在過去的幾十年里，硅無疑是半導體行業轉型的皇冠上的明珠。但隨著摩爾定律的停滯、電路復雜性的增加以及數據密集型應用的爆炸式增長，公司需要更創新的方法來更快地計算、存儲和移動數據。因此，規模、速度和能力已成為處理高級智能和計算需求的潛在力量。

與傳統電子集成電路相比，硅光子學已經憑借其令人印象深刻的性能、能效和可靠性贏得了據點。總體速度要求已經變得足夠快，有利于技術的優勢在不斷縮短的距離內有效地傳輸數據。與此同時，人工智能 (AI) 正在將計算推向電子元件需要遠距離通信以組合和集成多個 XPU（專用處理單元）的地步。

硅光子學的研究和商業化也出現了同步增長，數據通信、電信、光學計算和 LiDAR 等高性能傳感應用等市場也見證了它的優勢。根據 LightCounting 的研究，基于硅光子學的產品市場預計將從 2018-2019 年的 14% 增長到 2025 年的 45%，這表明該技術的采用出現了拐點。

隨著越來越多的公司合作和投資硅光子學以解決當前的電氣 I/O 和帶寬瓶頸，以及現有分立元件在提供指數級增長和性能方面面臨的挑戰，這不足為奇。

這種市場轉變和愿望并非一蹴而就。

我們是如何走到這一步的：從真空管到互連

從 20 年代到 50 年代，所有電子元件都是獨立的元件——主要是真空管，它們控制施加電壓的電極之間的電流流動。不久之后，第一個晶體管被發明出來，這標志著電子工業取得非凡進步的開始。隨后，隨著集成電路的誕生，該行業進一步擴大——一個芯片嵌入了數百萬或數十億個晶體管。微處理器的發展很快跟進，從袖珍計算器到家用電器，一切都從中受益。

經典微處理器在整個 1990 年代速度不斷提高，但自 2003 年左右以來，主流處理器已達到 3 GHz 時鐘壁壘。盡管晶體管的數量在增加，但不僅處理器過熱，而且更小的晶體管也不再高效。這意味著通過銅線將數據從一個計算芯片傳輸到內存或另一個計算芯片不再可持續，無論距離多短，并且這增加了不同程度的困難。

隧道盡頭的光變成了硅光子學。

該行業開始看到利用光能并將半導體激光器與集成電路相結合的前景。電子學的悠久歷史和發展啟發了研究人員和工程師尋找在芯片上集成功能的新方法，并使用明確定義波長的光束比電互連更快。

今天，類似的物理軌跡正在以每通道 100 Gbit/s 的速度進行芯片的電氣互連（4 級 50 Gbit/s），其中必須添加大量均衡功率才能將信號推送到銅線上。事實上，在每通道 200 Gbit/s（100 Gbit/s 的四個級別）下，這個問題會變得更糟。

另一方面，光子互連不會遇到同樣的問題，因為光纖可以輕松傳輸數 TB 的數據。簡而言之，與電子方法相比，利用光子學來傳輸信息可以顯著提高速度和能源效率。

力量與速度的競賽

每一點加速都是以更多的功耗為代價的。隨著電路及其設計的復雜性增加——無論是高通道數、密集傳感還是太比特互連——團隊將不可避免地需要擺脫分立的方法。我們已經在行業內看到這種轉變，公司從分立元件轉向硅光子學，并最終轉向具有片上單片集成激光器以增加光學增益的平臺。

在互連領域，仍然非常重視每個引腳的數據速率。今天，100 Gbit/s 互連分四個級別完成，速度為 50 Gbit/s，以獲得兩倍于 50 Gbit/s 數據鏈路的數據量。但是 200 Gbit/s 互連最終會推動更多功率通過它，以便通過電氣互連獲得該信號。最終，消耗的電量最終成為一個問題，尤其是當被推到更遠的距離時。因此，團隊無法通過這些電氣互連來容納更多數據。

