當(dāng)前工業(yè)環(huán)境下，越來(lái)越多的變頻、整流器、逆變器等設(shè)備被使用，實(shí)際的電氣波形越來(lái)越多樣化。傳統(tǒng)鉗形表在這種趨勢(shì)下局限性逐漸凸顯，如讀數(shù)不準(zhǔn)確、密集排線難以鉗入、功能單一安全性不足等。 DT-3369T-BT是華盛昌設(shè)計(jì)、研發(fā)和生產(chǎn)的一款1000A交直流真有效值數(shù)字鉗形表，功能強(qiáng)大，性能優(yōu)良，可以測(cè)試1000A交直流電流、600V交直流電壓、電阻，電容、頻率、占空比、溫度，具備浪涌電流測(cè)試、連續(xù)性測(cè)量、二極管測(cè)試和帶NCV非接觸式電壓感應(yīng)，

人工智能的發(fā)展對(duì)高性能計(jì)算、可持續(xù)技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)硅片的需求激增，這推動(dòng)了研發(fā)投資的增加，加速了半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新進(jìn)程。然而，隨著摩爾定律在單個(gè)芯片層面逐漸放緩，業(yè)界開(kāi)始探索在ASIC封裝中集成更多芯片的可能性，以期在封裝層面延續(xù)摩爾定律帶來(lái)的性能提升。 ASIC封裝，這一用于承載多個(gè)芯片的構(gòu)造，傳統(tǒng)上主要由有機(jī)基板構(gòu)成。這些有機(jī)基板大多由樹(shù)脂（特別是玻璃增強(qiáng)的環(huán)氧層壓板）或塑料材料制成。根據(jù)具體的封裝技術(shù)，芯片可能直

在現(xiàn)如今精密電子行業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)電子元器零部件時(shí)，一般會(huì)用到的焊接工藝有烙鐵焊，回流焊，波峰焊和激光錫焊這四種。下面將聊下這四種工藝的比較。 烙鐵焊接工藝原理特性 烙鐵焊工藝圖示 采用電烙鐵作為加熱工具，將焊料熔化在被焊接物上。焊料的熔點(diǎn)一般低于被焊接物的熔點(diǎn)，因此在加熱過(guò)程中，焊料會(huì)先于被焊接物熔化，從而形成熔池。傳統(tǒng)焊接工藝因其工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，常用于連接簡(jiǎn)單的金屬和塑料零件。 焊錫是熔點(diǎn)比較低的焊料，在

一、引言 運(yùn)放電路中電容的常見(jiàn)身影 在運(yùn)放電路里，我們常常能看到電容出現(xiàn)在一些特定的位置，比如電源 VCC 到地之間，反饋輸入輸出引腳之間，以及正負(fù)兩輸入端之間。即便電路中沒(méi)有這些電容，似乎也能夠正常工作，可在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，一般都會(huì)添加上它們。那這些不同位置的電容究竟有著怎樣的作用呢？這值得我們深入去探討一番，接下來(lái)就為大家詳細(xì)介紹各個(gè)位置電容所發(fā)揮的重要作用。 二、電源 VCC 上電容的作用 （一）濾波功能解析

在工業(yè)電子設(shè)備中，過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET 散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流。 可靠的工業(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路，以防止電源線路出現(xiàn)過(guò)壓，從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過(guò)壓現(xiàn)象可能在電源線路

單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結(jié)構(gòu)如圖1所示，由兩個(gè)半橋 圖1單相全橋電路拓樸結(jié)構(gòu) 電路組成，以1800 方波為例說(shuō)明單相全橋電路的工作原理，功率開(kāi)關(guān)元件Q1 與Q4 互補(bǔ)，Q2 與Q3 互補(bǔ)，當(dāng)Q1 與Q3 同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電壓U0= +Ud；當(dāng)Q2 與Q4 同時(shí)悼通時(shí)，負(fù)載兩端U0= -Ud，Q1 Q3 和Q2 Q4 輪流導(dǎo)通，負(fù)載兩端就得到交流電能。 圖2全橋輸出電壓、電流波形 假設(shè)負(fù)載具有一定電感，即負(fù)載電流落后與電壓? 角度，在Q1Q3 功率管柵極

? 市面上LED產(chǎn)品百花齊放，應(yīng)用場(chǎng)景非常多樣化。很多LED產(chǎn)品需要一個(gè)核心部件，就是LED驅(qū)動(dòng)板，本期主要講解它是如何工作的。 LED驅(qū)動(dòng)板主要是對(duì)LED實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)和控制，包括色溫、亮度、開(kāi)關(guān)控制等，它通常包括整流濾波電路、高頻轉(zhuǎn)換電路、副邊整流濾波和控制電路組成，這幾個(gè)電路通常需要用到橋堆、二極管、三極管、MOS和電阻、電容、電感等元器件產(chǎn)品。 LED驅(qū)動(dòng)板的工作原理是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，并通過(guò)電子元器件調(diào)整電流和電壓，以滿足

