本應(yīng)用筆記解釋了如何將MAX13030E–MAX13035E邏輯電平轉(zhuǎn)換器用作存儲(chǔ)卡電平轉(zhuǎn)換器。示例電路說明了這些器件的優(yōu)勢。

圖1所示電路顯示了MAX13030E–MAX13035E邏輯電平轉(zhuǎn)換器IC如何轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)卡信號的邏輯電平，同時(shí)保護(hù)信號免受高達(dá)±15kV HBM（人體模型）的ESD沖擊。例如，MAX13035E從任何存儲(chǔ)卡控制器（例如基帶處理器、應(yīng)用處理器或多媒體處理器）獲取1.8V信號，并自動(dòng)將其轉(zhuǎn)換為3.3V。該設(shè)備也可以執(zhí)行反向過程。該電路可用于SD卡，MMC，Transflash（microSD），MiniSD，MemoryStick，MemoryStick PRO和類似的存儲(chǔ)卡。

圖1.用于存儲(chǔ)卡的邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路。J2 所示的引腳排列用于 SD 卡。

這些器件采用專有架構(gòu)，無需方向 （DIR） 或?qū)?讀 （W/R） 引腳來指示數(shù)據(jù)方向。這種方法有幾個(gè)好處。首先，MAX13035E系列器件的封裝尺寸在16焊球UCSP中減小到只有2mm×2mm，因?yàn)樾枰男盘柛佟Ｆ浯危鶐幚砥魃显居糜谥甘拘盘柗较虻腎/O現(xiàn)在可以自由地用于其他用途。最后，在緊湊的布局中，必須少路由一個(gè)信號。

MAX13035E的專有架構(gòu)還使用內(nèi)部電流源，當(dāng)輸入為高阻時(shí)，保證總線上的已知狀態(tài)。這種設(shè)計(jì)免除了增設(shè)外部上拉或下拉電阻的需要。每個(gè)通道均可互換，并與高達(dá) 50MHz （100Mbps） 的 CMOS 推挽信號或 200kHz （400kbps） 的漏極開路信號兼容。這種靈活性在連接MMC等存儲(chǔ)卡時(shí)特別有用，其中初始化模式可以在其中一條線路上使用漏極開路信號。

MAX13035E和MAX13030E系列器件中的其它器件均在V時(shí)關(guān)斷抄送

圖2.MAX13035E使用CLK_RET引腳將時(shí)鐘信號反饋給主機(jī)處理器。

MAX13015E系列的所有器件均具有高達(dá)±15kV （HBM）的擴(kuò)展ESD保護(hù)，用于V上的所有I/O線路抄送側(cè)（卡側(cè)）。為保證全面的ESD保護(hù)，應(yīng)使用一個(gè)1μF陶瓷電容旁路V。抄送.

圖1電路還給出了如何使用MAX3202E為CARD_DETECT和WRITE_PROTECT信號提供ESD保護(hù)。使用此電路時(shí)，強(qiáng)烈建議您使用 SD 卡連接器提供的CARD_DETECT，而不是 DAT3 上的上拉電阻。這是因?yàn)镸AX13035E與卡檢測的上拉技術(shù)不兼容。

審核編輯：郭婷