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EN系列:保持低導通電阻與開關速度,改善噪聲性能

蒲泛粟 ? 來源:flowerddd ? 作者:flowerddd ? 2023-02-10 09:41 ? 次閱讀

超級結MOSFET是與平面MOSFET相比,導通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴展為系列化產品,現已發展到第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。

低噪聲 EN系列

以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點,但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導通電阻特性的系列產品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產品及EN系列的噪聲特性比較圖。

poYBAGPbjjSAbVpVAABfKCULYig991.jpg

pYYBAGPbjjaAE_79AACWY8il9Dc673.jpg

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導通電阻更低,因而是改善平面MOSFET的傳導損耗的替代品。A?Ron的比較中,與平面MOSFET相比,以往產品AN系列降低65%,EN系列則降低達80%。

該系列的產品陣容如下。1款機型具有多種封裝。

■R60xxENx系列:低噪聲

.tbl_wrap th { font-size: 12px!important; background: #eee; } .tbl_wrap td { font-size: 12px!important; text-align: center; }

機型名 BVDSS(V) ID (A) RDS(on) (Ω) Qg (nC) 封裝
R6002ENx 600 1.7 2.8 6.5 CPT/TO252☆
R6004ENx 4 0.9 15 CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx 7 0.57 20 TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx 9 0.5 23 TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx 11 0.34 32 TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx 15 0.26 40 LPT/TO220FM/TO3PF
R6020ENx 20 0.17 60 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024ENx 24 0.15 70 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030ENx 30 0.115 85 LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035ENx 35 0.095 110 TO3PF/TO247
R6047ENx 47 0.07 145 TO247
R6076ENx 76 0.04 260 TO247

※機型名最后的x根據封裝類型代入相應的字母。

D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252

※ ☆ : 開發中

審核編輯:湯梓紅

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