本應用筆記介紹如何正確測試包含DS2786開路電壓電池監測器的電路板。提供了分步測試程序,可以遵循該程序以確保電路板已正確組裝.此外,本筆記還指導讀者在DS2786組裝到電路板上后如何正確編程EEPROM。
介紹
基于開路電壓(OCV)的DS2786電量計出廠時,默認的OCV曲線和默認配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應特定應用,可能需要對DS2786的EEPROM進行重新編程。本應用筆記介紹如何對EEPROM進行編程和測試組裝好的電路板。
執行板級測試
以下是在最終組裝到電池組之前如何對基于DS2786的OCV板進行生產測試的示例。圖1所示為利用DS2786所有功能的電路板原理圖示例。所有關鍵測試點(有7個)在圖中用圓圈數字表示。測試流程假設電路的所有分立元件都已經過測試,因此,目標是通過驗證連接來驗證電路板是否已正確組裝。
圖1.必須驗證的電路板節點。
測試 1:測試初始化。該測試的目的是確定電路板上是否有任何直接短路并驗證通信。在此步驟中成功與設備通信以讀取電壓寄存器可驗證SDA和SCL連接(節點1)以及Pack+到VDD引腳(節點 2)和 V 形封裝黨衛軍引腳(節點 3)連接。此外,通過讀取此步驟中的電壓寄存器并確認它是有效的測量值,連接到 V在可以驗證引腳(節點 4)。
Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | |
Wait 880ms. | Wait 880ms. | |
Read the Voltage Register: | Read the Voltage Register: | |
Fail board if communication is not possible. | Fail board if communication is not possible. | |
Fail board if voltage reading is inaccurate. | Fail board if voltage reading is inaccurate. |
測試 2:驗證 SNS(節點 5)。與SNS引腳的連接可以通過有效的電流測量進行驗證。
Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | |
Force 1.0A from Pack- to System VSS. | Force 1.0A from Pack- to System VSS. | |
Wait 880ms. | Wait 880ms. | |
Read the Current Register: | Read the Current Register: | |
Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | Force 4.0V from Pack+ to Pack-. |
測試 3:驗證輔助輸入 AIN0 和 AIN1(節點 6)。與 AIN0 和 AIN1 引腳的正確連接可以通過有效的電阻測量進行驗證。此測試是可選的。
Connect a 10kΩ resistor from the Pack ID terminal to Pack-. | ||
Connect a 10kΩ resistor from the Therm terminal to Pack-. | ||
Force 4.0V from Pack+ to Pack-. | ||
Wait 880ms. | Wait for the auxiliary input conversion. | |
Read AIN0 and AIN1: | 4 Bytes. | |
Fail board if the AIN0/AIN1 readings are inaccurate. |
測試 4:驗證 V進度并對 EEPROM(節點 8)進行編程。用于將編程電壓連接到 V 的測試點進度需要引腳來編程DS2786的EEPROM。通過編寫和復制 EEPROM 并驗證 EEPROM 是否已更新來驗證此連接。電流偏移偏置寄存器(COBR)包含在EEPROM中,因此在對EEPROM進行編程之前校準COBR可能是有益的。
強制 4.0V 從包 + 到包-。 | |
校準COBR。 | 如果需要。詳情見下文。 |
寫入參數 EEPROM 塊: | 32 字節。 |
將參數復制到 EEPROM 中。 | |
等待 14 毫秒。 | 等待EEPROM復制。 |
將 0xFFh 寫入參數塊: | 31 字節(不是內存地址 0x7Dh)*。 |
從EEPROM召回參數。 | |
讀取參數EEPROM模塊: | 32 字節。 |
如果從EEPROM讀取的所有32字節與最初寫入的32字節不匹配,則失敗板。 |
*請勿將 0xFFh 寫入內存地址 7Dh,否則從地址將更改,設備將停止響應當前從地址。
校準電流偏移偏置寄存器
電流失調偏置寄存器允許DS2786的電流測量值以25μV步長調整至+3.175mV至-3.2mV之間的任意值。COBR 的出廠默認值為 0x00h。下面列出了校準電路中DS2786電流失調的步驟:
為DS2786供電,確保檢測電阻上沒有電流流過。
將 0x00h 寫入 COBR(內存地址 0x60h)。
等待 880 毫秒進行下一個轉換周期。
讀取當前寄存器。
盡可能多次重復步驟3和4以獲得平均電流讀數。
將平均電流讀數的相反值寫入COBR。
將值復制到 EEPROM(此步驟應與將所有值復制到 EEPROM 結合使用)。
總結
正確驗證組裝好的基于OCV的DS2786電量計需要測試電路中的每個焊接點。測試 1、2 和 3 可以合并為一個步驟,以減少測試時間,尤其是轉換時間的延遲。
此外,在測試期間對EEPROM進行編程可以提供更有效的測試流程,并提供方便的時間施加將參數保存到EEPROM所需的編程電壓,包括電流偏移偏置。
審核編輯:郭婷
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