采用碳化硅SiC技術封裝設計的SA111
SA111采用碳化硅（SiC）技術和領先的封裝設計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
SA111采用表面安裝式封裝，主體大小僅20mm x 20mm，提供32A持續輸出電流，最高支持650V供電電壓，開關頻率最高可達1MHz。
這款熱效率高的封裝采用頂端散熱方式，讓用戶能充分利用主板布局。
SA111的碳化硅MOSFET使得器件能經受更高的熱應力，最高能承受175°C的結溫。
SA111 SiC功率模塊提供完全集成的解決方案，配備集成的柵極驅動、欠壓鎖定和有源米勒鉗位，能提高器件控制力和保護能力。
業務拓展總監Jens Eltze表示：
“ SA111再次體現了Apex Microtechnology在非常小巧的占板面積內提供領先的大功率解決方案的能力。Apex榮獲專利的PQ封裝滿足了市場對于采用頂部冷卻的表面安裝式器件的需求。 ”
有了表面安裝式封裝類型和非常小巧的體積，設計師們就能充分利用板面積，可以使用多個器件來設計對功率要求高的電路。
各種目標應用場景包括MRI梯度線圈驅動、磁軸承、電動機、測試設備、服務器風扇、功率因數補償（PFC）、交流/直流轉換器和直流/直流轉換器。
審核編輯：劉清
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原文標題：APEX大功率半橋模塊能在小巧的表面安裝式封裝中實現更高的功率密度
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