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一文詳解失效模式與FMEDA

t29V_SilergyCor ? 來源:矽力杰半導(dǎo)體 ? 2023-02-10 14:12 ? 次閱讀

PART 01

失效模式

首先,何謂失效?

ISO 26262中對(duì)“故障”、“錯(cuò)誤”、“失效”的定義如下:

故障(Fault): 可引起要素或相關(guān)項(xiàng)失效的異常情況。

錯(cuò)誤(Error): 計(jì)算的、觀測(cè)的、測(cè)量的值或條件與真實(shí)的、規(guī)定的、理論上正確的值或條件之間的差異。

失效(Failure):要素按要求執(zhí)行功能的能力的終止。

同一個(gè)層級(jí)中,故障是失效的原因,失效是故障的結(jié)果;錯(cuò)誤是故障的表現(xiàn)形式。

不同層級(jí)間,組件層級(jí)的失效最終會(huì)引發(fā)系統(tǒng)層級(jí)的故障。

e167f1f8-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

如上圖故障分為三類:

系統(tǒng)性軟件故障

系統(tǒng)性硬件故障

隨機(jī)硬件故障

這里我們重點(diǎn)討論隨機(jī)硬件故障。一塊ECU由數(shù)以萬計(jì)的元器件組成,每個(gè)元器件都有發(fā)生隨機(jī)失效的可能,但并不是所有元器件的失效都會(huì)導(dǎo)致違背安全目標(biāo);有些元器件的失效會(huì)直接導(dǎo)致違背安全目標(biāo);而有些元器件需要與另一個(gè)元器件同時(shí)發(fā)生失效才會(huì)違背安全目標(biāo)。因此,我們將隨機(jī)硬件故障類型進(jìn)行進(jìn)一步的細(xì)分為:?jiǎn)吸c(diǎn)故障、 殘余故障、 可探測(cè)的雙點(diǎn)故障、可感知的雙點(diǎn)故障、 潛伏的雙點(diǎn)故障和安全故障等。

e19e3c36-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

1.單點(diǎn)故障

直接導(dǎo)致違背安全目標(biāo);

硬件要素故障,對(duì)于該硬件要素,沒有任何安全機(jī)制預(yù)防其某些故障違背安全目標(biāo)。

2.殘余故障

可直接導(dǎo)致違背安全目標(biāo)

硬件要素的故障,對(duì)于該硬件要素,有至少一個(gè)安全機(jī)制預(yù)防其某些違背安全目標(biāo)的故障。

3.可探測(cè)的雙點(diǎn)故障

僅與另一個(gè)(雙點(diǎn)故障有關(guān)的)獨(dú)立硬件故障聯(lián)合才能導(dǎo)致安全目標(biāo)的違背。

被防止其潛伏的安全機(jī)制所探測(cè)。

4.可感知的雙點(diǎn)故障

僅與另一個(gè)(雙點(diǎn)故障有關(guān)的)獨(dú)立硬件故障聯(lián)合才能導(dǎo)致安全目標(biāo)的違背

在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)被駕駛員所感知(有或無安全機(jī)制探測(cè))。

5.潛伏的雙點(diǎn)故障

僅與另一個(gè)(雙點(diǎn)故障有關(guān)的)獨(dú)立硬件故障聯(lián)合才能導(dǎo)致安全目標(biāo)的違背。

不被安全機(jī)制所探測(cè)也不被駕駛員感知。直到第二個(gè)獨(dú)立故障發(fā)生前,系統(tǒng)始終可以運(yùn)行且駕駛員也不知道發(fā)生了故障。

6.安全故障

指某個(gè)故障,它不會(huì)顯著地增加違反安全目標(biāo)的概率。

e1bcf5fe-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

PART 02

FMEDA

e1deb9b4-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

什么是FMEDA?

FMEDA-失效模式影響與診斷分析(Failure Mode Effect and Diagnostic Analysis)是產(chǎn)品設(shè)計(jì)定量分析的基礎(chǔ),可以用來分析整個(gè)系統(tǒng)也可以用來分析系統(tǒng)的某個(gè)模塊單元。

系統(tǒng)失效的過程往往是從單元(器件)的異常情況(故障)開始導(dǎo)致測(cè)量值與規(guī)定值不符(誤差),最終使系統(tǒng)或單元失去執(zhí)行某項(xiàng)功能的能力(失效)。失效率指系統(tǒng)或零件在單位時(shí)間內(nèi)失效的概率,其單位通常用FIT表示,1FIT=10-9 /h。

e1fbc2d4-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

產(chǎn)品設(shè)計(jì)過程中, FMEDA可以同時(shí)分析以上三個(gè)指標(biāo),度量產(chǎn)品的硬件設(shè)計(jì)是否符合相應(yīng)的安全要求。產(chǎn)品設(shè)計(jì)的過程中SPFM 和LFM 可以用來驗(yàn)證硬件構(gòu)架設(shè)計(jì)應(yīng)對(duì)隨機(jī)失效的魯棒性,PMHF用來評(píng)估隨機(jī)硬件失效率導(dǎo)致違反安全目標(biāo)的風(fēng)險(xiǎn)已經(jīng)足夠小。

