ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標準的超級結MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關損耗，促進了白色家電和工業(yè)設備等電機驅動器和變頻器應用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并降低損耗”為目標開發(fā)而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關系，但利用ROHM獨有的工藝技術和優(yōu)化技術優(yōu)勢，實現(xiàn)了兩者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商標。

開關損耗和傳導損耗更低

R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了導通電阻和Qg。在搭載變頻器的空調等電機驅動應用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負載時的功率損耗可減少約56%。這對于近年來的APF（全年能效比）來說取得了非常顯著的改善效果。是一款高速trr使開關損耗降低、導通電阻更低使傳導損耗降低、Qg更低使驅動電流降低、而且高速性能更佳的系列新品。

逆變器和電機驅動器電路無需FRD

如前所述，該系列產(chǎn)品的trr比以往的標準型超級結MOSFET減少了60%。這得益于內部二極管trr特性的顯著改善。特別是逆變器電路和電機驅動器電路的再生電流帶來的換流損耗取決于trr。普通的MOSFET和IGBT由于內部二極管的trr慢、損耗增加而需要外置2個FRD（快速恢復二極管）。而PrestoMOS由于trr快、損耗更低當然就不需要再外置2個FRD。