ROHM獨有的超級結MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術優(yōu)勢，實現(xiàn)了極快*的反向恢復時間（trr），非常有助于降低空調(diào)和逆變器等應用穩(wěn)定運行時的功耗，因而已經(jīng)作為IGBT的替代品受到高度好評。

此次，在以往的產(chǎn)品陣容基礎上，新增了新開發(fā)的“R60xxJNx系列”共30種機型。產(chǎn)品特點如下：

?反向恢復時間（trr）極快。與IGBT相比，輕負載時的功率損耗降低約58%。

?采用不產(chǎn)生誤開啟（Self Turn-on）現(xiàn)象的設計，消除損耗增加的一個原因。

?優(yōu)化體二極管的特性，改善軟恢復指數(shù)，降低引發(fā)誤動作的噪聲。

這些特點不僅可降低應用的損耗，還使電路的優(yōu)化更容易，設計的靈活性更高。

反向恢復時間（trr）極快，與IGBT相比，輕負載時的功率損耗降低約58%

包括空調(diào)和冰箱在內(nèi)，白色家電多使用變頻電路進行電機驅動，以往開關元件多使用IGBT。然而，作為近年來節(jié)能需求的一部分，降低穩(wěn)定運行期間的功耗已經(jīng)為重要課題。ROHM于2012年首次將PrestoMOS投入市場，這是以極快的反向恢復特性為特點的功率MOSFET，因其在解決“降低穩(wěn)定運行期間的功耗”課題方面的優(yōu)異表現(xiàn)，而獲得了高度好評。

采用“不產(chǎn)生誤開啟現(xiàn)象”設計，消除損耗增加的一個原因

通過優(yōu)化MOSFET結構上存在的寄生電容，將開關時的柵極電壓升高量降低了20%。另外，將MOSFET導通的閾值（Vth）提高約1.5倍，是不易產(chǎn)生誤開啟現(xiàn)象的設計。優(yōu)化了柵極電阻值（損耗的原因之一），可降低損耗。

改善恢復特性，降低引起誤動作的噪聲

通常，SJ-MOSFET體二極管的恢復特性為硬恢復。通過優(yōu)化結構，與以往產(chǎn)品相比，R60xxJNx系列的軟恢復指數(shù)改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復時間（trr），還成功減少了噪聲干擾。這使得設計時的柵極電阻等帶來的噪聲更容易優(yōu)化。

R60xxJNx系列的產(chǎn)品陣容如下：

Package
	TO-252 (DPAK) [SC-63]	TO-263 (LPT(S) D2PAK) [SC-83]	TO-220FM	TO-247
Ron typ (mΩ)	1100	R6004JND3	R6004JNJ	R6004JNX
720	R6006JND3	R6006JNJ	☆R6006JNX
600	R6007JND3	R6007JNJ	R6007JNX
450	R6009JND3	R6009JNJ	R6009JNX
350		R6012JNJ	☆R6012JNX
220		R6018JNJ	R6018JNX
180		R6020JNJ	R6020JNX	R6020JNZ4
140			R6025JNX	R6025JNZ4
110			☆R6030JNX	R6030JNZ4
90				R6042JNZ4
64				☆R6050JNZ4
45				☆R6070JNZ4

審核編輯黃宇