FMEDA計(jì)算公式:

1.單點(diǎn)故障度量指標(biāo)SPFM:

e21224a2-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

2.潛在故障度量指標(biāo)LFM:

e222f7f0-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

3.隨機(jī)硬件失效率PMHF:

e23aca4c-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

上式中各個(gè)符號(hào)的含義如下:

e252beea-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

下面的公式為IEC TR 62380中關(guān)于半導(dǎo)體的可靠性數(shù)學(xué)預(yù)測(cè)模型:

e26a3264-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

其中各個(gè)參數(shù)含義如下:

e288f3c0-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

裸片失效率λdie:

對(duì)于某一種器件工藝類型,λ1和λ2均可以通過查表法獲得,N可以通過芯片設(shè)計(jì)EDA工具統(tǒng)計(jì)得到,器件工藝類型的溫度系數(shù):

e2b5d070-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

參數(shù)πt是器件工藝類型在對(duì)應(yīng)的芯片結(jié)溫tj下獲得的,芯片的結(jié)溫tj可以通過以下公式計(jì)算得到:

e2c9d98a-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

其中,tac即為工作剖面中的參數(shù),Rja為封裝的熱阻,P為芯片的功耗。

e2dbbbf0-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

其中各項(xiàng)參數(shù)都和工作剖面有關(guān),即產(chǎn)品在完成規(guī)定任務(wù)這段時(shí)間內(nèi)所經(jīng)歷的時(shí)間和環(huán)境的時(shí)序描述。芯片在工作時(shí)環(huán)境溫度是在不停變化的,同時(shí)也存在運(yùn)行狀態(tài)和非運(yùn)行狀態(tài)。

IEC TR 62380中列舉了如下表的2種典型的工作剖面,帶入工作剖面前半部分的各項(xiàng)參數(shù),即可獲得對(duì)應(yīng)的溫度系數(shù)。

e2eb3c06-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

裸片中往往混合著多種工藝類型的器件,可以通過疊加求和的方式得到整個(gè)裸片的失效率。其中由于λ2是有關(guān)集成電路工藝技術(shù)的失效率,和晶體管數(shù)量無關(guān),因此λ2推薦在疊加求和的時(shí)候要根據(jù)各個(gè)工藝器件的晶體管數(shù)N進(jìn)行加權(quán)平均得到。因此對(duì)于混合工藝的裸片的失效率計(jì)算公式如下:

e3002bd4-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

封裝失效率λpackage:

對(duì)于某一特定封裝,πα和λ3均可以通過查表法簡(jiǎn)單計(jì)算獲得,而溫度循環(huán)系數(shù):

e3129dd2-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

其中的各項(xiàng)參數(shù)也都和工作剖面后半部分的參數(shù)有關(guān),根據(jù)IEC TR 62380:

ni表示的為1年內(nèi)的循環(huán)次數(shù),每年不使用車輛的天數(shù)為30天,則使用的天數(shù)為335天,進(jìn)而夜晚啟動(dòng)的次數(shù)為每年670次,相應(yīng)的白天啟動(dòng)的次數(shù)為每年1340次,則:

e321c0be-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

e3334c08-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

其中,(tac)i取工作剖面中的加權(quán)平均值計(jì)算得到(tac)i=60℃,(tae)i則根據(jù)下表給出:

e3453fa8-a8a2-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

可見,通過“世界范圍”方式計(jì)算出的結(jié)果和在工作剖面中直接給出的公式是一致的。

另外,λpackage是包括了封裝內(nèi)部的失效率(框架連接和焊盤)和封裝外部與PCB的焊點(diǎn)失效率,作為芯片開發(fā)者,F(xiàn)MEDA只要在計(jì)算的時(shí)候考慮其中占比80%的封裝內(nèi)部的失效率即可。

電過應(yīng)力失效率λoverstress:

由于λEOS電子過應(yīng)力屬于系統(tǒng)性失效,因此在FMEDA時(shí),這部分不應(yīng)該被計(jì)算在內(nèi)。

由于不同的產(chǎn)品應(yīng)用導(dǎo)致的危害不同,ISO26262引入了安全等級(jí)和量化指標(biāo)。FMEDA作為定量分析的核心技術(shù)得到從業(yè)者越來越多的關(guān)注。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:芯片小課堂 | 失效模式與FMEDA

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