光纖不是這種情況。將光纖想象成一條開放的千車道高速公路。計算盒可以設計成與數據中心一樣大，而無需犧牲更小的帶寬進行互連。但是，當使用分立組件時，處理器的尺寸會受到其互連的限制。

今天，一些公司正在采用 12 英寸的晶圓，并用它制造一個單一的、巨大的芯片，互連設計用于保持所有內核高速運行，因此晶體管可以作為一個整體協同工作。然而，隨著現代計算架構越來越接近其理論性能極限，這些帶寬需求的復雜性和規模也在增加，從而使激光集成的成本更高。使用標準的硅光子學，需要單獨連接一個激光器，這不能很好地擴展到多個通道。

集成激光器：與下一代設計相匹配

長期以來，激光集成一直是硅光子學領域的一大挑戰。主要關注領域指向設計層面涉及的物理學基礎知識，以及與芯片分立激光器的制造、組裝、添加和對準相關的不斷上升的成本。當處理激光通道數量和總帶寬的增加時，這將成為更大的考驗。

迄今為止，硅光子學已經在芯片上嵌入了多個光子元件，但直到現在還缺少一個關鍵元素是集成增益。片上增益脫離了標準的硅光子學，實現了新的集成水平，并增強了整體計算和處理能力。這有助于提供芯片之間和內部的高速數據傳輸，其數量級遠高于分立設備所能達到的數量級。該技術以更低的功率驅動更高性能或降低設計成本和制造工藝的先進能力有助于推動它們的采用。

以激光雷達等超靈敏傳感應用為例。對于相干 LiDAR，來自發射器的光需要與接收器混合以返回信息，這就是它以較低功率獲得更好距離信息的原因。通過在單個芯片上集成激光器，這個過程變得更加容易，因為您可以分離光并將其放在電路的不同部分。如果您要對分立元件執行此操作，則需要大量封裝。雖然其優勢的程度取決于電路的復雜性，但這是相干調頻連續波 (FMCW) LiDAR 等方法真正受益于集成方法的核心原因。共同封裝的光學器件和片上系統 (SoC) 接口。（由 OpenLight 提供）

硅光子學會取代電互連嗎？

將用于半導體激光器的磷化銦等材料直接加工到硅光子晶圓制造工藝上可降低成本并提高功率效率和片上增益，還可以簡化封裝。使用單片集成激光器，良率仍然很高，而使用分立元件擴展設計會導致不可接受的良率。在這一點上，即使是一個電路中的幾十個元件也是革命性的。

然而，就像采用任何新技術一樣，生態系統正在經歷一個學習曲線。大多數制造單位仍然習慣于將磷化銦和砷化鎵（用于制造激光器）等材料與硅鍵合。由于它們不同的物理和熱特性，一些進入障礙與需要克服的離散方法有關。簡而言之，幾十年來一直致力于 8 英寸或 10 英寸晶圓和不同材料純度的晶圓廠現在需要學習如何使用更新的材料和不同的設計空間，使工藝獨一無二。

具有集成增益的硅光子學

隨著硅光子技術的發展步伐，公司和代工廠將不可避免地擴大合作和研發投資，為組件和集成解決方案提供堅實的光子生態系統。隨著收發器擴展到 8 或 16 通道，硅光子學將成為唯一能夠以更低的功耗和合理的成本提供所需性能的技術。

有些人可能會爭辯說，由于每個應用程序的復雜性各不相同，而且底層電路處于核心地位，因此在完全自主或高級駕駛員輔助系統 (ADAS) 等領域的潛力方面可能仍然存在一些未知數，但在沒有它的好處是不可見的。

在某個時候，硅光子學將足夠成熟，某些關鍵指標（包括帶寬、成本和每比特能量）將足以取代電子產品。展望未來，轉向光學的主要價值將是它的影響范圍。

審核編輯 ：李倩