PMDE與PMDU封裝：外形比較下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統(tǒng)的PMDU封裝相比，安裝面積削減了約40%，盡管如此，通過(guò)將背電極面積增加1.5倍左右，還是確保了與PMDU同等的封裝容許損耗，而且實(shí)裝強(qiáng)度也提高了約1.4倍。

傳統(tǒng)封裝PMDU與新封裝PMDE的外形比較

PMDE與PMDU封裝：內(nèi)部結(jié)構(gòu)和散熱路徑的比較與傳統(tǒng)的PMDU封裝不同，新封裝PMDE對(duì)于元件與引線框架之間的電氣連接并未使用金屬絲，而是采用了將元件直接夾在引線框架之間“無(wú)線結(jié)構(gòu)”。這種結(jié)構(gòu)消除了由浪涌電流導(dǎo)致斷線的風(fēng)險(xiǎn)，從而實(shí)現(xiàn)了出色的浪涌電流耐受性（IFSM）。在后述的SBD產(chǎn)品陣容中，IFSM為20～30A，保證了非常大的值。下面是PMDE與PMDU內(nèi)部結(jié)構(gòu)和散熱路徑的比較。

PMDE與PMDU內(nèi)部結(jié)構(gòu)和散熱路徑的比較

在PMDU的情況下，PMDU的大部分下表面被模塑樹(shù)脂覆蓋，因此陰極側(cè)的散熱主要通過(guò)引線框架的橫向熱傳導(dǎo)來(lái)進(jìn)行。而PMDE的結(jié)構(gòu)，通過(guò)大面積暴露底部電極，能夠直接有效地將熱量散發(fā)到電路板上。綜上所述，PMDE的設(shè)計(jì)使得封裝的容許損耗不會(huì)因小型化而降低。

關(guān)鍵要點(diǎn):

?PMDE與PMDU相比實(shí)際安裝面積減少了約40%，還確保了同等的封裝容許損耗，且安裝強(qiáng)度提高了1.4倍。 ?無(wú)線結(jié)構(gòu)消除了浪涌電流導(dǎo)致斷線的風(fēng)險(xiǎn)，因此實(shí)現(xiàn)了出色的浪涌電流耐受能力（IFSM）。 ?PMDE的結(jié)構(gòu)通過(guò)大面積暴露底部電極，能夠直接有效地將熱量散發(fā)到電路板上。

審核編輯：湯梓紅