ME32G070支持多種開(kāi)發(fā)環(huán)境，資料鏈接為ME32G070介紹和資料下載。因?yàn)槲业碾娔X有MDK環(huán)境，所以只需要下載MDK的支持包并進(jìn)行安裝就可以開(kāi)發(fā)ME32G070了。ME32G070給的例程也是非常豐富，但是依賴的文件與工程文件在同一個(gè)文件夾下，移到比較麻煩，所以自己新建了一個(gè)工程。 MDK新建工程也是非常簡(jiǎn)單的，首先是打開(kāi)MDK軟件，點(diǎn)擊Project-->New μVision Project。 然后是確定工程名稱和工程保存路徑。 之后是確定設(shè)備芯片，如果MDK的支持包安裝好后可以選到如下的芯片型號(hào)Mesilicon-->ME32G070 Series-->ME32G070RBx6 選擇好后會(huì)進(jìn)入一些運(yùn)行環(huán)境的選擇，這個(gè)可以忽略掉。 然后可以先在工程文件夾下新建兩個(gè)文件夾，分別是cmsis和app，cmsis文件夾下也新建了Driver文件夾。cmsis文件夾主要放啟動(dòng)文件、系統(tǒng)文件和時(shí)鐘初始化文件等；Driver文件夾主要放芯片外設(shè)驅(qū)動(dòng)文件；app文件夾主要放用戶文件。可以自定義文件夾名稱，但是文件不能少。app文件夾下的Demo文件復(fù)制例程led pb10下的Demo文件，主要實(shí)現(xiàn)的功能是讓LED9閃爍。然后是右鍵工程文件，點(diǎn)擊Manage Project Items進(jìn)行工程項(xiàng)目管理，按照如下的配置進(jìn)行設(shè)置。所涉及的文件在例程文件夾下的cmsis文件夾下。 然后是點(diǎn)擊Options for Target（也就是魔術(shù)棒）進(jìn)行工程配置。 然后是修改編譯版本 之后是將所有.h文件的路徑進(jìn)行配置 由于Flash Download地址和大小沒(méi)有配置號(hào)，所以需要進(jìn)行修改，點(diǎn)擊Debug 只需要將已經(jīng)添加好的Flash地址和大小進(jìn)行修改就可以，起始地址為0x08000000，大小為0x00020000。.hex文件的生成和map文件的配置都可以結(jié)合自己的情況進(jìn)行配置。配置好后進(jìn)行全編譯，編譯結(jié)果如下 用ST-Link也可以下載程序，只需將Debug改成ST-LInk即可。下載后的效果如下 新建工程文件

本篇實(shí)現(xiàn)一個(gè)簡(jiǎn)單的功能：按鍵點(diǎn)燈 也就是按下按鈕（SW1：P005）燈點(diǎn)亮（LED1：P207） 電路如下圖： 或者說(shuō)實(shí)現(xiàn)功能：P005為低電平時(shí)，P207為高電平。 有兩種方式實(shí)現(xiàn)： 1：輪詢，CPU不停地檢測(cè)P005的輸入電平狀態(tài)，如果為低電平，則輸出P207為高電平。 2：中斷，CPU待機(jī)，中斷服務(wù)器一直待命，若檢測(cè)到中斷，判斷是誰(shuí)觸發(fā)的，檢測(cè)到是P005（上升沿），則輸出P207為高電平。 這兩種方式，很顯然中斷的方式CPU負(fù)荷低，不用一直工作，而且功能多樣，可以上升沿/下降沿觸發(fā)，輪詢就不行了。 下面我們分別測(cè)試兩種方式的實(shí)現(xiàn)： 1：輪詢 首先設(shè)置P005為輸入P207為輸出。 頭部定義一個(gè)狀態(tài)變量key，用于傳遞高低電平 bsp_io_level_t僅有低電平和高電平兩種狀態(tài) bsp_io_level_t key; 在hal_entry中添加代碼： void hal_entry(void) { /* TODO: add your own code here */ while(1) { R_IOPORT_PinRead(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_00_PIN_05, &key); if(key == 0) R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_02_PIN_07, BSP_IO_LEVEL_HIGH); else R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_02_PIN_07, BSP_IO_LEVEL_LOW); } } 2：中斷 中斷的方式稍微復(fù)雜點(diǎn)： 在設(shè)置P005為輸入時(shí)，還要設(shè)置IRQ為IRQ10-DS P207設(shè)置輸出方式同輪詢中一樣。 接下來(lái)我們?cè)赟tack選項(xiàng)卡中，新建輸入中斷，中斷名稱采用默認(rèn)： g_external_irq0 選擇新建好的中斷g_external_irq0 在底部屬性選項(xiàng)卡設(shè)置如下： 最重要的是設(shè)置好Channel（通道為10，剛剛在Pin設(shè)置時(shí)選好的） 觸發(fā)方式可選：上升沿（Rising）/下降沿（Falling）/Both（前述兩種）/Low Level（低電平，有點(diǎn)像前述輪詢方式） 還要設(shè)置好Callback函數(shù)，也就是中斷函數(shù)，名字自己取：key_in voidhal_entry(void) { /* TODO: add your own code here */ R_ICU_ExternalIrqOpen(&g_external_irq0_ctrl, &g_external_irq0_cfg); R_ICU_ExternalIrqEnable(&g_external_irq0_ctrl); while(1); } voidkey_in(external_irq_callback_args_t *p_args) { /* 判斷中斷通道 */ if (10 == p_args->channel) { R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_02_PIN_07, BSP_IO_LEVEL_HIGH);// 按鍵KEY按下，LED高電平點(diǎn)亮 } } R_ICU_ExternalIrqOpen(&g_external_irq0_ctrl, &g_external_irq0_cfg); R_ICU_ExternalIrqEnable(&g_external_irq0_ctrl); 上述兩句是開(kāi)啟中斷 if (10 == p_args->channel) { R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_02_PIN_07, BSP_IO_LEVEL_HIGH);// 按鍵KEY按下，LED高電平點(diǎn)亮 } 上述函數(shù)是判斷哪個(gè)通道產(chǎn)生中斷，進(jìn)而執(zhí)行對(duì)應(yīng)動(dòng)作。 本次體驗(yàn)就到這里。

