HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
HMC232A的工作頻率范圍為100 MHz至12 GHz，在6 GHz時提供優于1.5 dB的插入損耗和50 dB隔離性能并在12 GHz時提供優于2.5 dB的插入損耗和45 dB隔離性能。
HMC232A采用非反射設計，且RF端口內部端接到50 Ω。
HMC232A開關采用?7 V至?3 V的互補負控制電壓邏輯線路工作，無需偏置電源。
HMC232A采用24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝，工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
應用
測試儀器儀表
微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
電信基礎設施
審核編輯：劉清
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
GaAs
+關注
關注
3文章
889瀏覽量
23687 -
LFCSP
+關注
關注
1文章
18瀏覽量
14661 -
SPDT開關
+關注
關注
0文章
24瀏覽量
9769 -
控制電壓
+關注
關注
0文章
36瀏覽量
16271
原文標題：HMC232A GaAs，SPDT開關，非反射式，100 MHz至12 GHz
文章出處：【微信號：兆億微波，微信公眾號：兆億微波】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
HMC424ACHIPS 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6位數字衰減器技術手冊
HMC424A芯片是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數字衰減器單芯片微波集成電路(MMIC)，以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減
HMC434使用InGaP HBT技術，8分頻，采用SMT封裝技術手冊
HMC434是一款低噪聲、靜態、8分頻預分頻器單芯片微波集成電路(MMIC)，利用磷化銦鎵/砷化鎵(InGaP/
HMC557A GaAs單芯片微波集成電路(MMIC)雙平衡混頻器芯片技術手冊
HMC557A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標準的24引腳陶瓷無鉛芯片載體封裝。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷
HMC787A GaAs MMIC基波混頻器技術手冊
HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器，采用符合RoHS標準的12引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝，可用作3 GHz至10 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷
HMC520A 6GHz至10GHz、GaAs、MMIC、I/Q混頻器技術手冊
HMC520A是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，采用
HMC774A GaAs MMIC基波混頻器，7-43GHz技術手冊
HMC774A是一款通用型砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙平衡混頻器芯片，可用作7 GHz至40 GHz頻率范圍內的上
HMC788A 0.01GHz至10GHz、MMIC、GaAs、pHEMT RF增益模塊技術手冊
HMC788A是一款0.01 GHz至10 GHz、增益模塊、單芯片微波集成電路(MMIC)放大器，采用砷化鎵(
CHA5659-98F/CHA5659-QXG：毫米波通信領域的砷化鎵高功率放大器
CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國UMS公司推出的四級單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專為36-43.5GHz毫米波頻段設計。該器件
HMC344A 0.1GHz至8 GHz、GaAs、非反射式SP4T開關技術手冊
HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)金屬
HMC241ALP3E GaAs、非反射式、SP4T開關，100MHz至4GHz技術手冊
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(
HMC1055使用0.5GHz至4.0GHz、GaAs、SPST開關技術手冊
HMC1055是一款低成本、砷化鎵(GaAs)、單刀單擲(SPST)開關，采用LFCSP表貼封裝
HMC986A 0.1GHz至50GHz GaAs MMIC反射式SPDT開關技術手冊
HMC986A是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關，采用砷化鎵(GaAs)
HMC232A GaAs，SPDT開關，非反射式，100MHz至12GHz技術手冊
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)
HMC641ALP4E GaAs MMIC SP4T非反射式開關，采用SMT封裝，DC-20GHz技術手冊
HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關，采用砷化鎵(GaAs)
氮化鎵和砷化鎵哪個先進
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是
工商網監
評論