17:59

    基于FinFET IP的數據轉換器設計

    工藝技術的演進遵循摩爾定律,這是這些產品得以上市的主要促成因素。對整個行業來說,從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個重要里程碑。這一過渡促使工藝技術經過了幾代的持續演進,并且減小
    發表于 07-17 06:21

    實驗設計基礎

    實驗設計的意義:應用數理統計學的基本知識,討論如何合理地安排試驗、取得數據,然后進行綜合科學分析,從而盡快獲得最優組合方案。在工程學領域是改進制造過程性能的非常
    發表于 06-29 14:20 ?18次下載

    Xilinx與臺積電合作采用16FinFET工藝,打造高性能FPGA器件

    ,采用臺積公司先進的16納米FinFET (16FinFET工藝打造擁有最快上市、最高性能優勢的FPGA
    發表于 05-29 18:21 ?989次閱讀

    最優實驗設計與Laplacian正則化的WNN的非線性預測控制_

    最優實驗設計與Laplacian正則化的WNN的非線性預測控制_任世錦
    發表于 01-08 11:20 ?6次下載

    基于STM32的步進電機轉速控制實驗設計

    基于STM32的步進電機轉速控制實驗設計
    發表于 09-28 16:00 ?79次下載
    基于STM32的步進電機轉速控制<b class='flag-5'>實驗設計</b>

    燃氣輪機剩余使用壽命預測方法及實驗設計

    燃氣輪機剩余使用壽命預測方法及實驗設計
    發表于 07-05 15:37 ?20次下載

    使用虛擬實驗設計加速半導體工藝發展

    實驗設計(DOE)是半導體工程研發中一個強大的概念,它是研究實驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經過精心設計,工程師就可以使用有限的
    的頭像 發表于 04-13 14:19 ?714次閱讀

    使用虛擬實驗設計加速半導體工藝發展

    作者: Coventor(泛林集團旗下公司)半導體工藝與整合(SPI)高級工程師王青鵬博士 摘要:虛擬DOE能夠降低硅晶圓測試成本,并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積 實驗設計(D
    的頭像 發表于 04-18 16:28 ?546次閱讀
    使用<b class='flag-5'>虛擬</b><b class='flag-5'>實驗設計</b>加速半導體<b class='flag-5'>工藝</b>發展

    使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

    持續的器件微縮導致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝
    的頭像 發表于 11-16 16:55 ?571次閱讀
    使用<b class='flag-5'>虛擬</b>制造評估<b class='flag-5'>先進</b>DRAM電容器圖形化的<b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>窗口</b>

    工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

    工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
    的頭像 發表于 11-23 09:04 ?428次閱讀
    以<b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>窗口</b>建模探索路徑:使用<b class='flag-5'>虛擬</b>制造評估<b class='flag-5'>先進</b>DRAM電容器圖形化的<b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>窗口</b>
    主站蜘蛛池模板: 99精彩视频在线观看| babesvideos欧美最新| 99久久免费看国产精品| 俄罗斯爱爱| 久久sese| 三级黄毛片| 伊人久久电影网| 动漫AV纯肉无码AV电影网| 九九热伊人| 日日操天天操夜夜操| 一个人在线观看免费中文www| 不卡一区二区高清观看视频| 海量激情文学| 日本不卡不码高清免费| 亚洲人成网站7777视频| xiah俊秀| 久久全国免费久久青青小草| 色偷偷网址| 607080老太太AW| 国产主播福利一区二区| 欧美性视频xxxxhd| 一区二区三区毛AAAA片特级| 福利社影院| 免费视频xxx| 亚洲欧洲日产国码久在线| 成人永久免费视频网站在线观看| 久久国产综合精品欧美| 小护士大pp| 办公室激情在线观看| 久久综合色悠悠| 亚欧免费观看在线观看更新| yellow免费观看直播| 久久这里只精品国产99re66| 亚洲a免费| 国产白丝精品爽爽久久蜜臀 | 国产在线一卡二卡| 日本ccc三级| 5566精品资源在线播放| 护士日本xx厕所| 無码一区中文字幕少妇熟女H| xxx日本高清视频hd|