エンジニアコラム
第20篇 EMC計算方法和EMC仿真(5)
傳導抗擾度(CI)的試行計算方法
什么是ISO 11452-4標準HE法?
大家好!我是ROHM的稻垣。
第20篇也是關于電磁兼容性(EMC)的計算方法和仿真相關的內容。本文為該系列的第(5)篇,將介紹是傳導抗擾度(CI: Conducted Immunity)的試行計算方法。這是涉及到汽車電子產品的電磁兼容性(EMC)特性的方法,即“ISO 11452-4標準HE法(Harness Excitation Method,線束激勵方法)”。
在ISO 11452-4標準中,HE法包括BCI(Bulk Current Injection,大電流注入)法和TWC(Tubular Wave Coupler,管波耦合)法兩種。這兩種方法都是通過將電磁噪聲施加于線束(模擬車輛中的電線走線),來判定DUT(測試對象)的誤動作程度。BCI法是通過電流注入探頭施加0.1MHz~400MHz電流噪聲的一種測試方法,而TWC法則是通過耦合器施加400MHz~3GHz功率噪聲的測試方法。本文將介紹BCI法的預測計算相關內容。
ISO 11452-4標準的BCI法是一種與上一篇文章中介紹的IEC 62132-4標準的DPI法有很大不同的測試方法。DPI法是一邊上下調整行波功率值,一邊高精度地測量 DUT(測試對象)的抗擾度。而BCI法則是施加比如200mA的電流噪聲,并在所有頻段測試是否會發生誤動作。因此,測試結果會按照每個頻率來判定Pass/Fail。
我認為在進行預測計算時,DPI法更容易處理。如果通過BCI法獲得Pass/Fail的測試結果,我認為如何在電路分析(SPICE仿真)中將結果體現出來是一個很困擾人的問題。在這里,我會對相應內容進行講解。這種BCI法的預測計算是在不使用電磁場分析的情況下進行的。對于可以通過電路分析解決的現象而言,采用BCI法能在短時間內進行預測計算(此次的CPU時間約為2分鐘)。
計算對象包括車載電池、線路阻抗穩定網絡(LISN)、線束(三線制:電源線、接地線、輸出線)、電流注入探頭、負載、EMC對策部件(這里為電容元件C) 、DUT(LSI模型)、電流噪聲源、合規性判斷裝置等。此外,這次也將通過基于測量值創建計算機模型(仿真模型)的方法來實現。
下面我按照順序來逐一講解。在試行計算中,分兩個階段進行處理,第一階段的IB(誤動作閾值)模型提取(Extraction)和第二階段的預測計算(Prediction)分別使用shell腳本來自動完成。第一階段IB(誤動作閾值)模型提?。‥xtraction)的計算步驟如下。
■第一階段:IB(誤動作閾值)模型提取(Extraction)
① 與第19篇中一樣,首先,根據上述計算對象制作計算電路圖,即直接連接測試電路使其成為計算電路的示意圖。電流注入探頭和線束在電路分析中通過變壓器耦合來體現。由于是三線制的,因此通過從屬方式連接3個變壓器,可以將電流噪聲均勻地施加到每條線路上。另外,用LCR測試儀測量DUT(測試對象)LSI引腳之間的阻抗,并根據其電氣特性創建LCR(無源器件)電路(這里是關鍵點?。?。
② 接下來,將測量結果轉換為數值,以便對其進行電路分析。例如,假設施加200mA的電流噪聲時,有Pass的頻率和Fail的頻率。我們將Pass的頻率的測試值設置為200mA,將Fail的頻率的測試值設置為100mA(Pass時的1/2值,也可根據經驗酌情更改)。這樣,我們就成功創建了一個即使在電路分析中也易于處理的數字文件(這也是關鍵點?。?。
③ 將②中得到的電流值作為信號源,通過電路分析(瞬態分析)計算出一個頻率的IB(誤動作閾值)(到達LSI端的電流)。當電流達到大于通過計算得出的電流值時,DUT(測試對象)會發生誤動作;當電流小于通過計算得出的電流值時,不會發生誤動作,該值也就是誤動作閾值。
④ 在所有頻率重復③中的操作。只要設置為可以通過(Shell)腳本或宏反復執行,那么即使分析次數很多,也可以一次性執行。將結果保存為文件并在頻率軸上繪制曲線圖,顯示如下:
IB(誤動作閾值)模型的計算示例
另外,請注意,IB(誤動作閾值)模型是被限制的固有電流值,值取決于計算電路圖和LSI模型(阻抗特性)。通過與計算電路圖或LSI模型一起使用,它就成為可以在計算機上復現測量時誤動作的計算機模型(仿真模型)。(在這里,根據客戶的要求,支持1MHz~1GHz)
第二階段的預測計算(Prediction)步驟如下:
■第二階段:IB(誤動作閾值)模型提?。‥xtraction)
⑤ 創建預測計算用的電路。與IB(誤動作閾值)模型提取電路之間的區別在于添加了誤動作判定器(比較器)。通過誤動作判定器(比較器)對到達LSI的電流值和IB(誤動作閾值)進行比較。
⑥ 接下來,將電流噪聲的信號源設置為阻尼振動波形。對于SPICE而言,創建阻尼振動波形是比較簡單的。與第19篇DPI法中使用的電流換算方法相同。
⑦ 在電路分析(瞬態分析)中,執行了1個頻率的分析,即可獲得比如LSI從誤動作狀態轉變為非誤動作狀態的情況。在所有頻率重復該步驟。
⑧ 在阻尼振動波形中作為誤動作閾值的電流值,就是所要的預測計算值。左下圖為使用與EMC對策前的IB(誤動作閾值)模型提取電路相同的電路進行預測計算后的曲線圖。實測值和計算值大致相同。低頻部分有較小的計算誤差,這是因為IB(誤動作閾值)模型的值非常小。在高頻側,準確地再現了被判定Fail的100mA的計算值。
⑨ 添加EMC對策電路(這里使用了2個三端電容器C。與普通的二端電容器相比,這種電容器具有寄生電感L更小的特點)后,預測計算的結果如右下圖所示。如果預測計算值達到200mA以上,則表明該值應該是符合標準的預測計算值。特別要注意的是,EMC對策之前的100mA部分,已經被改善到與其他200mA部分同等的水平。如上所述,可以看出,通過添加電容元件,使LSI的誤動作水平得到了改善。
左:IB(誤動作閾值)模型創建電路的預測計算示例
(實測值與計算值大致一致,黑色:實測值,紅色:計算值,藍色:限值)
右:EMC對策電路(添加C=0.1uF和0.47uF時)的預測計算示例
(黑色:實測值,紅色:計算值,藍色:限值)
在該示例中,驗證了1MHz~1GHz、200mA以上的抗誤動作能力。從結果可以看出,無論圖中的藍線(標準限值)怎樣,在所有頻段的抗誤動作能力均有提高。
(在ISO 11452-4標準中,1MHz~400MHz范圍的1MHz~3MHz和200MHz~400MHz的限值稍微寬松一些。此外,在0.1MHz~1MHz也設有限值。)
感謝您閱讀本文。
<書籍參考頁碼>
《LSI的EMC設計》,科學信息出版株式會社,2018年2月第一版,ISBN978-4-904774-68-7。
◆傳導抗擾度(CE)仿真簡介:
第6章 通過現象驗證半導體集成電路的電磁兼容性(2)pp.147~149
審核編輯黃宇
-
仿真
+關注
關注
50文章
4070瀏覽量
133552 -
emc
+關注
關注
170文章
3914瀏覽量
183122
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論