收到《大話芯片制造》這本書有一周了，現(xiàn)在寫第二篇讀后感！ 我也看了朋友們寫的讀后感，給我耳目一新的感覺(jué)，從頭到尾，圖文并茂解釋很到位！其中感覺(jué)芯片制造過(guò)程，就像在針尖上跳舞，難度系數(shù)無(wú)法理解！來(lái)，上圖片看看！

近日，贛鋒鋰業(yè)及子公司在2024阿根廷＆拉丁美洲鋰業(yè)峰會(huì)、阿根廷英國(guó)商會(huì)以及虎嗅“2024可持續(xù)品牌典范榜”上，分別斬獲了“ESG最佳實(shí)踐獎(jiǎng)”、“可持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)力獎(jiǎng)”以及“環(huán)境友好獎(jiǎng)”，以鼓勵(lì)贛鋒在推動(dòng)可持續(xù)運(yùn)營(yíng)模式、低碳環(huán)保計(jì)劃和積極的社區(qū)文化交流等方面所取得的進(jìn)展。 ESG最佳實(shí)踐獎(jiǎng) 2024年11月20日-21日，在The Net Zero Circle組織的第三屆阿根廷＆拉丁美洲鋰業(yè)2024峰會(huì)頒獎(jiǎng)典禮上，贛鋒鋰業(yè)子公司Litio Minera Argentina榮獲“ESG最佳實(shí)踐獎(jiǎng)”。The

在項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中，遇到一個(gè)布爾的二維數(shù)組輸入控件，選中數(shù)組元素并索引出行列的操作，試過(guò)其他大佬的方法，不是特別精準(zhǔn),，嘗試一下還可以，分享給需要的朋友 *附件：選中二維數(shù)組元素并索引所在的行和列.rar

在美東時(shí)間12月20日，陪審團(tuán)作出裁定在關(guān)鍵問(wèn)題上支持高通，?為期5天的Arm與高通糾紛案落下帷幕；高通打贏芯片授權(quán)戰(zhàn)。 美國(guó)特拉華州聯(lián)邦法院的陪審團(tuán)裁定，高通在未支付更高的授權(quán)費(fèi)的情況下，將Arm芯片產(chǎn)品整合到自己的芯片中，并未違反協(xié)議條款。Arm的證據(jù)未能充分證明高通違反了Nuvia的ALA協(xié)議。而高通的證據(jù)證明包括收購(gòu)Nuvia獲得專利在內(nèi)的CPU研發(fā)符合其ALA協(xié)議。 高通在一份聲明中表示：“陪審團(tuán)證明了高通的創(chuàng)新權(quán)利是正確的，并確認(rèn)本案

# Logging ------------------------------------- tensorboard>=2.4.1 # wandb # Plotting

。 生態(tài)系統(tǒng) ：擁有龐大的社區(qū)和豐富的資源，包括TensorFlow Hub、TensorBoard等工具。 易用性 ：對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)，TensorFlow的學(xué)習(xí)曲線可能相對(duì)較陡