高密度互連(high-density interconnect，簡稱HDI)設計要求設計師具有一些不同的想法。首先要考慮的重點是是否需要HDI，如果需要，需要多少。

只要采購任何引腳間距為0.5mm的元器件，就會影響HDI選項。

這些元器件的數量及設計的其他技術規范將決定所需要的HDI量。

以下是HDI選項清單：

·更小的通孔

·更小的走線

·更薄的介質

·更密的阻焊層間隙

·受控膏狀掩模結構

每個選項都會帶來影響制造及組裝的選擇，因此在做出這些選擇之前需要進行一些研究。

本文將只探討前兩個選項，因為它們通常會決定貴公司想要使用哪種制造工藝。

更小的通孔有多種可選項 ：

具有貫穿通孔的盲孔

這是最佳選擇。它會增加一點成本，但同時能夠將元器件放在PCB的兩側，而不必受具有不同網相對焊盤的限制。

具有貫穿通孔的盲孔和埋孔

此選項提供了最大的布線控制；然而，它也會增加成本。

僅有貫穿通孔

雖然這種選擇可以降低制造成本，但它限制了分支、布線、通孔尺寸和元器件放置。

更小的通孔取決于板的縱橫比。

保持PCB盡可能薄，如果電路板厚度小于等于50 mil[1.27mm]，大多數制造商可以生產更小的通孔，最小可達6mil[0.15mm]，而無需額外增加成本。

A-SAP和mSAP工藝都可用于電鍍孔。

同樣，厚徑比也會有所不同。

還有，需要多厚鍍層？是用導電材料還是非導電材料填塞通孔？

更窄的走線

選用多窄的走線取決于所選擇的制造工藝以及元器件引線間距。

在確定工藝之前，了解A-SAP和mSAP之間的差異非常重要。

標準的減成法蝕刻工藝從超薄的銅箔開始，蝕刻電路圖形，然后為形成的走線和銅特征增加銅厚。

圖1是IPC-6012中規定的起始銅厚表。

當使用基本芯材時，mSAP通常從四分之一盎司銅厚度開始，A-SAP從裸介質開始，增加0.2μm的薄化學鍍銅。

圖1顯示了加成法工藝后的典型銅厚度。

最終會形成梯形結構，具體取決于光致抗蝕劑。

A-SAP工藝不會形成梯形結構走線。

基底銅越厚，越必須從梯形結構開始。

兩種工藝都可以從典型的金屬箔開始。

當采用加成法工藝時，mSAP通常從更厚的銅箔開始，A-SAP則從更薄的銅基底開始。

Averatek公司的Steve Iketani和Mike Vinson在2019年7月的《PCB007 Magazine》雜志上發表了一篇詳細介紹該主題的文章。

A-SAP和mSAP在使用液態金屬油墨(Liquid metal ink ，簡稱LMI)的初始銅厚度制造中都可采用加成法或減成法工藝。

當使用LMI涂布起始銅時，如圖2所示，與層壓板界面處的密度顯著增加。




現在，工藝流程變得非常不同。走線形狀、銅厚度和寬度也非常不同。圖3顯示了走線結構實例。

審核編輯：劉清