預(yù)偏置軟啟動(dòng)已成為冗余電源系統(tǒng)、并聯(lián)電源模塊、電池后備電壓總線以及多個(gè)電源為一個(gè)節(jié)點(diǎn)供電的其他應(yīng)用中的重要特性。具體而言,預(yù)偏置軟啟動(dòng)可確保在DC/DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)期間不會(huì)發(fā)生輸出電容放電。對(duì)輸出電容放電可能會(huì)在冷啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生啟動(dòng)振蕩問(wèn)題,或者在熱插拔時(shí)對(duì)輸出電壓總線產(chǎn)生較大的電壓干擾。防止輸出電容放電已成為負(fù)載點(diǎn)電源設(shè)計(jì)的常見(jiàn)要求。
預(yù)偏置軟啟動(dòng)已成為冗余電源系統(tǒng)、并聯(lián)電源模塊、電池后備電壓總線以及多個(gè)電源為一個(gè)節(jié)點(diǎn)供電的其他應(yīng)用中的重要特性。具體而言,預(yù)偏置軟啟動(dòng)可確保在DC/DC轉(zhuǎn)換器的軟啟動(dòng)期間不會(huì)發(fā)生輸出電容放電。對(duì)輸出電容放電可能會(huì)在冷啟動(dòng)時(shí)產(chǎn)生啟動(dòng)振蕩問(wèn)題,或者在熱插拔時(shí)對(duì)輸出電壓總線產(chǎn)生較大的電壓干擾。防止輸出電容放電已成為負(fù)載點(diǎn)電源設(shè)計(jì)的常見(jiàn)要求。
MAX1917最初設(shè)計(jì)用于滿足雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲(chǔ)器對(duì)終端電壓跟蹤的要求。為避免在向REFIN施加基準(zhǔn)階躍電壓時(shí)產(chǎn)生較大的輸入浪涌電流,MAX1917分5步將輸出電感電流斜坡上升至預(yù)設(shè)輸出電流限限門限。通過(guò)直接斜坡電感電流而不是反饋基準(zhǔn)電壓,輸出電感電流始終被控制為僅源電流對(duì)輸出電容器充電,直到輸出電壓達(dá)到其調(diào)節(jié)值。因此,在軟啟動(dòng)期間不會(huì)產(chǎn)生負(fù)電感電流,因此不會(huì)發(fā)生輸出電容器放電。
雖然MAX1917設(shè)計(jì)用于DDR存儲(chǔ)器端接電源,但由于其出色的瞬態(tài)響應(yīng)和小封裝尺寸,是負(fù)載點(diǎn)電源控制器的理想選擇。圖1所示為MAX1917用于2.5V負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用的原理圖。表一列出了物料清單。圖2顯示了輸出電壓和輸出電感電流的軟啟動(dòng)波形。從該圖中可以明顯看出,在軟啟動(dòng)期間不會(huì)發(fā)生輸出電壓放電,并且輸出電感電流作為恒流源得到了很好的保持。
圖1.MAX1917用于2.5V輸出電源。
公司。 | 描述 | Venders |
C1 | 1.0uF/25V 陶瓷電容,TMK316BJ105ML,最大 20mW ESR。 | Taiyo Yuden |
C2 | 4X330uF/25V 鋁制電容器,ZA 系列,最大 26mW ESR。 | Rubycon |
C3 | 0.47uF/10V 陶瓷電容, EMK212BJ474MG, 最大 20mW 電沉 | Taiyo Yuden |
C4, C8 | 0.22uF/10V 陶瓷電容器, LMK107BJ224MA | Taiyo Yuden |
C5 | 10uF/6.3V 陶瓷電容器, JMK316BJ106ML, 20mW 最大靜電放電 | Taiyo Yuden |
C6 | 3X560uF,4SP560M,每個(gè)電容器的最大ESR為14mW。 | Sanyo |
C9 | 0.22uF/25V 陶瓷電容器, TMK312BJ224MF | Taiyo Yuden |
D1 | 30V/100mA肖特基二極管,CMPSH-3 | Central Semi. |
L1 | 0.75uH/24A, CDEP149-0R7NC, (電沉, 最大1.2mW) | Sumida |
第一季度 | IRF7822 紅外 | |
第 2 季度 | 2XIRF7822 | IR |
第三季度 | 2N7002K | Siliconix |
R1 | 400k, 1% | |
R2 | 5.1k, 5% | |
R3 | 20k, 5% | |
R4 | 15k, 0.1% | |
R5 | 10k, 0.1% |
圖2.MAX1917的預(yù)偏置軟啟動(dòng)波形
審核編輯:郭婷
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