相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現(xiàn)更高的性能。那么氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些呢？

而隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域。

新型電子器件

GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破，成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFET）、調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率（2000cm2/v·s）、高的飽和速度（1×107cm/s）、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度（3.4eV） 及藍(lán)寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

光電器件

GaN材料系列是一種理想的短波長發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍(lán)色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)超亮度藍(lán)色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍(lán)色和綠色 LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，從而填補(bǔ)了市場上藍(lán)色LED多年的空白。

正是基于GaN的上述特性，越來越多的人看好其發(fā)展的后勢。特別是在幾個關(guān)鍵市場中，GaN都表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)臐B透力。

5G方面的應(yīng)用

射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。

在快充市場的應(yīng)用

現(xiàn)在充電器的功率也隨之增大，尤其是對于大功率的快充充電器，使用傳統(tǒng)的功率開關(guān)無法改變充電器的現(xiàn)狀。而GaN技術(shù)可以做到在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應(yīng)用于更小的元件，應(yīng)用于充電器時可以有效縮小產(chǎn)品尺寸，比如使目前的典型45W適配器設(shè)計可以采用25W或更小的外形設(shè)計。

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