在共射接法的放大電路中，在低頻小信號作用下，將晶體管看成一個線性的雙端口網路，利用網絡的H參數來表示輸入端口、輸出端口的電壓與電流的相互關系，便可得出等效電路，稱之為共射H參數等效模型。 這個模型只能用于放大電路低頻動態小信號參數的分析。

關鍵詞：共射H參數等效模型;

01三級管H參數等效模型

將晶體管看成一個雙端口網絡，并以b-e作為輸入端口，并以c-e作為輸出端口，如圖1-1所示：

圖1-1 晶體管雙端口網絡結構

則網絡外部的端電壓和電流關系就是晶體管的輸入特性和輸出特性，如圖1-2、1-3所示：

圖1-2 輸入特性

圖1-3 輸出特性

可以根據圖1-1寫出關系式為：

式(1.1)中uBE、iB、uCE、iC均為各電量的瞬時總量，為了研究低頻小信號作用下各變化量之間的關系，對式(1.1)兩邊求全微分，得出：

由于duBE代表uBE的變化部分，可以用Ube取代; 同理diB可用Ib取代，diC可用Ic取代，duCE可用Uce取代，根據電路原理網絡分析知識，可從式(1.2)得出H參數方程：

其中式(1.3)中H參數的各個參數可以求得：

式(1.3)第一項表示，電壓Ube由兩個部分組成，第一項表示由Ib產生一個電壓，因而H11為一電阻; 第二項表示由Uce產生的一個電壓，因而H12是無量綱的; 所以三極管b-e間等效成一個電阻和一個電壓控制的電壓源串聯。

式(1.3)第二項表示，電流Ic也由兩部分組成，第一項表示由Ib控制產生一個電流，因而H21無量綱; 第二項表示由電壓Uce產生一個電流，因而H22為電導; 所以三極管c-e間等效成一個電流控制的電流源與一個電阻并聯。

這樣，得到晶體管的等效模型如圖1-4所示。 由于H參數的四個參數的量綱不同，隨意稱為H(混合)參數，由此得到的等效電路稱為H參數等效模型。

圖1-4 H參數等效模型