MOS晶體管是MOSFET，中文全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管，稱為金氧半場效應晶體管（gold oxygen half field effect transistor），是一種場效應晶體管可廣泛用于模擬電路和數字電路。因為該FET的柵極由絕緣層隔離，所以也稱為絕緣柵極FET。MOSFET可分為N溝道耗盡型和增強型；有四大類P溝耗盡型和增強型。

IGBT即絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵FET）組成的復合型全控電壓驅動功率半導體器件，它結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度大，但驅動電流大；MOSFET驅動功率小，開關速度快，但傳導壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有較小的驅動功率和降低的飽和電壓。非常適用于直流電壓600V及以上的變流器系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

MOSFET有多種類型，但與IGBT最可比的是功率MOSFET。它設計用于處理重要的功率級別。它們只在“開”或“關”狀態下使用，這使它們成為使用最廣泛的低壓開關。與IGBT相比，功率MOSFET在低電壓下工作時具有更快的換向速度和更高的效率。

更重要的是，它可以保持高阻斷電壓和高電流。這是因為大多數功率MOSFET結構是垂直的（不是平面的）。其額定電壓是N外延層摻雜和厚度的直接函數，其額定電流與溝道寬度有關（溝道越寬，電流越高）。由于其效率，功率MOSFET被用于電源、DC/DC轉換器和低壓電機控制器。

MOSFET和IGBT絕緣柵雙極大功率管和其他器件在源極和柵極之間具有絕緣硅結構，直流電流無法通過，因此低頻行為驅動功率接近于零。然而，柵極電容器Cgs形成在柵極和源極之間，因此當高頻交替接通和需要關斷時，需要一定的動態驅動功率。

由于大的柵極電容Cgs，低功率MOSFET的Cgs通常在10-100pF之間，對于高功率絕緣柵極功率器件。通常在1-100nF之間，需要較大的動態驅動功率。此外，由于漏極到柵極的米勒電容Cdg，柵極驅動功率通常不可忽略。由于IGBT具有電流拖尾效應，因此在停機期間需要更好的抗擾性，并且需要負電壓驅動。MOSFET比較快，可以在沒有負電壓的情況下關斷，但當干擾嚴重時，負電壓關斷對提高可靠性非常有利。

MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源，IGBT專注于焊接、逆變器、逆變器、電鍍電源、超級音頻感應加熱等領域。

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審核編輯：郭婷