主側(cè)墻和N+/P+源漏的形成
主側(cè)墻（Main Spacer）和N+/P+ 源漏（S/D）的形成
形成主側(cè)墻和n+/p+源漏的工藝示意圖如圖所示。
首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅(qū)的CVD氧化物，簡(jiǎn)稱(chēng)TEOS-ox）和氮化硅的復(fù)合層，并對(duì)TEOS-ox和氮化硅進(jìn)行等離子體蝕刻，形成復(fù)合主側(cè)墻。
然后對(duì)n-MOS和P-MOS區(qū)域分別進(jìn)行自對(duì)準(zhǔn)的n+和p+注入形成源漏。RTA和尖峰退火被用于去除缺陷，并激活在源漏注入的雜質(zhì)。?
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：前段集成工藝（FEOL）-5
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